LTE DFE設計能夠支持七種單載波和多載波實現(xiàn)方式，包括單載波5、10、15和20MHz帶寬、雙載波5和10MHz帶寬以及四載波5MHz帶寬。 

每種配置都提供優(yōu)化解決方案，因此設計人員可以根據(jù)自己的系統(tǒng)要求選擇最適用的實施方案，不需要在設計方面做出犧牲就可以降低總體系統(tǒng)成本和功耗。利用業(yè)界領先的Xilinx System Generator for DSP工具套件，可以方便地對設計進行定制，以滿足企業(yè)特定的3GPP-LTE射頻應用。

將檢測出的特性曲線與三極管技術手冊上的曲線對比,即可確定三極管的性能是否良好。

三極管特性曲線的檢測示例,根據(jù)8DK9型三極管的參數(shù)將半導體特性圖示儀爆值電壓范圍設定在0~lOV、集電極電源極性設為正極、功耗電阻設為250Ω、X軸選擇開關設定在1W度、Y軸設定在1mA度、階梯信號為10級/簇、極性設置為正極、階梯信號設定在10u A級。設定完成后,將三極管3DK9按極性插入檢測插孔中,緩慢增大海值電壓,屏幕上便會顯示出特性曲線。

此外,根據(jù)特性曲線也能計算出該三極管的放大倍數(shù)。讀出x抽集電極電壓磯e=lV時最上面一條曲線的幾值和Y軸的幾值,兩者的比值即為放大倍數(shù)。

二極管特性曲線中信息識讀,NPN型三極管(如2sC1815)與外圍元器件組合可以構成交流小信號放大器.

SE2566U 是首款能夠提供帶雙功放路徑的 MIMO功 能的器件。在兩條發(fā)射路徑之間，它還包含了一條集成式接收路徑，可為設計人員提供2發(fā)射2接收(2x2)或2x3架構的最大布局靈活性。

隨著SE2566U的面世，SiGe半導體解決了在單封裝中支持兩個數(shù)據(jù)流的挑戰(zhàn)；而且盡管空間有限，仍然在兩條發(fā)射路徑之間實現(xiàn)了30dB的隔離。

另外，集成式濾波器確保了PA的諧波分布被減小到只有 -50dBm/MHz。SE2566U還把干擾降至最小，從而保證了系統(tǒng)能夠支持802.11n實現(xiàn)方案的 MIMO功能，并獲得很高的系統(tǒng)級性能。