8位模式每通道1.2us或10位模式每通道2.4us那樣快產(chǎn)生
發(fā)布時(shí)間:2022/9/29 21:56:20 訪問(wèn)次數(shù):50
WARP2 600V 50A，35A和20A不穿通(NPT)的IGBT，改善了通信和服務(wù)器系統(tǒng)中大電流高頻開(kāi)關(guān)電源(SMPS)的關(guān)斷性能。新型NPT IGBT以比功率MOSFET更好的性/價(jià)比提供性能和效率。
WARP2 IGBT和HEXFRED二極管共同封在一起，和早期的在功率MOSFET集成的體二極管相比，有更好的性能。新器件的封裝有兩種：TO-247和TO-220。
新型SMPS NPT IGBT在TO-247封裝能處理50A的電流，比同樣封裝的IR公司的600V MOSFET多25%的電流容量。在TO-220封裝，能處理20A電流，比IR的 600V MOSFET能處理多18%的電流。
但當(dāng)交流火線電壓首先加在轉(zhuǎn)換器時(shí)，對(duì)濾波電容充電的電流是如此之大，能燒斷轉(zhuǎn)換器中的保險(xiǎn)絲，使主電路斷路。這種浪涌電流可用大大超過(guò)指標(biāo)的保護(hù)電路來(lái)解決，但這不是成本效率的。
STIL器件的優(yōu)點(diǎn)包括低功耗的Ipt為20mA，在結(jié)溫為150度有大于500V/μs的高免疫性(dV/dt)。該器件還有低的反向電流損耗和功率開(kāi)關(guān)的驅(qū)動(dòng)器。
STIL作為AC整流橋設(shè)計(jì)的部件，它結(jié)合了二極管和SCR，形成半控制整流橋(HCRB)。這種電路使用較高的效率和集成度來(lái)限制浪涌電流成為可能。
MPC7447處理器的性能和特性和MPC7457一樣，但不支持L3高速緩存。MPC7447是360針CBGA封裝，占位面積和MPC7445兼容。
圖像能以8位模式每通道1.2us或10位模式每通道2.4us那樣快產(chǎn)生，取樣速率為416kHz，RMS噪音小于1位數(shù)。光譜響應(yīng)范圍從350到1150nm，峰值靈敏度高達(dá)40V/nJ。芯片在單一硅片的下一代網(wǎng)絡(luò)處理器PayloadPlus APP540，該器件使未來(lái)幾年的產(chǎn)品開(kāi)發(fā)成本，服務(wù)收入能力和通信網(wǎng)絡(luò)可靠性等幾方面都有革命性的改進(jìn)。Agere的APP540芯片能降低產(chǎn)品開(kāi)發(fā)成本至少50%。
來(lái)源：eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。圖片供參考
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但當(dāng)交流火線電壓首先加在轉(zhuǎn)換器時(shí)，對(duì)濾波電容充電的電流是如此之大，能燒斷轉(zhuǎn)換器中的保險(xiǎn)絲，使主電路斷路。這種浪涌電流可用大大超過(guò)指標(biāo)的保護(hù)電路來(lái)解決，但這不是成本效率的。
STIL器件的優(yōu)點(diǎn)包括低功耗的Ipt為20mA，在結(jié)溫為150度有大于500V/μs的高免疫性(dV/dt)。該器件還有低的反向電流損耗和功率開(kāi)關(guān)的驅(qū)動(dòng)器。
STIL作為AC整流橋設(shè)計(jì)的部件，它結(jié)合了二極管和SCR，形成半控制整流橋(HCRB)。這種電路使用較高的效率和集成度來(lái)限制浪涌電流成為可能。
MPC7447處理器的性能和特性和MPC7457一樣，但不支持L3高速緩存。MPC7447是360針CBGA封裝，占位面積和MPC7445兼容。
圖像能以8位模式每通道1.2us或10位模式每通道2.4us那樣快產(chǎn)生，取樣速率為416kHz，RMS噪音小于1位數(shù)。光譜響應(yīng)范圍從350到1150nm，峰值靈敏度高達(dá)40V/nJ。芯片在單一硅片的下一代網(wǎng)絡(luò)處理器PayloadPlus APP540，該器件使未來(lái)幾年的產(chǎn)品開(kāi)發(fā)成本，服務(wù)收入能力和通信網(wǎng)絡(luò)可靠性等幾方面都有革命性的改進(jìn)。Agere的APP540芯片能降低產(chǎn)品開(kāi)發(fā)成本至少50%。
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