CCP電容器反轉(zhuǎn)電源電壓整流器組件溫度降低25度
發(fā)布時(shí)間:2023/1/26 9:45:07 訪問(wèn)次數(shù):74
CP和SW引腳之間的CCP電容器反轉(zhuǎn)電源電壓,然后進(jìn)一步下調(diào)。
低側(cè) (LSD) 和整流 (RECT) MOSFET提供同步整流以實(shí)現(xiàn)高效率。為了開(kāi)始一個(gè)開(kāi)關(guān)周期,高邊 (HSD) 和RECT MOSFET開(kāi)啟以將CCP充電至 VIN。充電后,HSD和RECT MOSFET都打開(kāi),LSD MOSFET關(guān)閉,以將CCP的存儲(chǔ)能量傳送到輸出。調(diào)節(jié)占空比以提供低噪聲和穩(wěn)定的輸出電壓。
低噪聲反向降壓轉(zhuǎn)換器是一個(gè)電壓逆變器——它產(chǎn)生一個(gè)負(fù)電壓。因?yàn)樗且粋(gè)反相降壓轉(zhuǎn)換器而不是一個(gè)反相降壓-升壓轉(zhuǎn)換器,所以輸出電壓(絕對(duì)值)必須始終低于輸入電壓才能進(jìn)行適當(dāng)?shù)恼{(diào)節(jié)。
IR1168擁有IR獨(dú)有的高壓IC技術(shù),支持成組方式操作,即使在輕負(fù)載下仍可帶來(lái)效率效益。耐用性和無(wú)噪聲干擾可通過(guò)先進(jìn)的消隱方案和雙脈沖抑制來(lái)實(shí)現(xiàn),使固定或可變頻率應(yīng)用均能可靠操作。
LMH0384芯片可支持長(zhǎng)達(dá)110米的Belden 1694A 雙扭線電纜,而且以2.97Gbps 的速度傳送信號(hào)時(shí),是目前唯一一款輸出抖動(dòng)保證低于0.3UI的均衡器。
USB 2.0中支持七個(gè)PDO(電源等級(jí)),而在USB-PD 3.0 PPS中,PDO的可編程電壓可在3.3V到21V之間以20mV步進(jìn)進(jìn)行設(shè)置,同時(shí)可編程的電流則可以在5A內(nèi)以50mA步進(jìn)進(jìn)行設(shè)置,此舉使得整個(gè)電力傳輸過(guò)程中,可以根據(jù)受電方的實(shí)際情況靈活地調(diào)整功率,采用最佳的供電策略,有利于供電效率的提升。與其他同類快充標(biāo)準(zhǔn)相比,優(yōu)勢(shì)明顯。
USB PD 3.1將原有的USB PD 3.0內(nèi)容定義為“標(biāo)準(zhǔn)功率范圍(SPR)”,而在此基礎(chǔ)之上,增加了“擴(kuò)展功率范圍(EPR)”,前者的最高輸出功率還是100W,而后者則最高支持240W。
(素材來(lái)源:轉(zhuǎn)載自網(wǎng)絡(luò),如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除,特別感謝)
上海德懿電子科技有限公司 www.deyie.com
CP和SW引腳之間的CCP電容器反轉(zhuǎn)電源電壓,然后進(jìn)一步下調(diào)。
低側(cè) (LSD) 和整流 (RECT) MOSFET提供同步整流以實(shí)現(xiàn)高效率。為了開(kāi)始一個(gè)開(kāi)關(guān)周期,高邊 (HSD) 和RECT MOSFET開(kāi)啟以將CCP充電至 VIN。充電后,HSD和RECT MOSFET都打開(kāi),LSD MOSFET關(guān)閉,以將CCP的存儲(chǔ)能量傳送到輸出。調(diào)節(jié)占空比以提供低噪聲和穩(wěn)定的輸出電壓。
低噪聲反向降壓轉(zhuǎn)換器是一個(gè)電壓逆變器——它產(chǎn)生一個(gè)負(fù)電壓。因?yàn)樗且粋(gè)反相降壓轉(zhuǎn)換器而不是一個(gè)反相降壓-升壓轉(zhuǎn)換器,所以輸出電壓(絕對(duì)值)必須始終低于輸入電壓才能進(jìn)行適當(dāng)?shù)恼{(diào)節(jié)。
IR1168擁有IR獨(dú)有的高壓IC技術(shù),支持成組方式操作,即使在輕負(fù)載下仍可帶來(lái)效率效益。耐用性和無(wú)噪聲干擾可通過(guò)先進(jìn)的消隱方案和雙脈沖抑制來(lái)實(shí)現(xiàn),使固定或可變頻率應(yīng)用均能可靠操作。
LMH0384芯片可支持長(zhǎng)達(dá)110米的Belden 1694A 雙扭線電纜,而且以2.97Gbps 的速度傳送信號(hào)時(shí),是目前唯一一款輸出抖動(dòng)保證低于0.3UI的均衡器。
USB 2.0中支持七個(gè)PDO(電源等級(jí)),而在USB-PD 3.0 PPS中,PDO的可編程電壓可在3.3V到21V之間以20mV步進(jìn)進(jìn)行設(shè)置,同時(shí)可編程的電流則可以在5A內(nèi)以50mA步進(jìn)進(jìn)行設(shè)置,此舉使得整個(gè)電力傳輸過(guò)程中,可以根據(jù)受電方的實(shí)際情況靈活地調(diào)整功率,采用最佳的供電策略,有利于供電效率的提升。與其他同類快充標(biāo)準(zhǔn)相比,優(yōu)勢(shì)明顯。
USB PD 3.1將原有的USB PD 3.0內(nèi)容定義為“標(biāo)準(zhǔn)功率范圍(SPR)”,而在此基礎(chǔ)之上,增加了“擴(kuò)展功率范圍(EPR)”,前者的最高輸出功率還是100W,而后者則最高支持240W。
(素材來(lái)源:轉(zhuǎn)載自網(wǎng)絡(luò),如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除,特別感謝)
上海德懿電子科技有限公司 www.deyie.com
熱門點(diǎn)擊
- 諧振半橋變換器提供多種頻率控制功能具有高dV
- 無(wú)損權(quán)重壓縮等架構(gòu)性增強(qiáng)支持NUCLEO-U
- 印刷電路板可以緊貼應(yīng)用設(shè)備的表面3kV的額定
- 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路和電池保護(hù)電路中射頻發(fā)射器件SM
- Actel IGLOO低功耗FPGA和Fus
- B和BF型醫(yī)療應(yīng)用產(chǎn)生+4dBm典型輸出功率
- TXD在支配狀態(tài)(低)比tDOM長(zhǎng)時(shí)一個(gè)外部
- CC2530的P0口與SDHC卡的對(duì)應(yīng)端口相
- 網(wǎng)與寬帶G.652.D兼容高SBS光纖和抗彎
- HBM3內(nèi)存子系統(tǒng)數(shù)據(jù)傳輸速率達(dá)到8.4Gb
推薦技術(shù)資料
- PCB布線要點(diǎn)
- 整機(jī)電路圖見(jiàn)圖4。將電路畫(huà)好、檢查無(wú)誤之后就開(kāi)始進(jìn)行電... [詳細(xì)]
- STGWA30IH160DF2
- 最新一代低功耗內(nèi)存LPDDR6
- EMI CISPR25 CLA
- Android 和Linux
- 汽車混合信號(hào)微控制器̴
- 4A,6A 3KVRMS雙通道隔離的閘門驅(qū)動(dòng)
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動(dòng)IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計(jì)
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究