內(nèi)部管線式雙數(shù)據(jù)速率(DDR)結(jié)構(gòu)從而改善了CW激光的精度
發(fā)布時間:2022/9/30 13:15:22 訪問次數(shù):172
4GB DDR SDRAM雙列直插存儲器模塊(DIMM)，已經(jīng)得到Intel公司注冊認可。
工業(yè)標準4GB 184引腳PC1600和PC2100 DDR SDRAM DIMM是采用1Gb DDR266 SDRAM芯片MT46V128M8，MT64V256M4或MT46V64M16，封裝在符合JEDEC標準的400密爾寬的64引腳TSOP封裝，間距0.65mm。
芯片的工作電壓為VDD=+2.5V±0.2V, VDDQ=+2.5V±0.2V，雙向數(shù)據(jù)選通(DQS)發(fā)送/接收，內(nèi)部管線式雙數(shù)據(jù)速率(DDR)結(jié)構(gòu)，每時鐘周期有兩個數(shù)據(jù)存取，差分時鐘輸入，在每個正CK緣指令進入，數(shù)據(jù)讀時DQS邊緣對準定位，數(shù)據(jù)寫時中心對準定位，可編突發(fā)長度為2，4或8，有自動刷新和自我刷新模式等性能。
初級和次級繞組的物理分離會導致這種漏感。因此，空氣中的磁場會導致漏感，因為鐵芯中的磁場會耦合初級和次級繞組。因此，由漏感引起的尖峰會引起磁場輻射。
SEPIC(單端初級電感轉(zhuǎn)換器)還解決了輸入和輸出電壓重疊的問題。與反激電路類似，SEPIC在變壓器初級和次級繞組之間連接一個電容器。該電容器在反激電流關閉期間為初級和次級繞組中的電流提供路徑，并通過使初級和次級電流連續(xù)來改善反激電路。
ADN8820是第一個用于光發(fā)送器，收發(fā)器，收發(fā)機和EDFA和Raman放大器中激光泵控制的全集成單片連續(xù)波(CW)激光控制器。
新控制器由于采用其所有權(quán)的高速，高效率和低噪音開關模式輸出級，能提供完全控制回路解決方案，從而改善了CW激光的精度。ADN8820是7x7mm LFCSP IC，簡化元件數(shù)和成本。
ASDN2860是三通道非易失性的數(shù)字電位計，能提供有I2C接口的多通道電位計可能得到的最低的漂移。為用在發(fā)送和收發(fā)器的激光模塊而設計，該IC的低漂移(30ppm/度C)允許更精確地控制回路。
來源：eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。圖片供參考
4GB DDR SDRAM雙列直插存儲器模塊(DIMM)，已經(jīng)得到Intel公司注冊認可。
工業(yè)標準4GB 184引腳PC1600和PC2100 DDR SDRAM DIMM是采用1Gb DDR266 SDRAM芯片MT46V128M8，MT64V256M4或MT46V64M16，封裝在符合JEDEC標準的400密爾寬的64引腳TSOP封裝，間距0.65mm。
芯片的工作電壓為VDD=+2.5V±0.2V, VDDQ=+2.5V±0.2V，雙向數(shù)據(jù)選通(DQS)發(fā)送/接收，內(nèi)部管線式雙數(shù)據(jù)速率(DDR)結(jié)構(gòu)，每時鐘周期有兩個數(shù)據(jù)存取，差分時鐘輸入，在每個正CK緣指令進入，數(shù)據(jù)讀時DQS邊緣對準定位，數(shù)據(jù)寫時中心對準定位，可編突發(fā)長度為2，4或8，有自動刷新和自我刷新模式等性能。
初級和次級繞組的物理分離會導致這種漏感。因此，空氣中的磁場會導致漏感，因為鐵芯中的磁場會耦合初級和次級繞組。因此，由漏感引起的尖峰會引起磁場輻射。
SEPIC(單端初級電感轉(zhuǎn)換器)還解決了輸入和輸出電壓重疊的問題。與反激電路類似，SEPIC在變壓器初級和次級繞組之間連接一個電容器。該電容器在反激電流關閉期間為初級和次級繞組中的電流提供路徑，并通過使初級和次級電流連續(xù)來改善反激電路。
ADN8820是第一個用于光發(fā)送器，收發(fā)器，收發(fā)機和EDFA和Raman放大器中激光泵控制的全集成單片連續(xù)波(CW)激光控制器。
新控制器由于采用其所有權(quán)的高速，高效率和低噪音開關模式輸出級，能提供完全控制回路解決方案，從而改善了CW激光的精度。ADN8820是7x7mm LFCSP IC，簡化元件數(shù)和成本。
ASDN2860是三通道非易失性的數(shù)字電位計，能提供有I2C接口的多通道電位計可能得到的最低的漂移。為用在發(fā)送和收發(fā)器的激光模塊而設計，該IC的低漂移(30ppm/度C)允許更精確地控制回路。
來源：eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。圖片供參考
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