SPI接口4Kb非易失性存儲器，提升了F-RAM技術(shù)的高速寫入能力。

這款Grade 1 FRAM器件是同等EEPROM產(chǎn)品的直接硬件替代產(chǎn)品，但功能更強，具有高速的寫入能力、幾乎無限次的擦寫，以及低工作電流。FM25L04-GA可以在高達10MHz的總線速度下進行讀寫操作，并具有先進的寫保護方案以防止意外的寫入與數(shù)據(jù)損壞。

在+125℃時保證數(shù)據(jù)保存9,000小時，在55℃時數(shù)據(jù)在汽車溫度范圍內(nèi)并以3.0V電壓運行。該產(chǎn)品采用“綠色”環(huán)保的8腳SOIC封裝。

現(xiàn)在的剎車作動筒采用高強度不銹鋼薄壁結(jié)構(gòu),由于不銹鋼導(dǎo)熱能力低,加之簡壁很薄,傳導(dǎo)熱量很少,就不必采用對人體有害的石棉隔熱塊了。

卡環(huán)回程彈簧調(diào)節(jié)桿螺母調(diào)節(jié)管壓力盤調(diào)節(jié)球,調(diào)節(jié)管式問隙自動調(diào)節(jié)器,剎車裝置更換新剎車片后,必須調(diào)整剎車間隙自動調(diào)節(jié)器,否則剎車間隙將過小.

保持復(fù)位彈簧潤滑,防止因彈簧卡滯造成壓力盤回程不一致,壓力盤回程不一致將導(dǎo)致摩擦片偏磨,降低剎車效率和剎車裝置使用壽命。另外,對于摩擦式間隙自動調(diào)整器,摩擦套的摩擦力應(yīng)保持在合適的范圍內(nèi)(F摩擦=2~3F帷)墊片.

由于返回電路的電路或電纜的寄生電感，當(dāng)內(nèi)部MOSFET開關(guān)在電流流動期間關(guān)閉時，輸入電壓會急漲至標(biāo)稱工作電壓以上。D1保護LTC4381 VCC引腳的80 V絕對最大額定值，而D2保護內(nèi)部100V MOSFET不受雪崩影響。

D1也將輸出鉗位電壓設(shè)置到66.5V (56V+10.5V)，以防不使用D2。R1和C1過濾VIN升高和下降。如果有電容接近LTC4381限制電壓尖峰，低于80V，則VCC引腳可以直接連接至VIN。在這種情況下，可以取消使用D1、D2、R1和C1。

10A流過內(nèi)部MOSFET時，LTC4381的初始壓降為90mV，功耗為900mW,功耗會使DC2713A-D評估板上的LTC4381封裝的溫度升高到約100°C，達到RDS(ON)的兩倍，且使壓降升高到180mV。