SC801包括有一個(gè)控制器以及熱保護(hù)的功率MOSFET，反向阻斷的二極管和敏感電阻，這都封裝在1.0毫米高，4X4毫米的微型引線封裝(MLP)。這種封裝的熱阻為50C/W，其銅熱沉直接和PCB接觸,使用小輸入和輸出電容更進(jìn)一步減小空間。

SC801的快速?zèng)_電電流達(dá)到1.5A。但是，為了避免電池完全放電而引起的過熱問題，芯片能自動(dòng)調(diào)用預(yù)沖電模式，當(dāng)電池電壓低于2.8V，它把沖電電流限制在10mA和125mA之間。只有電池電壓達(dá)到2.8V門限時(shí)才會(huì)轉(zhuǎn)換到快速?zèng)_電模式。

貼片電感器體積較小,與其他元器件間距也較小,為確保檢測(cè)準(zhǔn)確,可在萬用表的紅、黑表筆的筆端綁扎大頭針后再測(cè)量。有些貼片電感器的表面標(biāo)識(shí)電感量等參數(shù),也可采用萬用表檢測(cè)電感量的方法判斷電感器有無失效、損壞等情況。

微調(diào)電感器一般采用萬用表檢測(cè)內(nèi)部電感線圈直流電阻值的方法判斷性能狀態(tài),即用萬用表的電阻擋檢測(cè)內(nèi)部電感線圈的阻值。

微調(diào)電感器的檢測(cè)方法,在正常情況下,微調(diào)電感器內(nèi)部電感線圍的阻值較小,接近于0。這種測(cè)量方法是檢查線圈是否有短路或斷路的情況。在正常情況下,微調(diào)電感器線圈之間均有固定阻值,若檢測(cè)的阻值趨于無窮大,則說明徼調(diào)電感器已損壞。

門限電壓調(diào)制圖像傳感器(VMIS)的下一代圖像器件。

VMIS的設(shè)計(jì)是要把光檢測(cè)器件中的光電電荷以最大的效率轉(zhuǎn)變成電子電荷。

這種設(shè)計(jì)使得圖像質(zhì)量和CCD器件相似而用CMOS工藝來實(shí)現(xiàn)。這就降低了功耗和電壓。傳感器的結(jié)構(gòu)也允許集成到LSI器件中去。

VMIS提供5-10百萬相素的照片質(zhì)量，適用于外科手術(shù)照相機(jī)和其它醫(yī)療設(shè)備，保安系統(tǒng)和大量的消費(fèi)類電子設(shè)備如網(wǎng)絡(luò)照相機(jī)，數(shù)碼照相機(jī)和手提可視電話。Innotech同時(shí)還宣布要增設(shè)LSI和其它產(chǎn)品的部長(zhǎng)職位，以擴(kuò)充它的核心業(yè)務(wù)。