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兩電平拓?fù)浯嫒娖酵負(fù)鋫?cè)邊可濕焊盤的DFN封裝

發(fā)布時(shí)間:2022/4/28 13:09:50 訪問(wèn)次數(shù):409

Nexperia率先開(kāi)發(fā)出側(cè)邊可濕焊盤的DFN封裝,現(xiàn)在可提供一系列符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的小型無(wú)引腳封裝分立式器件。

目前,已有460多種不同的大批量器件采用最近發(fā)布的DFN1412D-3、DFN1110D-3和DFN1006BD-2封裝。

小型封裝的器件,旨在為設(shè)計(jì)工程師提供更多機(jī)會(huì),幫助他們打造面向未來(lái)的設(shè)計(jì),在未來(lái)的移動(dòng)應(yīng)用中發(fā)揮作用。隨著汽車行業(yè)主要一級(jí)供應(yīng)商在設(shè)計(jì)中采用和投入,這項(xiàng)新技術(shù)已經(jīng)取得了成功。

說(shuō)明頁(yè)段名稱頁(yè)碼段提供一個(gè)功能、操作、控制和部件的說(shuō)明。

向維護(hù)人員提供足夠多的信息以了系統(tǒng)的構(gòu)造和功能位置,概述與操作故障隔離,提供一般維護(hù)工藝程序,如:飛機(jī)源、氣源、液壓源的應(yīng)用;發(fā)動(dòng)機(jī)整流罩、主起落架門的打頂起.

飛機(jī)水平測(cè)量電開(kāi)和關(guān)閉維護(hù)程序提供潤(rùn)滑、加油等勤務(wù)工作程序勤務(wù),安裝一個(gè)部件的全部必要的數(shù)據(jù)了,在一個(gè)系統(tǒng)或系統(tǒng)的一個(gè)零拆除/安裝:提供用于拆卸、解除/恢復(fù):解除程序闡述件失效的情況下,依據(jù)MMEL和CDL的要求允許放行所需要完成的工作程序。


SiC支持簡(jiǎn)單的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),能夠幫助設(shè)計(jì)人員高效完成工作,滿足了市場(chǎng)對(duì)高效功率密集型DC/DC和逆變器日益增長(zhǎng)的需求。

SiC可以用兩電平拓?fù)浯嫒娖酵負(fù),降低了參?shù)控制難度,占用的空間更小,釋放的熱量也更少。

在功率因數(shù)校正(PFC)階段硬開(kāi)關(guān)拓?fù)渲,?jiǎn)單的升壓(使用SiC二極管)和圖騰柱配置即可降低SiC的恢復(fù)損耗。若要使用Si-MOSFET達(dá)到相同的效率則需要更復(fù)雜的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和數(shù)字控制。

SiC可以在多電平拓?fù)渲信cSi結(jié)合,從而提高性價(jià)比。





Nexperia率先開(kāi)發(fā)出側(cè)邊可濕焊盤的DFN封裝,現(xiàn)在可提供一系列符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的小型無(wú)引腳封裝分立式器件。

目前,已有460多種不同的大批量器件采用最近發(fā)布的DFN1412D-3、DFN1110D-3和DFN1006BD-2封裝。

小型封裝的器件,旨在為設(shè)計(jì)工程師提供更多機(jī)會(huì),幫助他們打造面向未來(lái)的設(shè)計(jì),在未來(lái)的移動(dòng)應(yīng)用中發(fā)揮作用。隨著汽車行業(yè)主要一級(jí)供應(yīng)商在設(shè)計(jì)中采用和投入,這項(xiàng)新技術(shù)已經(jīng)取得了成功。

說(shuō)明頁(yè)段名稱頁(yè)碼段提供一個(gè)功能、操作、控制和部件的說(shuō)明。

向維護(hù)人員提供足夠多的信息以了系統(tǒng)的構(gòu)造和功能位置,概述與操作故障隔離,提供一般維護(hù)工藝程序,如:飛機(jī)源、氣源、液壓源的應(yīng)用;發(fā)動(dòng)機(jī)整流罩、主起落架門的打頂起.

飛機(jī)水平測(cè)量電開(kāi)和關(guān)閉維護(hù)程序提供潤(rùn)滑、加油等勤務(wù)工作程序勤務(wù),安裝一個(gè)部件的全部必要的數(shù)據(jù)了,在一個(gè)系統(tǒng)或系統(tǒng)的一個(gè)零拆除/安裝:提供用于拆卸、解除/恢復(fù):解除程序闡述件失效的情況下,依據(jù)MMEL和CDL的要求允許放行所需要完成的工作程序。


SiC支持簡(jiǎn)單的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),能夠幫助設(shè)計(jì)人員高效完成工作,滿足了市場(chǎng)對(duì)高效功率密集型DC/DC和逆變器日益增長(zhǎng)的需求。

SiC可以用兩電平拓?fù)浯嫒娖酵負(fù)洌档土藚?shù)控制難度,占用的空間更小,釋放的熱量也更少。

在功率因數(shù)校正(PFC)階段硬開(kāi)關(guān)拓?fù)渲校?jiǎn)單的升壓(使用SiC二極管)和圖騰柱配置即可降低SiC的恢復(fù)損耗。若要使用Si-MOSFET達(dá)到相同的效率則需要更復(fù)雜的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和數(shù)字控制。

SiC可以在多電平拓?fù)渲信cSi結(jié)合,從而提高性價(jià)比。





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