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低功耗技術(shù)如部分陣列自刷新(PASR)溫度補(bǔ)償自刷新(TCSR)

發(fā)布時(shí)間:2022/10/6 22:15:33 訪問次數(shù):287

初始化支持CANbus,其它的通信選擇如RS-232,RS-422,RS-485和ProfiBus將使產(chǎn)品升級(jí)。硬件配置選擇包括有帶振蕩器的解算儀到數(shù)字接口以及簡(jiǎn)化控制器開發(fā)的輸入/輸出選擇。

廣泛的輸入選擇包括有:馬達(dá)電壓和電流傳感輸入,過流和短路檢測(cè)輸入,一個(gè)用戶可編同步串口,帶有5V電源的三個(gè)霍爾傳感器輸入。

功能包括有:用于功率晶體管柵極控制的輸出,用于預(yù)充電旁路或總線放電電路的輸出,用于柵極驅(qū)動(dòng)器重置和使能信號(hào)的輸出,用于同等外接硬件帶有馬達(dá)控制運(yùn)作的光絕緣固態(tài)繼電器的輸出和兩個(gè)用于板故障和狀態(tài)顯示的LED。

Handy SDRAM存儲(chǔ)器HY5S5A6DF,它是一種超低功耗的移動(dòng)SDRAM,用在下一代移動(dòng)手持通信,PDA,數(shù)碼相機(jī)和其它各種消費(fèi)類電子產(chǎn)品。

Handy SDRAM工作電壓1.8V,54針FBGA封裝,采用該公司的0.13微米生產(chǎn)工藝。由于能延長(zhǎng)電池壽命,因此,Handy SDRAM在手機(jī)市場(chǎng)中需要量很大。

Hynix有各種不同的第一流的低功耗技術(shù)如部分陣列自刷新(PASR),溫度補(bǔ)償自刷新(TCSR),深度降功耗(DPD)和由JEDEC確認(rèn)的驅(qū)動(dòng)器強(qiáng)度。采用"自動(dòng)的TCSR"技術(shù)將會(huì)控制DRAM單元內(nèi)的自我刷新和速度,產(chǎn)品將會(huì)進(jìn)一步降低功耗而同時(shí)提高速度。

新的Stratix有7Mb的片上存儲(chǔ)器,能在內(nèi)部存儲(chǔ)器上實(shí)現(xiàn)很大的FFT。

此外,兩種可用的核版本支持外接存儲(chǔ)器接口,允許無(wú)限制的變換大小。Radix 4能在200MHz的系統(tǒng)速度在25微秒內(nèi)處理1K點(diǎn)的復(fù)數(shù),僅消耗中等規(guī)模的Stratix器件的10%資源。

高度集成的用于接入線路卡和CPE的芯片上調(diào)制解調(diào)器(MoC)VDSL5100i。采用混合適配的技術(shù),在單封裝內(nèi)集成了三個(gè)集成電路元件,VDSL5100i降低了元件數(shù)量和占位面積75%以上。

VDSL5100i提供出色的靈活性,證明其所有的數(shù)據(jù)速率都符合VDSL國(guó)際標(biāo)準(zhǔn),使服務(wù)提供商通過在一對(duì)銅線上提供各種增強(qiáng)性能的寬帶服務(wù),最大限度地增加收入。

來(lái)源:eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。圖片供參考

初始化支持CANbus,其它的通信選擇如RS-232,RS-422,RS-485和ProfiBus將使產(chǎn)品升級(jí)。硬件配置選擇包括有帶振蕩器的解算儀到數(shù)字接口以及簡(jiǎn)化控制器開發(fā)的輸入/輸出選擇。

廣泛的輸入選擇包括有:馬達(dá)電壓和電流傳感輸入,過流和短路檢測(cè)輸入,一個(gè)用戶可編同步串口,帶有5V電源的三個(gè)霍爾傳感器輸入。

功能包括有:用于功率晶體管柵極控制的輸出,用于預(yù)充電旁路或總線放電電路的輸出,用于柵極驅(qū)動(dòng)器重置和使能信號(hào)的輸出,用于同等外接硬件帶有馬達(dá)控制運(yùn)作的光絕緣固態(tài)繼電器的輸出和兩個(gè)用于板故障和狀態(tài)顯示的LED。

Handy SDRAM存儲(chǔ)器HY5S5A6DF,它是一種超低功耗的移動(dòng)SDRAM,用在下一代移動(dòng)手持通信,PDA,數(shù)碼相機(jī)和其它各種消費(fèi)類電子產(chǎn)品。

Handy SDRAM工作電壓1.8V,54針FBGA封裝,采用該公司的0.13微米生產(chǎn)工藝。由于能延長(zhǎng)電池壽命,因此,Handy SDRAM在手機(jī)市場(chǎng)中需要量很大。

Hynix有各種不同的第一流的低功耗技術(shù)如部分陣列自刷新(PASR),溫度補(bǔ)償自刷新(TCSR),深度降功耗(DPD)和由JEDEC確認(rèn)的驅(qū)動(dòng)器強(qiáng)度。采用"自動(dòng)的TCSR"技術(shù)將會(huì)控制DRAM單元內(nèi)的自我刷新和速度,產(chǎn)品將會(huì)進(jìn)一步降低功耗而同時(shí)提高速度。

新的Stratix有7Mb的片上存儲(chǔ)器,能在內(nèi)部存儲(chǔ)器上實(shí)現(xiàn)很大的FFT。

此外,兩種可用的核版本支持外接存儲(chǔ)器接口,允許無(wú)限制的變換大小。Radix 4能在200MHz的系統(tǒng)速度在25微秒內(nèi)處理1K點(diǎn)的復(fù)數(shù),僅消耗中等規(guī)模的Stratix器件的10%資源。

高度集成的用于接入線路卡和CPE的芯片上調(diào)制解調(diào)器(MoC)VDSL5100i。采用混合適配的技術(shù),在單封裝內(nèi)集成了三個(gè)集成電路元件,VDSL5100i降低了元件數(shù)量和占位面積75%以上。

VDSL5100i提供出色的靈活性,證明其所有的數(shù)據(jù)速率都符合VDSL國(guó)際標(biāo)準(zhǔn),使服務(wù)提供商通過在一對(duì)銅線上提供各種增強(qiáng)性能的寬帶服務(wù),最大限度地增加收入。

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