VE-Trac Direct SiC是個(gè)集成的單面直接水冷 (SSDC)功率模塊，采用6組配置，導(dǎo)通電阻低至1.7 mΩ。該平臺(tái)采用了第二代SiC MOSFET技術(shù)，使性能、能效和質(zhì)量都達(dá)到新的水平，同時(shí)與上一代IGBT共享兼容的封裝尺寸。

一個(gè)集成的針翅式(pin fin)底板可直接進(jìn)行液體冷卻，并易于封裝，從而支持最大的功率輸出和更高效的散熱。

VE-Trac Direct SiC主驅(qū)功率模塊在測(cè)試中提供了最好的能效，使我們的駕駛循環(huán)(NEDC)里程比目前的硅方案延長(zhǎng)了4%。產(chǎn)品高性能和可靠性及工程和管理團(tuán)隊(duì)的出色支援，使我們信服。

這兩種器件采用TSSOP封裝，主要針對(duì)便攜式和家用電器應(yīng)用。

它們具有更低的功耗，增強(qiáng)了在苛刻感測(cè)條件下工作的能力，并且能很方便地在轉(zhuǎn)輪中心安置一個(gè)機(jī)械按鈕(QT511)，使轉(zhuǎn)輪無(wú)需反應(yīng)無(wú)意的觸摸。

兩種芯片都具有用戶(hù)可選擇睡眠時(shí)間的特性，在空閑模式時(shí)可將功耗降低至20μA。

三個(gè)通道與感測(cè)器件相連，信號(hào)被處理成128點(diǎn)的絕對(duì)位置數(shù)據(jù)，通過(guò)一個(gè)SPI串行接口輸出。QT411和QT511可以透過(guò)3mm厚的面板來(lái)感測(cè)，甚至在戴著手套的情況下也能感測(cè)。

L標(biāo)準(zhǔn)件號(hào)

|A=綠色/鎳鋁錳合金

|B=灰色/鎳鉻合金

ABS02苓9系列拼接管件號(hào)描述

并行拼接管施工以NSA936809 RG系列拼接管為例,NSA936809 RG系列類(lèi)型拼接管屬于高溫并行

拼接管,適用工作溫度為260℃,壓接裝配程序.