大功率LED OSLUX NCP5680與鋰離子電池26個中斷源
發(fā)布時間:2022/7/9 22:51:40 訪問次數(shù):246
NCP5680結(jié)合最新纖薄棱形超級電容,例如由CAP-XX提供及村田制作所授權的電容電壓為5.5V時電容達0.9F,以及Osram提供的大功率LED OSLUX NCP5680與鋰離子電池相輔相成,為閃光照明提供達10A的大峰值電流,并為與CAP-XX開發(fā)的BriteFlash電源架構(gòu)一起使用而優(yōu)化。
完全可編程控制的超級電容充電及放電和獨特的過載保護,確保為高質(zhì)量的攝影提供恰當?shù)墓狻?/span>
TMP89FS28LFG處理高達26個中斷源,提供各種連接選項包括SIO,UART,I2C和SEI 接口。
電源電壓在6MHz工作時為3.2V~3.6V,在4.2MHz工作時為2.7V~3.6V,在2MHz工作時為2.2V~3.6V。內(nèi)置的低頻率(32.768kHz)時鐘振蕩器支持各種低功率模式包括停止、緩慢、閑置和睡眠模式。閑置和睡眠模式會關閉CPU,外設操作采用高或低頻率時鐘,取決于應用要求。
TMP89FS28LFG采用176引腳LQFP封裝,尺寸為20mm x 20mm。
NCP5680這集成驅(qū)動器還能為音頻放大器等便攜系統(tǒng)中的其它大峰值電流電路供電,延長有用的電池工作時間。
在一個封裝內(nèi)集成一對不對稱功率MOSFET系列的首款產(chǎn)品 --- SiZ700DT。
該款器件的推出將有助于減少DC-DC轉(zhuǎn)換器中高邊和低邊功率MOSFET所占的空間。SiZ700DT采用6 mm×3.7mm的新型PowerPAIR封裝,在一個緊湊的器件內(nèi)同時提供了低邊和高邊MOSFET,同時保持了低導通電阻和高最大電流的特性,比使用兩個分立器件的方案節(jié)省了很多電路板空間。
這讓用戶可以根據(jù)真實的1%容差數(shù)值進行電路原理圖的計算,而不是用電阻串容差高達20%的競爭方案,而且競爭方案還會增加滑動端電阻誤差。
NCP5680結(jié)合最新纖薄棱形超級電容,例如由CAP-XX提供及村田制作所授權的電容電壓為5.5V時電容達0.9F,以及Osram提供的大功率LED OSLUX NCP5680與鋰離子電池相輔相成,為閃光照明提供達10A的大峰值電流,并為與CAP-XX開發(fā)的BriteFlash電源架構(gòu)一起使用而優(yōu)化。
完全可編程控制的超級電容充電及放電和獨特的過載保護,確保為高質(zhì)量的攝影提供恰當?shù)墓狻?/span>
TMP89FS28LFG處理高達26個中斷源,提供各種連接選項包括SIO,UART,I2C和SEI 接口。
電源電壓在6MHz工作時為3.2V~3.6V,在4.2MHz工作時為2.7V~3.6V,在2MHz工作時為2.2V~3.6V。內(nèi)置的低頻率(32.768kHz)時鐘振蕩器支持各種低功率模式包括停止、緩慢、閑置和睡眠模式。閑置和睡眠模式會關閉CPU,外設操作采用高或低頻率時鐘,取決于應用要求。
TMP89FS28LFG采用176引腳LQFP封裝,尺寸為20mm x 20mm。
NCP5680這集成驅(qū)動器還能為音頻放大器等便攜系統(tǒng)中的其它大峰值電流電路供電,延長有用的電池工作時間。
在一個封裝內(nèi)集成一對不對稱功率MOSFET系列的首款產(chǎn)品 --- SiZ700DT。
該款器件的推出將有助于減少DC-DC轉(zhuǎn)換器中高邊和低邊功率MOSFET所占的空間。SiZ700DT采用6 mm×3.7mm的新型PowerPAIR封裝,在一個緊湊的器件內(nèi)同時提供了低邊和高邊MOSFET,同時保持了低導通電阻和高最大電流的特性,比使用兩個分立器件的方案節(jié)省了很多電路板空間。
這讓用戶可以根據(jù)真實的1%容差數(shù)值進行電路原理圖的計算,而不是用電阻串容差高達20%的競爭方案,而且競爭方案還會增加滑動端電阻誤差。