高分辨率的RSSI(接收信號強(qiáng)度指示)、到達(dá)角(AoD)和出發(fā)角(AoD)形式的增強(qiáng)型定位技術(shù)。它具有長距離、高速(2Mbit/s)的PHY，支持多達(dá)10個同時聯(lián)接。

RLS15將聯(lián)接性和安全性結(jié)合起來，為互聯(lián)工業(yè)應(yīng)用提供理想的平臺。包括PWM、PCM、I2C、SPI、GPIO、UART和RTC在內(nèi)的外設(shè)支持進(jìn)一步加強(qiáng)了這一點。直接支持RSL15用于超低功耗應(yīng)用中的一個額外功能是智能感知(Smart Sense)電源模式。

這允許一些模擬和數(shù)字外設(shè)保持工作并獲取數(shù)據(jù)，同時器件的其他部分處于更深的睡眠模式以省電。例如，片上ADC和FIFO可被配置為激勵和采樣外部傳感器，只有在滿足預(yù)定條件時才喚醒處理器內(nèi)核。

此功能由寄存器0x4F的位[3:2]控制。使能時，所選輸 入上的上升沿指明下一采樣周期何時發(fā)生。觸發(fā)后，在發(fā)生正常啟動序列之前，會有一到兩個內(nèi)部采樣時鐘(32 kHz) 周期的延遲。此啟動序列與正常采樣定時器提供觸發(fā)信號的情況相同。

由于在火花塞產(chǎn)生電弧之前，線圈二次側(cè)相當(dāng)于開路，能量儲存在線圈磁芯中。

當(dāng)檢測到合適的時間點火，控制信號會變?yōu)榈碗娖�，使IGBT關(guān)斷。一次側(cè)電流快速關(guān)斷，會在IGBT器件兩端產(chǎn)生一個較高的電壓尖峰。通常，點火IGBT內(nèi)部柵極和集電極之間有一個鉗位結(jié)構(gòu)。鉗位結(jié)構(gòu)會將峰值電壓限制在300V-600V之間以保護(hù)點火IGBT和線圈絕緣。

N-30m2系列是需要持續(xù)高性能的寫入密集型工作負(fù)載應(yīng)用的首選。

PCIe Gen3x4、NVMe 1.3和板載 DRAM可確保滿足所需的性能，非常適合用于引導(dǎo)介質(zhì)、數(shù)據(jù)記錄和日志記錄。作為我們性能最佳的工業(yè)級SSD，它還具有極高的耐用性、可靠性和數(shù)據(jù)完整性，即使在極端環(huán)境條件下也始終如一。

全新的SSD系列基于工業(yè)級3D TLC NAND，可承受-40℃至+85℃的溫度。 PCIe 4通道接口遵循PCIe 3.1規(guī)范，提供高達(dá)3,500 MB/s的順序讀取和3,100MB/s的順序?qū)懭胨俣�。讀取和寫入隨機(jī)訪問分別超過475,000 IOPS和525,000 IOPS。