功率MOSFET芯片性能方面取得巨大突破，最新的MDmesh™V技術(shù)達到業(yè)內(nèi)最低的單位芯片面積導(dǎo)通電阻。MDmesh V讓新一代650V MOSFET將RDS(ON)降到0.079Ω以下，采用緊湊型功率封裝，使能效和功率都達到業(yè)內(nèi)領(lǐng)先水平。這些產(chǎn)品的目標(biāo)應(yīng)用是以小尺寸和低能耗為訴求的功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。

33A的STP42N65M5是MDmesh V產(chǎn)品，采用TO-220封裝，導(dǎo)通電阻0.079Ω。降低的導(dǎo)通電阻有助于提高能效，在大多數(shù)功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中，可實現(xiàn)業(yè)內(nèi)最低的RDS(ON)。

MDmesh V 650V MOSFET技術(shù)藍圖還包括電流更大的產(chǎn)品，采用Max247封裝的產(chǎn)品RDS(ON)低至0.022Ω，TO-247封裝低至0.038Ω。

65納米工藝制造的XPOSYS的性能更加出色，并可為用戶帶來更好的體驗。其靈敏度從-160dBm提高到-165dBm，這在當(dāng)今定位技術(shù)領(lǐng)域是獨一無二的，為實現(xiàn)精確定位（即便在室內(nèi)或城市密集的高樓群中）創(chuàng)造了條件。

此外，其功耗降低了50%，從而延長了裝配該芯片的產(chǎn)品的電池工作時間。其體積也大幅縮小，僅需占用26平方毫米的印刷電路板（PCB）空間。

這一占板面積比當(dāng)今市場上最小的GPS芯片低25%。并且，由于只需9個外部無源元件，這款芯片還提高了終端制造商的設(shè)計靈活性，并大大降低終端的系統(tǒng)成本。

若經(jīng)檢測門開關(guān)引腳觸點阻值異常,需要用同規(guī)格門開關(guān)進行更換排除故障。

溫度控制器是用來對電冰箱箱室內(nèi)的制冷溫度進行調(diào)節(jié)控制的器件,一般安裝在電冰箱的冷藏室內(nèi)，電冰箱中溫度控制器的實物外形及電路功能特點。