低功耗SDRAM和新的更寬配置的NAND閃存，作為多片式封裝(MCP)產(chǎn)品的選擇。

為了適應(yīng)增加的應(yīng)用功能和數(shù)據(jù)存儲對存儲器的要求，NAND閃存正在變得受歡迎，因為它的每位成本低，而新的低功耗SDRAM正在成為有豐富多彩特性的工作存儲器的新解決方案，3G手機執(zhí)行存儲在NAND閃存的代碼。

低功耗SDRAM的典型速度83MHz或更高，和NAND閃存組合，給手機存儲器子系統(tǒng)提供了成本效率的高性能解決方案。能提供二，三或四種存儲器容量上的半定制組合，以滿足下一代有豐富多彩功能手機的要求。

它有100%的孔經(jīng)，很寬的響應(yīng)帶寬，單色光模式的波長為1100nm。

AT71201 CCD傳感器的主要特性為非常低的暗電流(MMP模式)和大的動態(tài)范圍。CCD分成四個獨立的區(qū)域，由四個時鐘分別驅(qū)動，因此，傳感器可用作12個傳感器模式。

CDCU877 DDR-II PLL完全符合JEDEC DDR-II標(biāo)準(zhǔn)，可將一個差分時鐘輸入對分配給10個時鐘輸出差分對以及一個差分對反饋時鐘輸出差動對。該器件與SN74SSTU32864 DDR-II邏輯寄存器結(jié)合在一起，不僅提供總體芯片組解決方案而且還能加快為DDR-II內(nèi)存模塊選擇部件的進(jìn)程。

這些數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器由于內(nèi)部集成了基準(zhǔn)電壓源和基準(zhǔn)緩沖器,給設(shè)計者提供完整的解決方案。

基于SAR的結(jié)構(gòu)以及高速管線，和Sigma-Delta結(jié)構(gòu)相比，有無等待時間轉(zhuǎn)換的優(yōu)點，因此很適合用在復(fù)接或伺服控制應(yīng)用。此外，這些器件的DC性能，特別是失調(diào)和失調(diào)漂移，優(yōu)于目前其它的高速ADC。

X60008系列給系統(tǒng)設(shè)計者提供了下一代精密電壓源，使之能用在要求極為穩(wěn)定和高度精密的手提系統(tǒng)和工業(yè)系統(tǒng)。

X60008CIS8-50 和X60008DIS8-50使8引腳SOIC封裝，1K量的單價分別為$4.55和$3.15。Xicor公司準(zhǔn)備把基準(zhǔn)電壓源的性能提高到0.9000V ± 0.25mV，溫度系數(shù)為1ppm/°C。

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