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45納米的處理技術(shù)處理能力增強(qiáng)30%的1.3GHz處理器

發(fā)布時(shí)間:2022/2/1 14:20:21 訪問(wèn)次數(shù):240

45納米技術(shù)還有效的改善了功耗,與上一代Snapdragon產(chǎn)品相比,動(dòng)態(tài)功耗降低了30%,待機(jī)功耗低于10mW,達(dá)到前所未有的水平。

拓展其Snapdragon平臺(tái),下一代芯片組產(chǎn)品將采用45納米的處理技術(shù),從而為基于Snapdragon的智能手機(jī)和smartbook提供更快的處理速度、更長(zhǎng)的電池壽命和其它增強(qiáng)的用戶體驗(yàn)。

QSD8650A芯片組提供了超高集成度。除更快的處理器和總線速度外,新QSD8650A芯片組也提供UMTS與CDMA 3G多模移動(dòng)寬帶連接功能,并與現(xiàn)有Snapdragon芯片組一樣使用15x15mm的封裝尺寸。

特性混合中等功率解決方案大電流承載能力,外形小巧每電源刀片高達(dá)20A2至10個(gè)電源刀片(2mm間距)6至140個(gè)信號(hào)引腳(0.8mm間距)可靠的4點(diǎn)電源觸點(diǎn)設(shè)計(jì)信號(hào)速度高達(dá)12Gb/s5mm至20mm堆疊高度(1mm增量)防斜插外殼具有±0.9mm偏移容差,支持盲插和自動(dòng)裝配外殼采用金屬固定,可實(shí)現(xiàn)較高PCB保持力高溫LCP材料支持工作溫度高達(dá)+125°C滿足USCAR-2 V2沖擊和振動(dòng)要求無(wú)鉛、無(wú)鹵符合RoHS指令

新Snapdragon QSD8650A芯片組預(yù)計(jì)于2009年底前出樣,該芯片組實(shí)現(xiàn)了多項(xiàng)重大的性能提升包括處理能力增強(qiáng)30%的1.3 GHz處理器、增強(qiáng)的多媒體以及2D/3D圖形功能。

樣品套裝還包括優(yōu)化至極低電容(最高為15 pF)的高速系列壓敏電阻,它們適用于CAN、LIN、FlexRay或MOST等總線系統(tǒng),可以防止信號(hào)衰減。

該轉(zhuǎn)換器的額定功率為6W,工作輸入電壓范圍為2:1,分別為9~18 Vdc、18~36 V dc和36~72 V dc。這些器件可提供5、12Vdc單輸出電壓和±12和±15 V dc雙輸出電壓。

(素材來(lái)源:轉(zhuǎn)載自網(wǎng)絡(luò),如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除,特別感謝)

45納米技術(shù)還有效的改善了功耗,與上一代Snapdragon產(chǎn)品相比,動(dòng)態(tài)功耗降低了30%,待機(jī)功耗低于10mW,達(dá)到前所未有的水平。

拓展其Snapdragon平臺(tái),下一代芯片組產(chǎn)品將采用45納米的處理技術(shù),從而為基于Snapdragon的智能手機(jī)和smartbook提供更快的處理速度、更長(zhǎng)的電池壽命和其它增強(qiáng)的用戶體驗(yàn)。

QSD8650A芯片組提供了超高集成度。除更快的處理器和總線速度外,新QSD8650A芯片組也提供UMTS與CDMA 3G多模移動(dòng)寬帶連接功能,并與現(xiàn)有Snapdragon芯片組一樣使用15x15mm的封裝尺寸。

特性混合中等功率解決方案大電流承載能力,外形小巧每電源刀片高達(dá)20A2至10個(gè)電源刀片(2mm間距)6至140個(gè)信號(hào)引腳(0.8mm間距)可靠的4點(diǎn)電源觸點(diǎn)設(shè)計(jì)信號(hào)速度高達(dá)12Gb/s5mm至20mm堆疊高度(1mm增量)防斜插外殼具有±0.9mm偏移容差,支持盲插和自動(dòng)裝配外殼采用金屬固定,可實(shí)現(xiàn)較高PCB保持力高溫LCP材料支持工作溫度高達(dá)+125°C滿足USCAR-2 V2沖擊和振動(dòng)要求無(wú)鉛、無(wú)鹵符合RoHS指令

新Snapdragon QSD8650A芯片組預(yù)計(jì)于2009年底前出樣,該芯片組實(shí)現(xiàn)了多項(xiàng)重大的性能提升包括處理能力增強(qiáng)30%的1.3 GHz處理器、增強(qiáng)的多媒體以及2D/3D圖形功能。

樣品套裝還包括優(yōu)化至極低電容(最高為15 pF)的高速系列壓敏電阻,它們適用于CAN、LIN、FlexRay或MOST等總線系統(tǒng),可以防止信號(hào)衰減。

該轉(zhuǎn)換器的額定功率為6W,工作輸入電壓范圍為2:1,分別為9~18 Vdc、18~36 V dc和36~72 V dc。這些器件可提供5、12Vdc單輸出電壓和±12和±15 V dc雙輸出電壓。

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