芯片內(nèi)部功率MOS管驅(qū)動對稱程度高發(fā)射/接收開關(guān)PIN二極管
發(fā)布時間:2022/1/18 8:31:04 訪問次數(shù):1142
Blackfin BF526C處理器的一款完整的IP監(jiān)控和機器視覺攝像頭參考設(shè)計。此外,此兩款芯片還集成了三項關(guān)鍵技術(shù),并滿足AEC-Q100汽車標(biāo)準(zhǔn),滿足客戶產(chǎn)品高可靠性需求.
軟啟動功能。避免開機大電流沖擊而損壞器件,且保證CC負(fù)載模式下帶容性負(fù)載可啟動;
輸出過流和短路保護。一方面區(qū)分過流和短路保護的判定和計時,以控制短路溫升,同時保證啟機容性負(fù)載和短路恢復(fù)時的容性負(fù)載;
另一方面根據(jù)輸入電壓和溫度調(diào)節(jié)保護閾值,避免因輸入電壓及溫度的變化而影響保護功能;
SCM1201B及SCM1212B是集成了功率MOS管的推挽電源原邊控制器。此兩款芯片擁有2.7-5.5V的寬電壓輸入范圍,可兼容3.3V、5V輸入下1-2W的應(yīng)用。極限電壓9V,高輸入電壓沖擊1s下也不會損壞。芯片內(nèi)部功率MOS管的驅(qū)動對稱程度高, 有效減小推挽拓?fù)涞钠懦潭取?/span>
過溫保護。超出規(guī)定的溫度范圍時,芯片自動進入休眠狀態(tài),并在溫度恢復(fù)正常時自動退出休眠狀態(tài)。
對于 HVL147 及 HVL147M這兩種 PIN二極管 ,由于把以前的產(chǎn)品(例如HVL142A)使用的平面結(jié)構(gòu)改為溝道結(jié)構(gòu)*3,并且對影響這三個特性參數(shù)的外延層和工藝進行了優(yōu)化,電容、導(dǎo)通電阻和諧波失真度這三個主要特性參數(shù)都得到了改善。
(素材來源:轉(zhuǎn)載自網(wǎng)絡(luò),如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除,特別感謝)
Blackfin BF526C處理器的一款完整的IP監(jiān)控和機器視覺攝像頭參考設(shè)計。此外,此兩款芯片還集成了三項關(guān)鍵技術(shù),并滿足AEC-Q100汽車標(biāo)準(zhǔn),滿足客戶產(chǎn)品高可靠性需求.
軟啟動功能。避免開機大電流沖擊而損壞器件,且保證CC負(fù)載模式下帶容性負(fù)載可啟動;
輸出過流和短路保護。一方面區(qū)分過流和短路保護的判定和計時,以控制短路溫升,同時保證啟機容性負(fù)載和短路恢復(fù)時的容性負(fù)載;
另一方面根據(jù)輸入電壓和溫度調(diào)節(jié)保護閾值,避免因輸入電壓及溫度的變化而影響保護功能;
SCM1201B及SCM1212B是集成了功率MOS管的推挽電源原邊控制器。此兩款芯片擁有2.7-5.5V的寬電壓輸入范圍,可兼容3.3V、5V輸入下1-2W的應(yīng)用。極限電壓9V,高輸入電壓沖擊1s下也不會損壞。芯片內(nèi)部功率MOS管的驅(qū)動對稱程度高, 有效減小推挽拓?fù)涞钠懦潭取?/span>
過溫保護。超出規(guī)定的溫度范圍時,芯片自動進入休眠狀態(tài),并在溫度恢復(fù)正常時自動退出休眠狀態(tài)。
對于 HVL147 及 HVL147M這兩種 PIN二極管 ,由于把以前的產(chǎn)品(例如HVL142A)使用的平面結(jié)構(gòu)改為溝道結(jié)構(gòu)*3,并且對影響這三個特性參數(shù)的外延層和工藝進行了優(yōu)化,電容、導(dǎo)通電阻和諧波失真度這三個主要特性參數(shù)都得到了改善。
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