低功耗休眠模式AVR閃存微控制器大電流能夠燒穿氧化膜
發(fā)布時(shí)間:2022/5/10 17:32:49 訪問(wèn)次數(shù):680
三款最新14管腳tinyAVR(R)產(chǎn)品加入到廣泛的AVR閃存微控制器系列中。三款設(shè)備都具有管腳兼容的特點(diǎn),僅在閃存、EEPROM和靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)的存儲(chǔ)容量上有所不同。
ATtiny24的自編程閃存容量為2KB,而ATtiny44和ATtiny84則分別為4KB和8KB。這三款新設(shè)備在20MHz工作頻率下的吞吐量均可達(dá)到20MIPS(每秒百萬(wàn)指令)。
由于具備與生俱來(lái)的低功耗特點(diǎn)和三種可單獨(dú)選擇的低功耗休眠模式,ATtiny24/44/84在電池供電設(shè)備上表現(xiàn)出色。
電池充電器,傳感器終端和低端馬達(dá)控制應(yīng)用的AVR(R)閃存微控制器系列的三個(gè)新成員。
這樣瞬間的大電流能夠燒穿氧化膜,在顯微鏡下觀察,形狀類似一個(gè)個(gè)的彈坑?梢(jiàn),實(shí)際上只要100V甚至更低的電壓都能夠?qū)o電敏感元件造成損傷。
中國(guó)民航各維修車間對(duì)靜電放電現(xiàn)象都給予高度重視,對(duì)靜電敏感元件均須履行嚴(yán)格的防護(hù)操作規(guī)程。
有些電路如CMOS,是由超薄的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體覆蓋在硅芯片上制成的,只能承受幾個(gè)毫安的電流.如果施加一個(gè)500V的電壓,有百倍于設(shè)計(jì)極限那樣強(qiáng)的電流開(kāi)始流動(dòng)。
在相同的輸出功率下,該系列產(chǎn)品能提供更低的失真度。這使之成為MP3、CD 和DVD 播放機(jī)、手機(jī)、PDA、手提音箱和其他電池驅(qū)動(dòng)的手持設(shè)備的理想音頻前端。
三款最新14管腳tinyAVR(R)產(chǎn)品加入到廣泛的AVR閃存微控制器系列中。三款設(shè)備都具有管腳兼容的特點(diǎn),僅在閃存、EEPROM和靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)的存儲(chǔ)容量上有所不同。
ATtiny24的自編程閃存容量為2KB,而ATtiny44和ATtiny84則分別為4KB和8KB。這三款新設(shè)備在20MHz工作頻率下的吞吐量均可達(dá)到20MIPS(每秒百萬(wàn)指令)。
由于具備與生俱來(lái)的低功耗特點(diǎn)和三種可單獨(dú)選擇的低功耗休眠模式,ATtiny24/44/84在電池供電設(shè)備上表現(xiàn)出色。
電池充電器,傳感器終端和低端馬達(dá)控制應(yīng)用的AVR(R)閃存微控制器系列的三個(gè)新成員。
這樣瞬間的大電流能夠燒穿氧化膜,在顯微鏡下觀察,形狀類似一個(gè)個(gè)的彈坑?梢(jiàn),實(shí)際上只要100V甚至更低的電壓都能夠?qū)o電敏感元件造成損傷。
中國(guó)民航各維修車間對(duì)靜電放電現(xiàn)象都給予高度重視,對(duì)靜電敏感元件均須履行嚴(yán)格的防護(hù)操作規(guī)程。
有些電路如CMOS,是由超薄的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體覆蓋在硅芯片上制成的,只能承受幾個(gè)毫安的電流.如果施加一個(gè)500V的電壓,有百倍于設(shè)計(jì)極限那樣強(qiáng)的電流開(kāi)始流動(dòng)。
在相同的輸出功率下,該系列產(chǎn)品能提供更低的失真度。這使之成為MP3、CD 和DVD 播放機(jī)、手機(jī)、PDA、手提音箱和其他電池驅(qū)動(dòng)的手持設(shè)備的理想音頻前端。
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