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隔離電平移位或接地隔離以實現(xiàn)抗噪性的高頻應(yīng)用

發(fā)布時間:2022/10/13 13:20:47 訪問次數(shù):142

AQM系列符合廣泛的國際安規(guī)標準和EMI認證,包括EN/IEC60601-1、EN61000和EN55032。該產(chǎn)品還符合第4版醫(yī)療EMC要求,并提供2xMOPP保護。有了這套全面的安規(guī)標準,可有效的減少研發(fā)時間和風(fēng)險以及安規(guī)審批成本。

焦耳定律電流通過導(dǎo)體時,做定向移動的自由電子頻繁地與金屬中的正離子相撞,碰撞后,自由電子就把一部分動能傳遞給與它們相撞的正離子,使得分子熱運動加劇,內(nèi)能增加,于是導(dǎo)體的溫度就升高,并向周圍傳遞熱量。人們把電流通過導(dǎo)體發(fā)熱的現(xiàn)象叫做電流的熱效應(yīng)。

電流的熱效應(yīng)是把電能轉(zhuǎn)化為導(dǎo)體內(nèi)能的表現(xiàn).電爐,電熨斗,電暖氣就是利用電流熱效應(yīng)的典型例子。

顯然,電阻串聯(lián)電路可以看作是一個分壓電路,兩個串聯(lián)電阻上的電壓分別為

U1=IRl

LJ2==ir∶R2

上例式子常稱為分壓公式,它確定了電阻串聯(lián)電路外加電壓U在各個電阻上的分配原則。

顯然,每個電阻上的電壓大小,決定于該電阻在總電阻中所占的比例,這個比值稱為分壓比。

電阻的并聯(lián)

如果電路中有兩個或更多個電阻連接在兩個公共的節(jié)點之間,則這樣的連接方式就稱為

電阻的并聯(lián)。各個并聯(lián)中的電阻上承受著同一電壓。是兩個電阻并聯(lián)的電路。


兩個HEY1011-L12C GaN FET驅(qū)動器和兩個半橋配置的650 V、60 A GaN增強模式晶體管。HEY1011是一款隔離式柵極驅(qū)動器,專為驅(qū)動具有快速傳播延遲和高峰值拉/灌能力的GaN FET進行了優(yōu)化,適用于需要隔離、電平移位或接地隔離以實現(xiàn)抗噪性的高頻應(yīng)用。由于HEY1011驅(qū)動器不需要二次側(cè)電源或自舉組件,因此釋放了寶貴的板空間,使設(shè)計更具成本效益。

為了幫助緩解柵漏電容電流的影響,GS-EVB-HB-0650603B-HD采用了雙極柵驅(qū)動裝置。

該板可以執(zhí)行雙脈沖測試或?qū)霕蜻B接到現(xiàn)有LC電源段。雙脈沖測試可用于安全地評估硬開關(guān)條件下電源開關(guān)的特性。

GaN Systems GS-EVB-HB-0650603B-HD半橋雙極驅(qū)動開關(guān)評估板適合用于開發(fā)大功率無線充電器、工業(yè)逆變器、電機驅(qū)動/VFD、數(shù)據(jù)中心、住宅儲能系統(tǒng)以及其他電力電子應(yīng)用。


來源:21IC.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。圖片供參考


AQM系列符合廣泛的國際安規(guī)標準和EMI認證,包括EN/IEC60601-1、EN61000和EN55032。該產(chǎn)品還符合第4版醫(yī)療EMC要求,并提供2xMOPP保護。有了這套全面的安規(guī)標準,可有效的減少研發(fā)時間和風(fēng)險以及安規(guī)審批成本。

焦耳定律電流通過導(dǎo)體時,做定向移動的自由電子頻繁地與金屬中的正離子相撞,碰撞后,自由電子就把一部分動能傳遞給與它們相撞的正離子,使得分子熱運動加劇,內(nèi)能增加,于是導(dǎo)體的溫度就升高,并向周圍傳遞熱量。人們把電流通過導(dǎo)體發(fā)熱的現(xiàn)象叫做電流的熱效應(yīng)。

電流的熱效應(yīng)是把電能轉(zhuǎn)化為導(dǎo)體內(nèi)能的表現(xiàn).電爐,電熨斗,電暖氣就是利用電流熱效應(yīng)的典型例子。

顯然,電阻串聯(lián)電路可以看作是一個分壓電路,兩個串聯(lián)電阻上的電壓分別為

U1=IRl

LJ2==ir∶R2

上例式子常稱為分壓公式,它確定了電阻串聯(lián)電路外加電壓U在各個電阻上的分配原則。

顯然,每個電阻上的電壓大小,決定于該電阻在總電阻中所占的比例,這個比值稱為分壓比。

電阻的并聯(lián)

如果電路中有兩個或更多個電阻連接在兩個公共的節(jié)點之間,則這樣的連接方式就稱為

電阻的并聯(lián)。各個并聯(lián)中的電阻上承受著同一電壓。是兩個電阻并聯(lián)的電路。


兩個HEY1011-L12C GaN FET驅(qū)動器和兩個半橋配置的650 V、60 A GaN增強模式晶體管。HEY1011是一款隔離式柵極驅(qū)動器,專為驅(qū)動具有快速傳播延遲和高峰值拉/灌能力的GaN FET進行了優(yōu)化,適用于需要隔離、電平移位或接地隔離以實現(xiàn)抗噪性的高頻應(yīng)用。由于HEY1011驅(qū)動器不需要二次側(cè)電源或自舉組件,因此釋放了寶貴的板空間,使設(shè)計更具成本效益。

為了幫助緩解柵漏電容電流的影響,GS-EVB-HB-0650603B-HD采用了雙極柵驅(qū)動裝置。

該板可以執(zhí)行雙脈沖測試或?qū)霕蜻B接到現(xiàn)有LC電源段。雙脈沖測試可用于安全地評估硬開關(guān)條件下電源開關(guān)的特性。

GaN Systems GS-EVB-HB-0650603B-HD半橋雙極驅(qū)動開關(guān)評估板適合用于開發(fā)大功率無線充電器、工業(yè)逆變器、電機驅(qū)動/VFD、數(shù)據(jù)中心、住宅儲能系統(tǒng)以及其他電力電子應(yīng)用。


來源:21IC.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。圖片供參考


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