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導(dǎo)通電阻方面改進(jìn)使EPC2066在相同面積下導(dǎo)通電阻降低27%

發(fā)布時間:2022/10/15 12:13:54 訪問次數(shù):44

數(shù)字顯示式驗電筆的使用方法,用數(shù)字顯示式測電筆驗電,其握筆方法與氖管指示式相同,手觸直測鈕,用筆頭測帶電體,有數(shù)字顯示者為火線,反之為零線。

帶電體與大地間的電位差在2-500V之間,電筆都能顯示出來。由此可見,使用數(shù)字式測電筆,除了能知道線路或電氣設(shè)各是否帶電以外,還能夠知道帶電體電壓的具體數(shù)值。

一般用右手握住電筆,左手背在背后。人體的任何部位切勿觸及與筆尖相連的金屬部分。防止筆尖同時搭在兩根電線上。驗電前,先將電筆在確實有電處試測,只有氖管發(fā)光,才可使用在明亮光線下不易看清氖管是否發(fā)光,應(yīng)注意避光。

EPC2066的低損耗和小尺寸使其成為用于最新服務(wù)器和人工智能的高功率密度、40V~60V/12V DC/DC轉(zhuǎn)換器次級側(cè)的理想開關(guān)器件。

它也是電源供電和銀盒數(shù)據(jù)中心服務(wù)器中次級側(cè)同步整流至12V的理想器件,而且適用于24V~32V的高密度電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用。氮化鎵場效應(yīng)晶體管可在高頻工作、具有高效率和13.9mm2的超小尺寸等優(yōu)勢,可以實現(xiàn)最高功率密度。

EPC2066的設(shè)計與EPC第4代產(chǎn)品EPC2024兼容。第五代產(chǎn)品在面積乘以導(dǎo)通電阻方面的改進(jìn)使EPC2066在相同面積下的導(dǎo)通電阻降低了27%。

40V、1.1mΩ的氮化鎵場效應(yīng)晶體管(EPC2066),為設(shè)計工程師提供比硅MOSFET更小、更高效的器件,用于高性能、占板面積受限的應(yīng)用。

增強(qiáng)型氮化鎵(eGaN®)功率場效應(yīng)晶體管和集成電路,新推40V、典型值為0.8mΩ的EPC2066氮化鎵場效應(yīng)晶體管,為客戶提供更多可選的低壓氮化鎵晶體管。

在以上提及的導(dǎo)通電阻條件下,EPC2066的尺寸要比市場上任何其他場效應(yīng)晶體管都要小得多。它與較早前推出的EPC2071匹配,用于高功率密度計算應(yīng)用的LLC DC/DC轉(zhuǎn)換器。



數(shù)字顯示式驗電筆的使用方法,用數(shù)字顯示式測電筆驗電,其握筆方法與氖管指示式相同,手觸直測鈕,用筆頭測帶電體,有數(shù)字顯示者為火線,反之為零線。

帶電體與大地間的電位差在2-500V之間,電筆都能顯示出來。由此可見,使用數(shù)字式測電筆,除了能知道線路或電氣設(shè)各是否帶電以外,還能夠知道帶電體電壓的具體數(shù)值。

一般用右手握住電筆,左手背在背后。人體的任何部位切勿觸及與筆尖相連的金屬部分。防止筆尖同時搭在兩根電線上。驗電前,先將電筆在確實有電處試測,只有氖管發(fā)光,才可使用在明亮光線下不易看清氖管是否發(fā)光,應(yīng)注意避光。

EPC2066的低損耗和小尺寸使其成為用于最新服務(wù)器和人工智能的高功率密度、40V~60V/12V DC/DC轉(zhuǎn)換器次級側(cè)的理想開關(guān)器件。

它也是電源供電和銀盒數(shù)據(jù)中心服務(wù)器中次級側(cè)同步整流至12V的理想器件,而且適用于24V~32V的高密度電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用。氮化鎵場效應(yīng)晶體管可在高頻工作、具有高效率和13.9mm2的超小尺寸等優(yōu)勢,可以實現(xiàn)最高功率密度。

EPC2066的設(shè)計與EPC第4代產(chǎn)品EPC2024兼容。第五代產(chǎn)品在面積乘以導(dǎo)通電阻方面的改進(jìn)使EPC2066在相同面積下的導(dǎo)通電阻降低了27%。

40V、1.1mΩ的氮化鎵場效應(yīng)晶體管(EPC2066),為設(shè)計工程師提供比硅MOSFET更小、更高效的器件,用于高性能、占板面積受限的應(yīng)用。

增強(qiáng)型氮化鎵(eGaN®)功率場效應(yīng)晶體管和集成電路,新推40V、典型值為0.8mΩ的EPC2066氮化鎵場效應(yīng)晶體管,為客戶提供更多可選的低壓氮化鎵晶體管

在以上提及的導(dǎo)通電阻條件下,EPC2066的尺寸要比市場上任何其他場效應(yīng)晶體管都要小得多。它與較早前推出的EPC2071匹配,用于高功率密度計算應(yīng)用的LLC DC/DC轉(zhuǎn)換器。



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