線束并優(yōu)化布線就近設(shè)計雙路低RDS(on)全橋遞給MCU
發(fā)布時間:2022/5/18 8:58:58 訪問次數(shù):246
智能配電盒BJB,配電盒內(nèi)部具有專用的電池組監(jiān)控器,可以測量所有的電壓和電流,并通過串行通信協(xié)議將信息傳遞給MCU。
這種智能BJB的主要優(yōu)勢是可以簡化線束并優(yōu)化布線就近設(shè)計,可以對高壓側(cè)電壓和電流進行測量,同時整個軟硬件也可進行簡化,使用同系列器件完成單體電壓采樣和高壓電流采樣,兩者的架構(gòu)和寄存器也非常相似,并且可以同步電池組電壓和電流測量,減低SOC測算難度。
晶體振蕩器頻率由晶體決定,但可以借助施加到輸入端的外部控制電壓進行調(diào)節(jié)或調(diào)諧。這種類型的XO(晶體振蕩器)通常用于IC時鐘發(fā)生器。
powerSTEP01是集成了8個N溝16 mΩ MOSFET的系統(tǒng)級封裝,用于具有高達85V SPI可編程控制器的步進應(yīng)用,通過速度曲線產(chǎn)生和位置計算提供全數(shù)字控制的運動.
嵌入非耗散(non-dissipative)過流保護的雙路低RDS(on)全橋.器件能工作在電壓模式驅(qū)動和適合不同應(yīng)用需求的先進電流控制.數(shù)字控制核能產(chǎn)生具有加速,減速或加速的由用戶定義的運動曲線,或通過專用寄存器組的容易編程的目標位置.
工作電壓7.5V到85V,最大輸出電流10A RMS,可調(diào)輸出轉(zhuǎn)換速率,多達1/128微步進,無傳感器的失速檢測.
雷達市場上,毫米波雷達技術(shù)從SiGe(鍺硅)轉(zhuǎn)型到RFCMOS,并可將仿真模擬和數(shù)字功能集成到同一芯片上,體積更小、功耗更低、帶寬更高、分辨率更好、探測距離更遠,安放位置更靈活;而77GHz毫米波雷達檢測精度更高、體積更小巧、探測距離更遠,正在逐步取代24GHz傳感器。
4D雷達成本僅為激光雷達的1/10,具有普及推廣的成本優(yōu)勢,4D成像毫米波雷達的搭載量或突破100萬顆,4D成像毫米波雷達目前還處于起步階段,未來若要實現(xiàn)對激光雷達的完全替代,解決自動駕駛成本高、量產(chǎn)難的問題,仍需不斷進行技術(shù)迭代。
智能配電盒BJB,配電盒內(nèi)部具有專用的電池組監(jiān)控器,可以測量所有的電壓和電流,并通過串行通信協(xié)議將信息傳遞給MCU。
這種智能BJB的主要優(yōu)勢是可以簡化線束并優(yōu)化布線就近設(shè)計,可以對高壓側(cè)電壓和電流進行測量,同時整個軟硬件也可進行簡化,使用同系列器件完成單體電壓采樣和高壓電流采樣,兩者的架構(gòu)和寄存器也非常相似,并且可以同步電池組電壓和電流測量,減低SOC測算難度。
晶體振蕩器頻率由晶體決定,但可以借助施加到輸入端的外部控制電壓進行調(diào)節(jié)或調(diào)諧。這種類型的XO(晶體振蕩器)通常用于IC時鐘發(fā)生器。
powerSTEP01是集成了8個N溝16 mΩ MOSFET的系統(tǒng)級封裝,用于具有高達85V SPI可編程控制器的步進應(yīng)用,通過速度曲線產(chǎn)生和位置計算提供全數(shù)字控制的運動.
嵌入非耗散(non-dissipative)過流保護的雙路低RDS(on)全橋.器件能工作在電壓模式驅(qū)動和適合不同應(yīng)用需求的先進電流控制.數(shù)字控制核能產(chǎn)生具有加速,減速或加速的由用戶定義的運動曲線,或通過專用寄存器組的容易編程的目標位置.
工作電壓7.5V到85V,最大輸出電流10A RMS,可調(diào)輸出轉(zhuǎn)換速率,多達1/128微步進,無傳感器的失速檢測.
雷達市場上,毫米波雷達技術(shù)從SiGe(鍺硅)轉(zhuǎn)型到RFCMOS,并可將仿真模擬和數(shù)字功能集成到同一芯片上,體積更小、功耗更低、帶寬更高、分辨率更好、探測距離更遠,安放位置更靈活;而77GHz毫米波雷達檢測精度更高、體積更小巧、探測距離更遠,正在逐步取代24GHz傳感器。
4D雷達成本僅為激光雷達的1/10,具有普及推廣的成本優(yōu)勢,4D成像毫米波雷達的搭載量或突破100萬顆,4D成像毫米波雷達目前還處于起步階段,未來若要實現(xiàn)對激光雷達的完全替代,解決自動駕駛成本高、量產(chǎn)難的問題,仍需不斷進行技術(shù)迭代。
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