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正極模式超級(jí)扭曲向列(STN)液體能提供大的視角

發(fā)布時(shí)間:2022/7/21 18:53:43 訪問次數(shù):88

一種堅(jiān)固的兩行16個(gè)字，陽光下可讀的玻璃上芯片液晶顯示器(LCD)，其型號(hào)為DV3002。

能夠經(jīng)受住-20°C到70°C的極端溫度和高濕度，DV3002適用在用電池工作的設(shè)備，它的重量和環(huán)境都是嚴(yán)格要求的，例如過程控制設(shè)備，移動(dòng)數(shù)據(jù)采集設(shè)備和手提儀表。LCD的平均故障間隔時(shí)間(MTBF)超過10萬小時(shí)，在5V時(shí)消耗50uA的電流。

DV3002的尺寸為69.5X20.05mm，高度為2.85mm,有效顯示面積為61X15.1mm，給設(shè)計(jì)者在小封裝中提供大的顯示面積。它的正極模式超級(jí)扭曲向列(STN)液體能提供大的視角和改善在陽光下的可讀性。

內(nèi)置LCD控制器有字符產(chǎn)生器，提供225種5x7阿拉伯?dāng)?shù)字式樣和符號(hào)，以減少編程工作量。

光敏電阻器一般沒有任何標(biāo)識(shí),實(shí)際檢測(cè)時(shí),可根據(jù)設(shè)計(jì)應(yīng)用中所在電路的圖紙資料了解標(biāo)稱阻值,或直接根據(jù)光照變化時(shí)阻值的變化情況判斷性能好壞。在正常情況下,光敏電阻器應(yīng)有一個(gè)固定阻值,所在環(huán)境光線變化時(shí),阻值隨之變化,否則多為光敏電阻器異常。

濕敏電阻器的檢測(cè)方法與熱敏電阻器的檢測(cè)方法相似,不同的是在測(cè)過改變濕度條件,用萬用表檢測(cè)濕敏電阻器的阻值變化情況判斷好壞。

電路中待測(cè)濕敏電阻器,在正常狀態(tài)下,濕敏電阻器的高阻抗使電路處于待機(jī)狀態(tài),此時(shí)V1截止,V2導(dǎo)通。

Si4860DY是為低端和高端工作而設(shè)計(jì)的.在4.5V柵驅(qū)動(dòng)時(shí)導(dǎo)通電阻11m歐姆，使得該器件在低端工作時(shí)導(dǎo)通損耗低.作為高端MOSFET，Si4860DY降低了開關(guān)損耗，導(dǎo)致更高效率的控制.

開態(tài)延遲時(shí)間為18ns,低柵極電荷典型值為12nC，這就是說，比能處理10到25A輸出電流的同類產(chǎn)品低27%.因此當(dāng)用在高端和低端時(shí)，Si4860DY的導(dǎo)通電阻和柵極電荷的乘積要比同類產(chǎn)出產(chǎn)品低大約22%.

低柵源柵漏電荷比0.57，0.7和0.8以及1 到1.4 歐姆低柵極電阻，防止了高斷和低端的MOSFET在導(dǎo)通時(shí)的擊穿，引起輸入電壓對(duì)地的短路.這種防擊穿保護(hù)使設(shè)計(jì)者采用不昂貴的MOSFET驅(qū)動(dòng)器以減少元件的成本.



一種堅(jiān)固的兩行16個(gè)字，陽光下可讀的玻璃上芯片液晶顯示器(LCD)，其型號(hào)為DV3002。

能夠經(jīng)受住-20°C到70°C的極端溫度和高濕度，DV3002適用在用電池工作的設(shè)備，它的重量和環(huán)境都是嚴(yán)格要求的，例如過程控制設(shè)備，移動(dòng)數(shù)據(jù)采集設(shè)備和手提儀表。LCD的平均故障間隔時(shí)間(MTBF)超過10萬小時(shí)，在5V時(shí)消耗50uA的電流。

DV3002的尺寸為69.5X20.05mm，高度為2.85mm,有效顯示面積為61X15.1mm，給設(shè)計(jì)者在小封裝中提供大的顯示面積。它的正極模式超級(jí)扭曲向列(STN)液體能提供大的視角和改善在陽光下的可讀性。

內(nèi)置LCD控制器有字符產(chǎn)生器，提供225種5x7阿拉伯?dāng)?shù)字式樣和符號(hào)，以減少編程工作量。

光敏電阻器一般沒有任何標(biāo)識(shí),實(shí)際檢測(cè)時(shí),可根據(jù)設(shè)計(jì)應(yīng)用中所在電路的圖紙資料了解標(biāo)稱阻值,或直接根據(jù)光照變化時(shí)阻值的變化情況判斷性能好壞。在正常情況下,光敏電阻器應(yīng)有一個(gè)固定阻值,所在環(huán)境光線變化時(shí),阻值隨之變化,否則多為光敏電阻器異常。

濕敏電阻器的檢測(cè)方法與熱敏電阻器的檢測(cè)方法相似,不同的是在測(cè)過改變濕度條件,用萬用表檢測(cè)濕敏電阻器的阻值變化情況判斷好壞。

電路中待測(cè)濕敏電阻器,在正常狀態(tài)下,濕敏電阻器的高阻抗使電路處于待機(jī)狀態(tài),此時(shí)V1截止,V2導(dǎo)通。

Si4860DY是為低端和高端工作而設(shè)計(jì)的.在4.5V柵驅(qū)動(dòng)時(shí)導(dǎo)通電阻11m歐姆，使得該器件在低端工作時(shí)導(dǎo)通損耗低.作為高端MOSFET，Si4860DY降低了開關(guān)損耗，導(dǎo)致更高效率的控制.

開態(tài)延遲時(shí)間為18ns,低柵極電荷典型值為12nC，這就是說，比能處理10到25A輸出電流的同類產(chǎn)品低27%.因此當(dāng)用在高端和低端時(shí)，Si4860DY的導(dǎo)通電阻和柵極電荷的乘積要比同類產(chǎn)出產(chǎn)品低大約22%.

低柵源柵漏電荷比0.57，0.7和0.8以及1 到1.4 歐姆低柵極電阻，防止了高斷和低端的MOSFET在導(dǎo)通時(shí)的擊穿，引起輸入電壓對(duì)地的短路.這種防擊穿保護(hù)使設(shè)計(jì)者采用不昂貴的MOSFET驅(qū)動(dòng)器以減少元件的成本.



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