MRAM已經(jīng)在通信、軍事、數(shù)碼產(chǎn)品上有了一定的應用。2008年，日本的衛(wèi)星系統(tǒng)就宣布使用了飛思卡爾的MRAM來替換其所有的閃存元件。

2018年的國際電子器件會議（IEDM）上，英特爾展示了嵌入式MRAM在邏輯芯片制造中的新技術。

嵌入式 MRAM可在200℃下保持10年的記憶期，稱之為“首款基于FinFET的MRAM技術”。2019年，英特爾宣布其MRAM已經(jīng)做好了量產(chǎn)準備，使用22nm FFL FinFET技藝，同年Everspin也宣布旗下的1G MRAM存儲芯片進入試生產(chǎn)階段。

12bit ECC具有顯著的優(yōu)勢：

整機成本比市面其他方案節(jié)省3美金以上；

容錯能力強，F(xiàn)LASH的使用壽命更長；同時，需要12bit ECC技術支持的FLASH，均采用3x納米的工藝研發(fā)而成，在同樣面積的晶圓上能生產(chǎn)出更多的FLASH顆粒，所以每顆FLASH的成本相對降低。

兼容8bit ECC的功能；

替代更方便。

這兩方面大數(shù)據(jù)信息流最終通過互聯(lián)網(wǎng)在智能設備之間傳遞，由智能設備進行分析、判斷、決策、調(diào)整、控制并繼續(xù)開展智能生產(chǎn)，生產(chǎn)出高品質(zhì)的個性化產(chǎn)品。

也是在這一年，總部位于波士頓的公司Allied Minds正式成立了STT公司，以這項技術命名，該公司開始營運。2016年9月，STT開發(fā)出OST-MRAM技術并在加利福尼亞州總部的晶圓廠制作出20nm的垂直 MRAM 磁穿隧接面（pMTJ）。

這兩款DSP不足340μW待機功耗與不足0.3mW/MHz的工作功耗,可將電池使用壽命延長超過40%。

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