片上數(shù)學增強器實時MCU的處理能力與常規(guī)功率驅動器
發(fā)布時間:2022/10/26 13:12:50 訪問次數(shù):104
LTC7050的驅動器與功率回路集成在同一裸片上,并且所有柵極驅動器的電容都在封裝中。由于取消了鍵合線,每個驅動環(huán)路中的寄生電感接近于零。
與多芯片DrMOS模塊相比,LTC7050開啟和關閉功率器件的速度要快得多。開關節(jié)點電壓的典型上升沿短至1ns。一流的驅動速度大大降低了轉換損耗。高驅動速度允許LTC7050具有零死區(qū)時間,從而大大降低二極管導通和反向恢復損耗。
熱環(huán)路的縮小導致寄生電感降低。此外,完全對稱的布局消除了電磁場。比較了LTC7050布局與常規(guī)功率驅動器。
此小坑為芯片第1引腳的標識.
芯片上的文字為芯片的型號、廠商、生產(chǎn)日期等信息。
芯片上的三角也同樣是用來標識引腳的。
從電路固中識別集成電路,維修電路時,通常需要參考電器設各的電路原理圖來查找問題,下面結合電路圖來識別電路圖中的集成電路。集成電路一般用“X” “Y” “G”
等文字符號來表示,為電路圖中的集成電路。
兩側的數(shù)字1-32為其引腳編號,內(nèi)部的英文為其引腳功能說明.
微控制器(MCU)(有些甚至帶有片上硬件加速器)可以通過更快的控制環(huán)路來實現(xiàn)這一目標。
為了將其提升到一個新的水平,配備快速片上模數(shù)轉換器(ADC)和定制后處理功能的實時MCU可以進一步處理準確、快速的采樣以及電流和電壓的轉換,從而減少整體實時信號鏈的延遲。
在微型外形尺寸下,在沒有散熱器的情況下減少散熱成為一項挑戰(zhàn),而采用氮化鎵和碳化硅等寬帶隙功率器件來實現(xiàn)更高的開關頻率并滿足這些小設計尺寸可能會更加麻煩。
憑借其固有的架構和片上數(shù)學增強器,實時MCU的處理能力使復雜的時間關鍵型數(shù)據(jù)計算成為可能。
LTC7050的驅動器與功率回路集成在同一裸片上,并且所有柵極驅動器的電容都在封裝中。由于取消了鍵合線,每個驅動環(huán)路中的寄生電感接近于零。
與多芯片DrMOS模塊相比,LTC7050開啟和關閉功率器件的速度要快得多。開關節(jié)點電壓的典型上升沿短至1ns。一流的驅動速度大大降低了轉換損耗。高驅動速度允許LTC7050具有零死區(qū)時間,從而大大降低二極管導通和反向恢復損耗。
熱環(huán)路的縮小導致寄生電感降低。此外,完全對稱的布局消除了電磁場。比較了LTC7050布局與常規(guī)功率驅動器。
此小坑為芯片第1引腳的標識.
芯片上的文字為芯片的型號、廠商、生產(chǎn)日期等信息。
芯片上的三角也同樣是用來標識引腳的。
從電路固中識別集成電路,維修電路時,通常需要參考電器設各的電路原理圖來查找問題,下面結合電路圖來識別電路圖中的集成電路。集成電路一般用“X” “Y” “G”
等文字符號來表示,為電路圖中的集成電路。
兩側的數(shù)字1-32為其引腳編號,內(nèi)部的英文為其引腳功能說明.
微控制器(MCU)(有些甚至帶有片上硬件加速器)可以通過更快的控制環(huán)路來實現(xiàn)這一目標。
為了將其提升到一個新的水平,配備快速片上模數(shù)轉換器(ADC)和定制后處理功能的實時MCU可以進一步處理準確、快速的采樣以及電流和電壓的轉換,從而減少整體實時信號鏈的延遲。
在微型外形尺寸下,在沒有散熱器的情況下減少散熱成為一項挑戰(zhàn),而采用氮化鎵和碳化硅等寬帶隙功率器件來實現(xiàn)更高的開關頻率并滿足這些小設計尺寸可能會更加麻煩。
憑借其固有的架構和片上數(shù)學增強器,實時MCU的處理能力使復雜的時間關鍵型數(shù)據(jù)計算成為可能。