全絕緣半橋式?旌烷_關(guān)時間高端分立的圖像解決方案
發(fā)布時間:2022/9/22 18:52:49 訪問次數(shù):92
150A和250A的INT-A-Pak(IAP)整流器系列,它是絕緣的模塊,很適宜用在大電流工業(yè)開關(guān)電源,例如高質(zhì)量鎢惰性氣體(TIG)焊接設(shè)備和不間斷電源(UPS)。IGBT的平衡導(dǎo)通和開關(guān)損耗,在高達(dá)1kHz的開關(guān)應(yīng)用市場上有最好的效率和最低的飽和電壓。
GA100TS60SQ是全絕緣半橋式模快,用IR公司的標(biāo)準(zhǔn)速度IGBT做成,100A時的正向壓降為1.11V,有快速反向恢復(fù)QuietIR二極管。輔助發(fā)射極端用來阻塞大輸出電流從驅(qū)動電路流入集電極-發(fā)射極,降低了開關(guān)能量和開關(guān)時間。
GA200HS60S和GA100TS60SQ相似,沒有二極管,額定電流250A。每個開關(guān)用兩個標(biāo)準(zhǔn)速度IGBT并聯(lián)做成,200A時的正向壓降為1.19V。很低的飽和電壓是要用在導(dǎo)通損耗必須要盡可能低的地方,如TIG焊接機和在線UPS。兩個IGBT的柵極中的每一個柵極都是通過自身的控制端進行控制,允許單獨的柵極驅(qū)動。
FCRAM的配置為4MX4組X18位,完全和samsung的網(wǎng)絡(luò)DRAM兼容。這種2.5V 60針mBGA封裝的器件,其它特性為工作頻率有250,300和333MHz,時鐘周期時間為3.0,3.3 和4.0ns,低等待時間和采用差分接收器作為時鐘信號。
Intel 845GE芯片組包括用于Intel®頂級圖像引擎的266MHz圖像時鐘,533MHz或400MHz系統(tǒng)總線以及DDR333主存儲器。這些新特性給每一天的PC用戶提供新水平的整體圖像功能。Intel 845PE芯片組,和奔4處理器一起,提供DDR333存儲器和AGP4x,支持靈活的高端分立的圖像解決方案。
新的845芯片組采用高速系統(tǒng)總線,以最大化奔4處理器的吞吐量。
IAP開關(guān)模塊是用封裝在單一的INT-A-Pak模塊的絕緣柵雙極晶體管(IGBT)開關(guān)做成,可帶或不帶并聯(lián)二極管。這種新的絕緣模塊,和分立的解決方案相比,更可靠,裝配成本更低和更加穩(wěn)定。
150A和250A的INT-A-Pak(IAP)整流器系列,它是絕緣的模塊,很適宜用在大電流工業(yè)開關(guān)電源,例如高質(zhì)量鎢惰性氣體(TIG)焊接設(shè)備和不間斷電源(UPS)。IGBT的平衡導(dǎo)通和開關(guān)損耗,在高達(dá)1kHz的開關(guān)應(yīng)用市場上有最好的效率和最低的飽和電壓。
GA100TS60SQ是全絕緣半橋式模快,用IR公司的標(biāo)準(zhǔn)速度IGBT做成,100A時的正向壓降為1.11V,有快速反向恢復(fù)QuietIR二極管。輔助發(fā)射極端用來阻塞大輸出電流從驅(qū)動電路流入集電極-發(fā)射極,降低了開關(guān)能量和開關(guān)時間。
GA200HS60S和GA100TS60SQ相似,沒有二極管,額定電流250A。每個開關(guān)用兩個標(biāo)準(zhǔn)速度IGBT并聯(lián)做成,200A時的正向壓降為1.19V。很低的飽和電壓是要用在導(dǎo)通損耗必須要盡可能低的地方,如TIG焊接機和在線UPS。兩個IGBT的柵極中的每一個柵極都是通過自身的控制端進行控制,允許單獨的柵極驅(qū)動。
FCRAM的配置為4MX4組X18位,完全和samsung的網(wǎng)絡(luò)DRAM兼容。這種2.5V 60針mBGA封裝的器件,其它特性為工作頻率有250,300和333MHz,時鐘周期時間為3.0,3.3 和4.0ns,低等待時間和采用差分接收器作為時鐘信號。
Intel 845GE芯片組包括用于Intel®頂級圖像引擎的266MHz圖像時鐘,533MHz或400MHz系統(tǒng)總線以及DDR333主存儲器。這些新特性給每一天的PC用戶提供新水平的整體圖像功能。Intel 845PE芯片組,和奔4處理器一起,提供DDR333存儲器和AGP4x,支持靈活的高端分立的圖像解決方案。
新的845芯片組采用高速系統(tǒng)總線,以最大化奔4處理器的吞吐量。
IAP開關(guān)模塊是用封裝在單一的INT-A-Pak模塊的絕緣柵雙極晶體管(IGBT)開關(guān)做成,可帶或不帶并聯(lián)二極管。這種新的絕緣模塊,和分立的解決方案相比,更可靠,裝配成本更低和更加穩(wěn)定。
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