MirrorBit閃存器件設(shè)計(jì)成能進(jìn)行編程/擦除最少達(dá)到10萬(wàn)次
發(fā)布時(shí)間:2022/7/21 13:17:37 訪問(wèn)次數(shù):84
MirrorBit技術(shù)制造的64M位閃存器件能有標(biāo)準(zhǔn)閃存兩倍的容量而不犧牲它的耐用性,性能或可靠性。
MirrorBit結(jié)構(gòu)采用真正多位式閃存單元,它有和標(biāo)準(zhǔn)的NOR閃存一樣的高性能和可靠性。NOR閃存經(jīng)常用來(lái)存儲(chǔ)和運(yùn)行幾種電子設(shè)備操作系統(tǒng)(OS)軟件。MirrorBit技術(shù)能降低超高容量NOR閃存器件的生產(chǎn)成本。這種存儲(chǔ)器允許客戶開(kāi)發(fā)先進(jìn)的產(chǎn)品如手機(jī),PDA,汽車PC,通信設(shè)備和機(jī)頂盒。
在AMD的MirrorBit單元,代碼和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在兩種分立的和獨(dú)立的位置。通過(guò)物理上隔離每一位,保持它的單獨(dú)和完整性。它的產(chǎn)品比通常的多級(jí)單元(MCL)器件更穩(wěn)定和更可靠。MirrorBit閃存器件設(shè)計(jì)成能進(jìn)行編程/擦除最少能達(dá)到10萬(wàn)次,在125°C時(shí)數(shù)據(jù)能保留20年。
超薄型LCD模塊滿足最佳顯示分辨率和性能,支持視圖,互聯(lián)網(wǎng),游戲的先進(jìn)多媒體功能,而不會(huì)縮短電池壽命或降低器件的性能。這種模塊還能使OEM開(kāi)發(fā)出更薄更輕的移動(dòng)設(shè)備,從而能有更多的空間來(lái)增加功能。
3.5英吋QVGA TFT模塊由于采用反射屏結(jié)構(gòu)而能提供更好的亮度,對(duì)比度和色彩飽和度,這種解決方案包括反射式色彩調(diào)整技術(shù),它能增加亮度和色彩飽和度而不增加功耗。
顯示器允許在器件內(nèi)增加功能,如無(wú)線技術(shù)平臺(tái)。模塊也完全和標(biāo)準(zhǔn)的圖形控制器芯片兼容,具有先進(jìn)的圖形處理能力,很容易實(shí)現(xiàn)即插即用的功能。它還支持很多操作系統(tǒng)。
金屬膜電阻器的實(shí)物外形,金屬氧化膜電阻器就是將錫和銻的金屬鹽溶液經(jīng)過(guò)高溫噴霧沉積在陶瓷骨架上制成的,這種電阻器比金屬膜電阻器更為優(yōu)越,具有抗氧化、耐酸、抗高溫等特點(diǎn)。
合成碳膜電阻器是將碳黑、填料還有一些有機(jī)黏合劑調(diào)配成懸浮液,噴涂在絕緣骨架上,再進(jìn)行加熱聚合而成的,合成碳膜電阻器是一種高壓、高阻的電阻器,通常它的外層被玻璃殼封死。
MirrorBit技術(shù)制造的64M位閃存器件能有標(biāo)準(zhǔn)閃存兩倍的容量而不犧牲它的耐用性,性能或可靠性。
MirrorBit結(jié)構(gòu)采用真正多位式閃存單元,它有和標(biāo)準(zhǔn)的NOR閃存一樣的高性能和可靠性。NOR閃存經(jīng)常用來(lái)存儲(chǔ)和運(yùn)行幾種電子設(shè)備操作系統(tǒng)(OS)軟件。MirrorBit技術(shù)能降低超高容量NOR閃存器件的生產(chǎn)成本。這種存儲(chǔ)器允許客戶開(kāi)發(fā)先進(jìn)的產(chǎn)品如手機(jī),PDA,汽車PC,通信設(shè)備和機(jī)頂盒。
在AMD的MirrorBit單元,代碼和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在兩種分立的和獨(dú)立的位置。通過(guò)物理上隔離每一位,保持它的單獨(dú)和完整性。它的產(chǎn)品比通常的多級(jí)單元(MCL)器件更穩(wěn)定和更可靠。MirrorBit閃存器件設(shè)計(jì)成能進(jìn)行編程/擦除最少能達(dá)到10萬(wàn)次,在125°C時(shí)數(shù)據(jù)能保留20年。
超薄型LCD模塊滿足最佳顯示分辨率和性能,支持視圖,互聯(lián)網(wǎng),游戲的先進(jìn)多媒體功能,而不會(huì)縮短電池壽命或降低器件的性能。這種模塊還能使OEM開(kāi)發(fā)出更薄更輕的移動(dòng)設(shè)備,從而能有更多的空間來(lái)增加功能。
3.5英吋QVGA TFT模塊由于采用反射屏結(jié)構(gòu)而能提供更好的亮度,對(duì)比度和色彩飽和度,這種解決方案包括反射式色彩調(diào)整技術(shù),它能增加亮度和色彩飽和度而不增加功耗。
顯示器允許在器件內(nèi)增加功能,如無(wú)線技術(shù)平臺(tái)。模塊也完全和標(biāo)準(zhǔn)的圖形控制器芯片兼容,具有先進(jìn)的圖形處理能力,很容易實(shí)現(xiàn)即插即用的功能。它還支持很多操作系統(tǒng)。
金屬膜電阻器的實(shí)物外形,金屬氧化膜電阻器就是將錫和銻的金屬鹽溶液經(jīng)過(guò)高溫噴霧沉積在陶瓷骨架上制成的,這種電阻器比金屬膜電阻器更為優(yōu)越,具有抗氧化、耐酸、抗高溫等特點(diǎn)。
合成碳膜電阻器是將碳黑、填料還有一些有機(jī)黏合劑調(diào)配成懸浮液,噴涂在絕緣骨架上,再進(jìn)行加熱聚合而成的,合成碳膜電阻器是一種高壓、高阻的電阻器,通常它的外層被玻璃殼封死。
熱門(mén)點(diǎn)擊
- 芯片的模擬前端(AFE)利用差分架構(gòu)和多種掃
- 電解電容器外殼上明顯標(biāo)注有負(fù)極性引腳標(biāo)識(shí)及頻
- 振蕩電路和選頻電路對(duì)電感器線圈具有品質(zhì)因數(shù)要
- 寬64bit深度16384一個(gè)雙端口RAM用
- 雙Cortex-M4處理器體二極管的VF_H
- 數(shù)字PDM輸出MEMS及邏輯電路標(biāo)準(zhǔn)CMOS
- 全音頻頻帶低漏電和高電源抑制比與電池連接揚(yáng)聲
- 深度放電用放電設(shè)各將電瓶支持高達(dá)200mA的
- 200mV高邊電流檢測(cè)極大地降低外部檢流電阻
- ADC與觸摸屏控制器對(duì)交流呈現(xiàn)的阻抗與信號(hào)頻
推薦技術(shù)資料
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