24nm工藝節(jié)點(diǎn)4Gb SPI NAND Flash產(chǎn)品GD5F4GM5系列
發(fā)布時(shí)間:2022/1/14 23:31:02 訪問(wèn)次數(shù):661
MAX5098A是雙路輸出、高開(kāi)關(guān)頻率DC-DC轉(zhuǎn)換器，集成高邊或低邊n溝道開(kāi)關(guān)。
MAX5098A也集成了拋負(fù)載保護(hù)電路，可承受汽車應(yīng)用中高達(dá)80V的瞬態(tài)電壓。拋負(fù)載保護(hù)電路采用內(nèi)部電荷泵驅(qū)動(dòng)外部n溝道MOSFET柵極。當(dāng)出現(xiàn)過(guò)壓或拋負(fù)載時(shí)，串聯(lián)保護(hù)MOSFET可吸收高壓瞬變以防止損壞低壓器件。
其它特性包括內(nèi)部數(shù)字軟啟動(dòng)、每個(gè)DC-DC穩(wěn)壓器獨(dú)立使能(EN1及EN2)、開(kāi)漏電源就緒輸出(PGOOD1及PGOOD2)及關(guān)斷輸入(ON/OFF)。
霍克斯灣600VDC至48VDC 6000W MPPT太陽(yáng)能充電控制器、功能強(qiáng)大的巴塞羅那雙MPPT充電控制器、MMB17先進(jìn)的基于電池的充電器/逆變器以及120/240V Rosie逆變器/充電器，都得益于ROHM的SiC技術(shù)的高性能和成熟的可靠性。
與它們所替代的硅部件相比，SiC功率器件的能效得到了極大的提高，而且成本溢價(jià)大幅下降，使得更多的應(yīng)用能夠從這些器件中受益，從而獲得更好的系統(tǒng)性能和價(jià)值。
SiC MOSFET技術(shù)支持Midnite Solar最新的電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品設(shè)計(jì)，我們確實(shí)很高興看到先進(jìn)的功率器件和系統(tǒng)解決方案為我們的尊貴客戶帶來(lái)積極的改變。
另外在DRAM內(nèi)存芯片布局方面，2021年6月兆易創(chuàng)新宣布首款自有品牌4Gb DDR4產(chǎn)品GDQ2BFAA系列量產(chǎn)，該產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)了從設(shè)計(jì)、流片，到封測(cè)、驗(yàn)證的全國(guó)產(chǎn)化，標(biāo)志著兆易創(chuàng)新成功將業(yè)務(wù)觸角拓展到了DRAM主流存儲(chǔ)市場(chǎng)。
(素材來(lái)源：轉(zhuǎn)載自網(wǎng)絡(luò),如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除,特別感謝）
MAX5098A是雙路輸出、高開(kāi)關(guān)頻率DC-DC轉(zhuǎn)換器，集成高邊或低邊n溝道開(kāi)關(guān)。
MAX5098A也集成了拋負(fù)載保護(hù)電路，可承受汽車應(yīng)用中高達(dá)80V的瞬態(tài)電壓。拋負(fù)載保護(hù)電路采用內(nèi)部電荷泵驅(qū)動(dòng)外部n溝道MOSFET柵極。當(dāng)出現(xiàn)過(guò)壓或拋負(fù)載時(shí)，串聯(lián)保護(hù)MOSFET可吸收高壓瞬變以防止損壞低壓器件。
其它特性包括內(nèi)部數(shù)字軟啟動(dòng)、每個(gè)DC-DC穩(wěn)壓器獨(dú)立使能(EN1及EN2)、開(kāi)漏電源就緒輸出(PGOOD1及PGOOD2)及關(guān)斷輸入(ON/OFF)。
霍克斯灣600VDC至48VDC 6000W MPPT太陽(yáng)能充電控制器、功能強(qiáng)大的巴塞羅那雙MPPT充電控制器、MMB17先進(jìn)的基于電池的充電器/逆變器以及120/240V Rosie逆變器/充電器，都得益于ROHM的SiC技術(shù)的高性能和成熟的可靠性。
與它們所替代的硅部件相比，SiC功率器件的能效得到了極大的提高，而且成本溢價(jià)大幅下降，使得更多的應(yīng)用能夠從這些器件中受益，從而獲得更好的系統(tǒng)性能和價(jià)值。
SiC MOSFET技術(shù)支持Midnite Solar最新的電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品設(shè)計(jì)，我們確實(shí)很高興看到先進(jìn)的功率器件和系統(tǒng)解決方案為我們的尊貴客戶帶來(lái)積極的改變。
另外在DRAM內(nèi)存芯片布局方面，2021年6月兆易創(chuàng)新宣布首款自有品牌4Gb DDR4產(chǎn)品GDQ2BFAA系列量產(chǎn)，該產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)了從設(shè)計(jì)、流片，到封測(cè)、驗(yàn)證的全國(guó)產(chǎn)化，標(biāo)志著兆易創(chuàng)新成功將業(yè)務(wù)觸角拓展到了DRAM主流存儲(chǔ)市場(chǎng)。
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