一種移動DiskOnChip G3 512Mb閃存盤，它采用0.13um多級單元(MLC）NAND技術(shù)，在單一NAND存儲單元中能存儲兩位信息。由于采用先進(jìn)的內(nèi)置控制器和獨(dú)特的閃存媒體結(jié)構(gòu)，移動DiskOnChip G3有增強(qiáng)的性能和無可匹敵的可靠性。

其封裝尺寸為85引腳的7x10x1.2mm FBGA，是業(yè)界最小的高容量非易失的存儲器，能存儲數(shù)據(jù)和代碼，內(nèi)部總線32位，支持DMA(64KB)和多突發(fā)式存取時間25ns(80MB/s)，NOR類接口，容易使用，內(nèi)核工作電壓3.3V,1.8V I/O，深降功耗(DPD）模式功耗僅10uA，內(nèi)置的2KB XIP引導(dǎo)區(qū)使它能完全替代NOR閃存。其它特性包括有突發(fā)模式讀速度高達(dá)80MBps。

該器件采用EDC/ECC和TrueFFS技術(shù)，以改善數(shù)據(jù)完整性。安全特性包括有16B獨(dú)特的ID號和6KB OTP區(qū)域，以縮短用戶和產(chǎn)品特別信息。

而同類競爭產(chǎn)品要以同樣的速度實(shí)現(xiàn)這些功能，則至少需要兩塊芯片，三個或多個封裝的器件。采用更少的芯片，降低電子成本，功耗和設(shè)備體積以及增加了可靠性。

通信量管理幫助控制存在于網(wǎng)絡(luò)處理器的信息流，以便最有效地使用能用的帶寬。通信量管理支持真正帶寬和延遲，保證有8192個排隊(duì)或更多的個別預(yù)定的通信流，為通信載體支持高增值服務(wù)級的協(xié)議是重要的。以太網(wǎng)MAC允許直接連接到以太網(wǎng)，這一世界上最受歡迎的數(shù)據(jù)通信方式。

STIL02-P5和STIL04-P5限流器設(shè)計(jì)成滿足這些要求。每種產(chǎn)品在單一封裝內(nèi)都集成了兩種單向開關(guān)。該器件能克服可控硅(SCR)中噪音(dV/dt)免疫性和功率消耗間的傳統(tǒng)的折衷問題。

WARP2 IGBT在并聯(lián)工作時有極好的電流分享特性，如功率MOSFET一樣。和功率MOSFET不同，IGBT的導(dǎo)通損耗基本上保持平坦。