IBM和日本TDK合作開發(fā)新一代MRAM，使用自旋扭矩轉(zhuǎn)換(spin-torque-transfer , STT)的新型技術(shù)，利用放大的隧道效應(yīng)，使得磁致電阻的變化提升一倍。

在一枚郵票大小的芯片上做出了1GB內(nèi)存，業(yè)界意識(shí)MRAM在達(dá)到DRAM的記錄密度的成百上千倍同時(shí)，速度比內(nèi)存技術(shù)都要快。

在STT生產(chǎn)出28nm pMTJ之前，Everspin是唯一一家出貨商用MRAM產(chǎn)品的公司。這家成立于2008年的美國公司由飛思卡爾半導(dǎo)體牽頭成立，主營MRAM。

高度集成外設(shè)，包括高速USB2.0、I2S、UART、SPI、MMC/SD 以及GPIO，可降低系統(tǒng)成本，支持用戶友好性更強(qiáng)的便攜式特性；

高達(dá)256KB 的片上存儲(chǔ)器可通過降低對(duì)外部存儲(chǔ)器的需求節(jié)省電源與系統(tǒng)成本；

C5505在C5504 基礎(chǔ)上更進(jìn)一步，片上存儲(chǔ)器容量提高了 64KB（320KB的總?cè)萘浚?/span>

高達(dá)1024 點(diǎn)可編程 FFT 硬件加速器；

集成型 LCD 顯示控制器與10位4 通道 SAR ADC，可降低系統(tǒng)成本，實(shí)現(xiàn)更強(qiáng)的用戶互動(dòng)便攜式特性；

可擴(kuò)展性較高，而且與C5504引腳兼容，有助于采用相同的軟硬件平臺(tái)設(shè)計(jì)出完整的產(chǎn)品系列。

因此，在一定程度上，工廠/車間的傳感器所產(chǎn)生的大數(shù)據(jù)直接決定了“工業(yè)4.0”所要求的智能化設(shè)備的智能水平。

此外，從生產(chǎn)能耗角度看，設(shè)備生產(chǎn)過程中利用傳感器集中監(jiān)控所有的生產(chǎn)流程，能夠發(fā)現(xiàn)能耗的異�；蚍逯登闆r,由此能夠在生產(chǎn)過程中不斷實(shí)時(shí)優(yōu)化能源消耗。

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