+125℃汽車F-RAM存儲器產(chǎn)品線陣容，F(xiàn)M25L04-GA這款3V、4Kb并具有串行外設(shè)接口(SPI)的F-RAM器件現(xiàn)符合Grade 1 AEC-Q100的規(guī)范要求，可在-40℃至+125℃的汽車工作溫度范圍內(nèi)工作，并確保在極端溫度條件下保存數(shù)據(jù)達9,000小時。

FM25L04-GA現(xiàn)已用于需要F-RAM經(jīng)常及快速地保存數(shù)據(jù)的先進動力傳動系統(tǒng)中，使變速度箱能夠連續(xù)適應(yīng)不斷變化的駕駛者行為和路面狀況。

F-RAM的No Delay™(無延遲)寫入、幾乎無限次的讀寫以及高速的SPI接口，為其帶來獨特的優(yōu)勢，能夠在這及其它先進汽車應(yīng)用中以最大的總線速度可靠地寫入數(shù)據(jù)。

在輸出過載或短路期間，當(dāng)RSNS壓降超過50mV電流限值閾值時，TMR引腳電容電壓開始從0V上升，內(nèi)部MOSFET在TMR電壓達到1.215V時關(guān)閉。4mΩ RSNS將典型過流閾值設(shè)置為12.5A(50mV/4mΩ)，最小閾值設(shè)置為11.25A (45mV/4mΩ)，為10A負載電流提供足夠余量。

MB85R2001的配置是256K字x8位；MB85R2002的配置是128K字x16位。這兩種類型的讀訪問周期均為100納秒(ns),讀/寫周期為150ns,操作電壓為3-3.6V。

當(dāng)飛機剎車時,產(chǎn)生的摩擦熱能將由作動筒體傳導(dǎo)到剎車系統(tǒng)的油液中,導(dǎo)致油溫過高,油液變質(zhì)。為防止這種情況發(fā)生,在作動筒頂部加裝石棉隔熱塊阻止熱量的傳導(dǎo)。

間隙自動調(diào)整器剎車間隙大小直接影響剎車性能:間隙過大,剎車不靈敏,即剎車反應(yīng)遲鈍;間隙過小,松剎車不靈,嚴(yán)重時可導(dǎo)致剎車動盤,靜盤咬合,防滯系統(tǒng)失效,損壞剎車裝置。

剎車間隙自動調(diào)整器可隨剎車盤磨損量的增大自動調(diào)節(jié)剎車間隙,常見的間隙自動調(diào)整器有調(diào)節(jié)管式和摩擦式兩大類,為調(diào)節(jié)管式間隙調(diào)整器的具體構(gòu)造。