新一代MagI3C VDMM電源模塊：輸出可變降壓微型模塊產(chǎn)品現(xiàn)在覆蓋從3.3V到24V的所有總線電壓，包括負(fù)載點(diǎn)電源，并可以直接與24V總線相連。

超寬輸入電壓，輸入最高36V，使得模塊可以可靠承受24V總線上的電壓脈沖。微型模塊針對(duì)空間有限的應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化，采用緊湊的LGA-8封裝。可調(diào)輸出電壓范圍為1V至6V，電流最高0.3A。

232層NAND基于經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的CMOS陣列下(CuA)架構(gòu)，該架構(gòu)為容量增長(zhǎng)、密度增加、性能提升和成本降低提供了一個(gè)向上擴(kuò)展的方法。通過(guò)增加NAND數(shù)據(jù)單元陣列堆疊層數(shù)， 能夠增加每平方毫米晶圓上的比特?cái)?shù)，進(jìn)而提高存儲(chǔ)密度，降低單位存儲(chǔ)成本。

全球首發(fā)的232層NAND技術(shù)標(biāo)志著美光第六代NAND 即將進(jìn)入大規(guī)模量產(chǎn)。

突破性的超高堆疊層數(shù)和CuA技術(shù)使每顆芯片僅需極小的尺寸就可存儲(chǔ)高達(dá)1Tb的容量，這意味著232層NAND的比特密度比上一代176層NAND高出45% 以上，多么驚人的容量提升.

密度的增加也進(jìn)一步改善了封裝規(guī)格，全新的11.5mmx13.5mm封裝尺寸較前幾代小28%。這些突破意味著大容量、高性能的存儲(chǔ)產(chǎn)品將能搭載在更多類型的設(shè)備上。

BCcomponents 193 PUR-SI Solar新系列卡扣式功率鋁電容器，額定電壓和類別電壓分別提升至570V和475V。

輸入電壓：90Vac to 264Vac；

最大輸出功率：100W；

輸出電壓電流：5V/3A、9V/3A、12V/3A、15V/3A、20V/5A；

輸出電壓紋波：60mV Max；

功率密度：1.46W/cm3；

效率：92.3%& 92.9%@20V/3.25A，115Vac&230Vac。

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