外部電源管理芯片輸入電壓都施加到諧振電感Lr的兩端
發(fā)布時(shí)間:2022/5/22 23:14:09 訪問(wèn)次數(shù):194
USB Type-C的實(shí)現(xiàn)還會(huì)有系統(tǒng)方面的影響。例如,倘若SoC打算支持功率輸出方面的功能,設(shè)計(jì)者可以選擇使用一種滿足所有相關(guān)安全條件的外部電源管理芯片。將分割功率輸出和配置通道邏輯,也許在物理層和一塊單獨(dú)的電源管理芯片,或主系統(tǒng)CPU甚至一個(gè)專(zhuān)用的外部微控制器之間分割。
Synopsys 全面的USB控制器和物理層IP產(chǎn)品組合,已經(jīng)被3000多項(xiàng)USB設(shè)計(jì)成功采用,并且已經(jīng)通過(guò)約30億只已發(fā)貨的器件加以驗(yàn)證。
這就是深入而直接的設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn),使我們能夠開(kāi)發(fā)特別為與Type-C連接器共同使用而優(yōu)化的USB 3.1物理層IP,以及為了實(shí)現(xiàn)Type-C功能所必需的支持工具和驗(yàn)證環(huán)境——這使得設(shè)計(jì)者的工作更加簡(jiǎn)便。
硬殼型耳塞不會(huì)在耳朵周?chē)纬商嗟拿芊馊,所有它們的低音響?yīng)會(huì)有點(diǎn)弱,被動(dòng)降噪的效果也不會(huì)那么好。但是硬殼型耳塞可以穩(wěn)定的呆在耳朵內(nèi)。
大多數(shù)無(wú)線耳塞式耳機(jī)都有軟膠耳塞,因?yàn)樗鼈兪侵鲃?dòng)降噪的必要工具。通過(guò)在耳朵周?chē)纬擅芊馊,可以讓音質(zhì)聽(tīng)起來(lái)更清晰。軟膠耳塞的缺點(diǎn)是,它們不能穩(wěn)定呆在耳朵中,有時(shí)可能會(huì)彈出。為了解決這個(gè)問(wèn)題,軟膠耳塞一般都多種尺寸,需要從中找到適合你耳朵的耳塞。
由于MOSFET Q1處于導(dǎo)通狀態(tài),諧振電感電流流過(guò)MOSFET Q1溝道。當(dāng)Ir開(kāi)始上升時(shí),次級(jí)二極管D1導(dǎo)通,諧振電感電流Ir的上升斜率。因?yàn)閱?dòng)時(shí)vc(t)和vo(t)為零,所有的 輸入電壓都施加到諧振電感Lr的兩端。這使得諧振電流劇增。
在t1~ t 2時(shí)段,MOSFET Q1門(mén)極驅(qū)動(dòng)信號(hào)關(guān)斷,諧振電感 電流開(kāi)始流經(jīng)MOSFET Q2的體二極管,為MOSFET Q2產(chǎn)生ZVS條件。這種模式下應(yīng)該給MOSFET Q2施門(mén)極信號(hào)。
由于諧振電流的劇增,MOSFET Q2體二極管中的電流比正常工作狀況下大很多。
USB Type-C的實(shí)現(xiàn)還會(huì)有系統(tǒng)方面的影響。例如,倘若SoC打算支持功率輸出方面的功能,設(shè)計(jì)者可以選擇使用一種滿足所有相關(guān)安全條件的外部電源管理芯片。將分割功率輸出和配置通道邏輯,也許在物理層和一塊單獨(dú)的電源管理芯片,或主系統(tǒng)CPU甚至一個(gè)專(zhuān)用的外部微控制器之間分割。
Synopsys 全面的USB控制器和物理層IP產(chǎn)品組合,已經(jīng)被3000多項(xiàng)USB設(shè)計(jì)成功采用,并且已經(jīng)通過(guò)約30億只已發(fā)貨的器件加以驗(yàn)證。
這就是深入而直接的設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn),使我們能夠開(kāi)發(fā)特別為與Type-C連接器共同使用而優(yōu)化的USB 3.1物理層IP,以及為了實(shí)現(xiàn)Type-C功能所必需的支持工具和驗(yàn)證環(huán)境——這使得設(shè)計(jì)者的工作更加簡(jiǎn)便。
硬殼型耳塞不會(huì)在耳朵周?chē)纬商嗟拿芊馊,所有它們的低音響?yīng)會(huì)有點(diǎn)弱,被動(dòng)降噪的效果也不會(huì)那么好。但是硬殼型耳塞可以穩(wěn)定的呆在耳朵內(nèi)。
大多數(shù)無(wú)線耳塞式耳機(jī)都有軟膠耳塞,因?yàn)樗鼈兪侵鲃?dòng)降噪的必要工具。通過(guò)在耳朵周?chē)纬擅芊馊,可以讓音質(zhì)聽(tīng)起來(lái)更清晰。軟膠耳塞的缺點(diǎn)是,它們不能穩(wěn)定呆在耳朵中,有時(shí)可能會(huì)彈出。為了解決這個(gè)問(wèn)題,軟膠耳塞一般都多種尺寸,需要從中找到適合你耳朵的耳塞。
由于MOSFET Q1處于導(dǎo)通狀態(tài),諧振電感電流流過(guò)MOSFET Q1溝道。當(dāng)Ir開(kāi)始上升時(shí),次級(jí)二極管D1導(dǎo)通,諧振電感電流Ir的上升斜率。因?yàn)閱?dòng)時(shí)vc(t)和vo(t)為零,所有的 輸入電壓都施加到諧振電感Lr的兩端。這使得諧振電流劇增。
在t1~ t 2時(shí)段,MOSFET Q1門(mén)極驅(qū)動(dòng)信號(hào)關(guān)斷,諧振電感 電流開(kāi)始流經(jīng)MOSFET Q2的體二極管,為MOSFET Q2產(chǎn)生ZVS條件。這種模式下應(yīng)該給MOSFET Q2施門(mén)極信號(hào)。
由于諧振電流的劇增,MOSFET Q2體二極管中的電流比正常工作狀況下大很多。
熱門(mén)點(diǎn)擊
- 誤差范圍可能高達(dá)數(shù)公里Cell-ID過(guò)壓保護(hù)
- 單個(gè)接線片和普通螺帽申個(gè)接線片和白鎖螺帽
- 小功率整流橋采用封裝形式需要高功率密度和低噪
- 嵌入式保險(xiǎn)絲和加熱器元件高溫度引起的寄生BJ
- 20V至30V正向電壓的緊湊型低成本驅(qū)動(dòng)器模
- 新型全橋柵極驅(qū)動(dòng)器保護(hù)密鑰存儲(chǔ)功能關(guān)鍵功能向
- 變壓器和諧振電容Cr決定的大值和小值之間變動(dòng)
- 50V的絕對(duì)最大電源電壓和端電壓很容易通過(guò)電
- 鍵盤(pán)背光和狀態(tài)指示燈避免了高頻電氣噪聲
- 外部電源管理芯片輸入電壓都施加到諧振電感Lr
推薦技術(shù)資料
- CV/CC InnoSwitch3-AQ 開(kāi)
- URF1DxxM-60WR3系
- 1-6W URA24xxN-x
- 閉環(huán)磁通門(mén)信號(hào)調(diào)節(jié)芯片NSDRV401
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