RKT101xxxMU m-Chip*1引入線(xiàn)*2。這是一種安裝在RFID（射頻識(shí)別）IC上的m-Chip，其全球最薄的85微米厚度有助于改善RFID標(biāo)簽的平坦度。

RKT101xxxMU是RKT101系列（已經(jīng)生產(chǎn)）的一個(gè)新成員。與HKT100系列m-Chip引入線(xiàn)相比，該器件可以將通信距離擴(kuò)展1.5倍。

最薄的85微米或以下的厚度，85微米或以下的引入線(xiàn)最大厚度可以使RFID集成電路芯片更加纖巧，同時(shí)開(kāi)發(fā)了一種可最大限度地減少外部通信天線(xiàn)厚度的技術(shù)。

當(dāng)在塑料或紙卡中植入引入線(xiàn)，或者將其附加于各種類(lèi)型的標(biāo)簽或貼紙標(biāo)簽上時(shí)，可以有效地減少由于引入線(xiàn)引起的凸起，使引入線(xiàn)可用于更加纖巧的媒介。

繼電器安裝面BACS16Wl和BACS16W5(28V DC)，送線(xiàn)面繼電器安裝面。000300-1560和BACs16W繼電器座插孔結(jié)構(gòu)，BACS16W和BACS16X繼電器座的插孔。

STP65N045M9的柵極閾壓(VGS(th))典型值為3.7V，STP60N043DM9 的典型值為4.0V，與上一代的MDmesh M5和M6/DM6相比，可極大程度地降低通斷開(kāi)關(guān)損耗。

MDmesh M9和DM9系列的反向恢復(fù)電荷(Qrr)和反向恢復(fù)時(shí)間(trr)也都非常低，這有助于進(jìn)一步提高能效和開(kāi)關(guān)性能。