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手機(jī)內(nèi)置揚(yáng)聲器或立體聲耳機(jī)輸出端口提供濾波功能

發(fā)布時間:2022/8/3 19:02:58 訪問次數(shù):151

場效應(yīng)晶體管的檢測方法,場效應(yīng)晶體管是一種常見的電壓控制器件,易被靜電擊穿損壞,原則上不能用萬用表直接檢測各引腳之問的正、反向阻值,可以在電路板上在路檢測,或根據(jù)在電路中的功能搭建相應(yīng)的電路,然后進(jìn)行檢測。

場效應(yīng)晶體管的放大能力是最基本的性能之一,一般可使用指針萬用表粗略測量場效應(yīng)晶體管是否具有放大能力。

結(jié)型場效應(yīng)晶體管放大能力的檢測方法,根據(jù)結(jié)型場效應(yīng)晶體管放大能力的檢測方法和判斷依據(jù),選取一個已知性能良好的結(jié)型場效應(yīng)晶體管,檢測方法和判斷步驟,結(jié)型場效應(yīng)晶體管放大能力的檢測示例。

濾波器EMIF02-SPK02F2僅占 0.89 x 1.26mm的面積,為手機(jī)內(nèi)置揚(yáng)聲器或立體聲耳機(jī)輸出端口提供濾波功能,或在話筒輸入端口連接一個EMIF02-SPK02F2,即可把手機(jī)和外部噪聲源(如其它手機(jī))隔離。

為各種手機(jī)和移動音頻設(shè)備提供微型濾波器外,EMIF02-SPK02F2還有助于提高筆記本和臺式機(jī)電腦、汽車音響系統(tǒng)和個人MP3播放器的音頻性能。

單片無源濾波器會比EMIF02-SPK02F2大11%,而且在GSM等標(biāo)準(zhǔn)手機(jī)通信頻率上,噪聲過濾性能比EMIF02-SPK02F2低幾倍。這些手機(jī)信號包括900MHz和1800MHz的信號,手機(jī)音頻電路會接收這些信號,產(chǎn)生人耳能夠聽到的干擾噪聲,即所謂的“TDMA”噪聲。

場效應(yīng)晶體管作為驅(qū)動放大器件的測試電路。圖中,發(fā)光二極管是被驅(qū)動器件;場效應(yīng)晶體管VF作為控制器件。場效應(yīng)晶體管D-s之間的電流受柵極G電壓的摔制。

場效應(yīng)晶體管作為驅(qū)動放大器件的測試電路,當(dāng)場效應(yīng)晶體管的柵極電壓低于8V時,場效應(yīng)晶體管處于截止?fàn)顟B(tài),發(fā)光二極管無電流,不亮。

當(dāng)場效應(yīng)晶體管的柵極電壓超過8V,小于8.5V時,涓極電流開始線性增加,處于放大狀態(tài)。

當(dāng)場效應(yīng)晶體管的柵極電壓大于8.5V時,場效應(yīng)品體管進(jìn)入飽和導(dǎo)通狀態(tài)。

可以使用數(shù)字萬用表對場效應(yīng)晶體管的驅(qū)動放大性能進(jìn)行檢測,搭建測試電路。



場效應(yīng)晶體管的檢測方法,場效應(yīng)晶體管是一種常見的電壓控制器件,易被靜電擊穿損壞,原則上不能用萬用表直接檢測各引腳之問的正、反向阻值,可以在電路板上在路檢測,或根據(jù)在電路中的功能搭建相應(yīng)的電路,然后進(jìn)行檢測。

場效應(yīng)晶體管的放大能力是最基本的性能之一,一般可使用指針萬用表粗略測量場效應(yīng)晶體管是否具有放大能力。

結(jié)型場效應(yīng)晶體管放大能力的檢測方法,根據(jù)結(jié)型場效應(yīng)晶體管放大能力的檢測方法和判斷依據(jù),選取一個已知性能良好的結(jié)型場效應(yīng)晶體管,檢測方法和判斷步驟,結(jié)型場效應(yīng)晶體管放大能力的檢測示例。

濾波器EMIF02-SPK02F2僅占 0.89 x 1.26mm的面積,為手機(jī)內(nèi)置揚(yáng)聲器或立體聲耳機(jī)輸出端口提供濾波功能,或在話筒輸入端口連接一個EMIF02-SPK02F2,即可把手機(jī)和外部噪聲源(如其它手機(jī))隔離。

為各種手機(jī)和移動音頻設(shè)備提供微型濾波器外,EMIF02-SPK02F2還有助于提高筆記本和臺式機(jī)電腦、汽車音響系統(tǒng)和個人MP3播放器的音頻性能。

單片無源濾波器會比EMIF02-SPK02F2大11%,而且在GSM等標(biāo)準(zhǔn)手機(jī)通信頻率上,噪聲過濾性能比EMIF02-SPK02F2低幾倍。這些手機(jī)信號包括900MHz和1800MHz的信號,手機(jī)音頻電路會接收這些信號,產(chǎn)生人耳能夠聽到的干擾噪聲,即所謂的“TDMA”噪聲。

場效應(yīng)晶體管作為驅(qū)動放大器件的測試電路。圖中,發(fā)光二極管是被驅(qū)動器件;場效應(yīng)晶體管VF作為控制器件。場效應(yīng)晶體管D-s之間的電流受柵極G電壓的摔制。

場效應(yīng)晶體管作為驅(qū)動放大器件的測試電路,當(dāng)場效應(yīng)晶體管的柵極電壓低于8V時,場效應(yīng)晶體管處于截止?fàn)顟B(tài),發(fā)光二極管無電流,不亮。

當(dāng)場效應(yīng)晶體管的柵極電壓超過8V,小于8.5V時,涓極電流開始線性增加,處于放大狀態(tài)。

當(dāng)場效應(yīng)晶體管的柵極電壓大于8.5V時,場效應(yīng)品體管進(jìn)入飽和導(dǎo)通狀態(tài)。

可以使用數(shù)字萬用表對場效應(yīng)晶體管的驅(qū)動放大性能進(jìn)行檢測,搭建測試電路。



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