1/f低噪聲的5V模擬CMOS及30V漏極擴展型CMOS完美組合
發(fā)布時間:2022/9/1 12:38:04 訪問次數(shù):61
在400kHz頻率和2.5-3.3V低壓下運行的并行到串行接口I2C總線控制器。PCA9564優(yōu)化多重I2C設備或SMus組件與微處理器、微控制器、數(shù)字信號處理器(DSP)之間的連接。
通過擴展I2C在計算、電信和聯(lián)網(wǎng)系統(tǒng)應用方面作為維護和控制總線的用途,該芯片具有更高的速度和更低的電壓.FOD2742光隔離誤差放大器,其誤差范圍低至0.5%和尺寸小的性能特點,使該產(chǎn)品成為精密電源和轉換器設備的理想器件。
FOD2742是光隔離誤差放大器系列的第四款產(chǎn)品,其它三款產(chǎn)品包括FOD2712、FOD2711和FOD2741,為設計人員提供了參考電壓、容差和封裝尺寸的不同選擇。
DA1855A的快速過驅動恢復能力允許放大器從嚴重的過驅動條件下在幾十鈉秒內完全恢復,以保證從時間上精確測量開關管的導通躍變,完成飽和電壓的測量。
DA1855A的控制是完全整合于力科的軟件包中,以保證正確的單位和刻度因子顯示,及一致性和操作簡便。PMA2也是同其他廠家的探頭和放大器相容的,甚至能顯示正確的單位和刻度因子,為工程師提供最大的靈活性。
電壓系數(shù)不到5ppm/V的高精度電容器、1kOhm/square SiCr電阻器、具有1/f低噪聲的5V模擬CMOS及30V漏極擴展型CMOS等的完美組合為設計人員提供了實現(xiàn)各種新產(chǎn)品設計而專門優(yōu)化的高精度組件。
180nm互補MOS技術的嵌入式閃存。ST的180nm嵌入閃存技術創(chuàng)造了世界上最小的單元尺寸,每個閃存單元僅占硅片面積0.37um2。極小的單元尺寸大幅度降低了在芯片上制造存儲陣列所需的硅面積,從而降低了芯片的制造成本。
在400kHz頻率和2.5-3.3V低壓下運行的并行到串行接口I2C總線控制器。PCA9564優(yōu)化多重I2C設備或SMus組件與微處理器、微控制器、數(shù)字信號處理器(DSP)之間的連接。
通過擴展I2C在計算、電信和聯(lián)網(wǎng)系統(tǒng)應用方面作為維護和控制總線的用途,該芯片具有更高的速度和更低的電壓.FOD2742光隔離誤差放大器,其誤差范圍低至0.5%和尺寸小的性能特點,使該產(chǎn)品成為精密電源和轉換器設備的理想器件。
FOD2742是光隔離誤差放大器系列的第四款產(chǎn)品,其它三款產(chǎn)品包括FOD2712、FOD2711和FOD2741,為設計人員提供了參考電壓、容差和封裝尺寸的不同選擇。
DA1855A的快速過驅動恢復能力允許放大器從嚴重的過驅動條件下在幾十鈉秒內完全恢復,以保證從時間上精確測量開關管的導通躍變,完成飽和電壓的測量。
DA1855A的控制是完全整合于力科的軟件包中,以保證正確的單位和刻度因子顯示,及一致性和操作簡便。PMA2也是同其他廠家的探頭和放大器相容的,甚至能顯示正確的單位和刻度因子,為工程師提供最大的靈活性。
電壓系數(shù)不到5ppm/V的高精度電容器、1kOhm/square SiCr電阻器、具有1/f低噪聲的5V模擬CMOS及30V漏極擴展型CMOS等的完美組合為設計人員提供了實現(xiàn)各種新產(chǎn)品設計而專門優(yōu)化的高精度組件。
180nm互補MOS技術的嵌入式閃存。ST的180nm嵌入閃存技術創(chuàng)造了世界上最小的單元尺寸,每個閃存單元僅占硅片面積0.37um2。極小的單元尺寸大幅度降低了在芯片上制造存儲陣列所需的硅面積,從而降低了芯片的制造成本。
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