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Hitachi控制器區(qū)域網絡II通道和Bosch CAN Ver.2.0B規(guī)范兼容

發(fā)布時間:2022/9/26 23:56:25 訪問次數(shù):126

16位雙2通道的電荷再分布式同時取樣的ADC AD7654,工作電壓5V,提供兩種取樣速度,正常模式為500KSPS,低功耗用的脈沖模式為444KSPS,它的分辨率為16位而不會丟失碼,總非線性(INL)最大為0.5LSB(滿刻度的0.0038% ),信噪比(SNR)在100KHz為89dB,100KHz總失真(THD)為-96dB。

AD7654是SAR模數(shù)轉換器PulSAR系列中最新的產品。它有兩個低噪音寬帶寬的跟蹤和保持放大器,允許進行同時取樣,高速16位取樣ADC,內部轉換時鐘,串行和并行接口。每個跟蹤和保持放大器在前面有兩通路復用器,提供四路ADC。

這種PulSAR ADC很適合用在AC伺服電動機控制,頻率轉換,三相功率監(jiān)視,不間斷電源,四通道數(shù)據(jù)取樣和汽車電子。

新芯片有兩倍的運行速度,兩倍片上閃存容量和多50%的RAM 48K字節(jié)(KB)。單電壓可編1MB閃存是單周期存取的。片上的讀寫固件不需要由用戶預先提供的閃存寫/擦除程序。除了通常的寫/擦模式,SH7058F有用戶引導模式。

為了有多處理器和外設器件的汽車電子和其它網絡系統(tǒng)中的快速和可靠的數(shù)據(jù)通信,SH7058F有兩個Hitachi控制器區(qū)域網絡II(HCAN-II)通道,它和Bosch CAN Ver.2.0B規(guī)范兼容。

每個通道能用32個信息緩沖器,其中的31個用來發(fā)送或接收,留一個只作接收用。HCAN-II用單獨的16位計時器,所以它提供時間觸發(fā)的發(fā)送功能,以得到高速高可靠的通信。

MC100EP196接受射極耦合邏輯(ECL)、互補金屬氧化半導體(CMOS)和晶體管對晶體管邏輯電路(TTL),使系統(tǒng)設計人員可直接以微控制器對MC100EP196編程,無須采用特定的編程電路。

MC100EP196與 PECL或NECL模式的正負參考低電壓3.0至3.6伏系統(tǒng)均兼容。所需的延遲由10個可編程數(shù)據(jù)選擇輸入端D[0:9]進行選擇,這些輸入端由鎖存使能(LEN)控制的高信號鎖存。

在M58WR064ET中,參數(shù)塊位于存儲器地址空間的上部,而在M58WR064EB中,參數(shù)塊位于存儲器地址空間的下部。

這種片體系結構允許雙重操作:在一個片上進行編程或擦除操作時,可以在另一個片上進行讀操作。

16位雙2通道的電荷再分布式同時取樣的ADC AD7654,工作電壓5V,提供兩種取樣速度,正常模式為500KSPS,低功耗用的脈沖模式為444KSPS,它的分辨率為16位而不會丟失碼,總非線性(INL)最大為0.5LSB(滿刻度的0.0038% ),信噪比(SNR)在100KHz為89dB,100KHz總失真(THD)為-96dB。

AD7654是SAR模數(shù)轉換器PulSAR系列中最新的產品。它有兩個低噪音寬帶寬的跟蹤和保持放大器,允許進行同時取樣,高速16位取樣ADC,內部轉換時鐘,串行和并行接口。每個跟蹤和保持放大器在前面有兩通路復用器,提供四路ADC。

這種PulSAR ADC很適合用在AC伺服電動機控制,頻率轉換,三相功率監(jiān)視,不間斷電源,四通道數(shù)據(jù)取樣和汽車電子。

新芯片有兩倍的運行速度,兩倍片上閃存容量和多50%的RAM 48K字節(jié)(KB)。單電壓可編1MB閃存是單周期存取的。片上的讀寫固件不需要由用戶預先提供的閃存寫/擦除程序。除了通常的寫/擦模式,SH7058F有用戶引導模式。

為了有多處理器和外設器件的汽車電子和其它網絡系統(tǒng)中的快速和可靠的數(shù)據(jù)通信,SH7058F有兩個Hitachi控制器區(qū)域網絡II(HCAN-II)通道,它和Bosch CAN Ver.2.0B規(guī)范兼容。

每個通道能用32個信息緩沖器,其中的31個用來發(fā)送或接收,留一個只作接收用。HCAN-II用單獨的16位計時器,所以它提供時間觸發(fā)的發(fā)送功能,以得到高速高可靠的通信。

MC100EP196接受射極耦合邏輯(ECL)、互補金屬氧化半導體(CMOS)和晶體管對晶體管邏輯電路(TTL),使系統(tǒng)設計人員可直接以微控制器對MC100EP196編程,無須采用特定的編程電路。

MC100EP196與 PECL或NECL模式的正負參考低電壓3.0至3.6伏系統(tǒng)均兼容。所需的延遲由10個可編程數(shù)據(jù)選擇輸入端D[0:9]進行選擇,這些輸入端由鎖存使能(LEN)控制的高信號鎖存。

在M58WR064ET中,參數(shù)塊位于存儲器地址空間的上部,而在M58WR064EB中,參數(shù)塊位于存儲器地址空間的下部。

這種片體系結構允許雙重操作:在一個片上進行編程或擦除操作時,可以在另一個片上進行讀操作。

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