SD42524采用了PWM調(diào)光和內(nèi)部穩(wěn)壓技術(shù)。PWM調(diào)光的精度高,與模擬調(diào)光相比,不會出現(xiàn)LED顏色偏移的現(xiàn)象,可以滿足在100Hz～2kHz范圍內(nèi)從0～100％的調(diào)光要求。

芯片內(nèi)部集成LDO,產(chǎn)生VDD電壓,可以作為調(diào)光用MCU的電源,使客戶在系統(tǒng)開發(fā)過程中更加便利。

由于芯片采用士蘭微電子先進的BCD工藝，并且內(nèi)部使用了高精度的修調(diào)技術(shù)，芯片的輸出電流一致性好，不同批次的芯片輸出電流差異可以控制在±2%之內(nèi)。

由于芯片的高效率，加上采用了SOP-8的封裝形式，管芯發(fā)熱小，散熱性能優(yōu)良。

MCP6S91和MCP6S92產(chǎn)品采用8-PDIP,SOIC和MSOP封裝,MCP6S93產(chǎn)品采用MSOP封裝。

新器件可提供1通道和2通道輸入，有8個增益等級，能在較低的工作電流下實現(xiàn)1MHz至18 MHz的增益帶寬，降低了電源要求。新器件的工作電壓為2.5伏至5.5伏，工作溫度從-40oC到+125oC。

此外，新器件可以保持較低的噪音（10 nV/rtHz），以及較低的偏移電壓（150uV），總諧波失真加上噪聲（THD+N）僅為0.0011％，設(shè)定時間為200ns，能夠穩(wěn)定運行于1、2、4、5、8、10、16和32V/V的增益系統(tǒng)。

其自主研發(fā)的車規(guī)級SiC芯片設(shè)計及工藝技術(shù)主要體現(xiàn)在兩個方面：

精細化元胞設(shè)計與工藝技術(shù)——多重自對準工藝設(shè)計，實現(xiàn)了精細元胞設(shè)計，較好地折衷了元胞區(qū)域氧化層電場和導(dǎo)通電阻之間的矛盾，得到了極低的比導(dǎo)通電阻；

高可靠高性能柵氧化技術(shù)——先進的柵氧化與退火技術(shù)，突破高可靠低界面缺陷SiC氧化技術(shù)，實現(xiàn)了高溝道遷移率，獲得了極低的比導(dǎo)通電阻。

MCP6S9X系列器件通過SPI總線實現(xiàn)編程，幫助用戶加強對增益和輸入通道選擇的控制，實現(xiàn)在其它狀態(tài)下難以達到的設(shè)計靈活性。

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