VP系列電容器磁存儲器元件集成到高性能邏輯基中
發(fā)布時間:2022/2/2 19:49:37 訪問次數(shù):614
存內(nèi)計算給MRAM提供了新的思路，過去MRAM磁阻內(nèi)存很難用于存內(nèi)計算，因為MRAM在標準的存內(nèi)計算架構(gòu)中無法發(fā)揮低功耗優(yōu)勢。
三星公司成功開發(fā)出新的MRAM陣列,通過新型“電阻”和計算架構(gòu),替換當前采用的架構(gòu)。
MRAM有20多年的發(fā)展歷史，但是由于其電阻特性，商用之路極其緩慢，本次三星與哈佛大學的新研究可能解決了這一障礙，MRAM從此更近一步。
2003年，IBM和英飛凌將磁存儲器元件集成到高性能邏輯基中，開發(fā)出當時 “最先進的MRAM”。
VP系列提供 10、16、25 和 35V至 10,000 μF參數(shù)，以及從10×12.5mm至18×40mm各種尺寸。這些電容器具有RoHS 合規(guī)性和“無鹵素”屬性。
在高溫下提供更低電阻：VP系列電容器在-40°C至+135°C溫度范圍內(nèi)具有出色的高可靠性，并且在高壓和高溫下的電容變化率較低，因此具有特別高的電氣可靠性和較長的使用壽命。
uClamp 0511T和uClamp 1211T手機保護器件具有低高度、低漏電和低電容，在便攜應(yīng)用中，該器件設(shè)計取代了多層變阻器(MLV)。
雙向uClampxx11T器件采用2引腳SLP1006P2T 1.0x0.6x0.4-mm封裝。
該系列在125度額定溫度時，電容范圍為470 nf~35nf，額定電壓為25~1,000 V，150度時和更高溫度時將比正常電容額定值略低一些。
VP系列還符合AEC-Q200標準,非常適合用于再生制動系統(tǒng),電動汽車的電源和LED應(yīng)用。
(素材來源：轉(zhuǎn)載自網(wǎng)絡(luò),如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除,特別感謝）
存內(nèi)計算給MRAM提供了新的思路，過去MRAM磁阻內(nèi)存很難用于存內(nèi)計算，因為MRAM在標準的存內(nèi)計算架構(gòu)中無法發(fā)揮低功耗優(yōu)勢。
三星公司成功開發(fā)出新的MRAM陣列,通過新型“電阻”和計算架構(gòu),替換當前采用的架構(gòu)。
MRAM有20多年的發(fā)展歷史，但是由于其電阻特性，商用之路極其緩慢，本次三星與哈佛大學的新研究可能解決了這一障礙，MRAM從此更近一步。
2003年，IBM和英飛凌將磁存儲器元件集成到高性能邏輯基中，開發(fā)出當時 “最先進的MRAM”。
VP系列提供 10、16、25 和 35V至 10,000 μF參數(shù)，以及從10×12.5mm至18×40mm各種尺寸。這些電容器具有RoHS 合規(guī)性和“無鹵素”屬性。
在高溫下提供更低電阻：VP系列電容器在-40°C至+135°C溫度范圍內(nèi)具有出色的高可靠性，并且在高壓和高溫下的電容變化率較低，因此具有特別高的電氣可靠性和較長的使用壽命。
uClamp 0511T和uClamp 1211T手機保護器件具有低高度、低漏電和低電容，在便攜應(yīng)用中，該器件設(shè)計取代了多層變阻器(MLV)。
雙向uClamx11T器件采用2引腳SLP1006P2T 1.0x0.6x0.4-mm封裝。
該系列在125度額定溫度時，電容范圍為470 nf~35nf，額定電壓為25~1,000 V，150度時和更高溫度時將比正常電容額定值略低一些。
VP系列還符合AEC-Q200標準,非常適合用于再生制動系統(tǒng),電動汽車的電源和LED應(yīng)用。
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