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通用逆變器和醫(yī)療電源中的電磁傳導(dǎo)噪聲實現(xiàn)較低傳導(dǎo)損耗

發(fā)布時間:2022/11/3 12:51:42 訪問次數(shù):139

表面貼裝D2PAK-7L封裝的七款750V碳化硅(SiC)FET,借助此封裝選項,SiC FET可為車載充電器、軟開關(guān)DC/DC轉(zhuǎn)換器、電池充電(快速DC和工業(yè))以及IT/服務(wù)器電源等快速增長的應(yīng)用量身定制,能夠為在熱增強(qiáng)型封裝中實現(xiàn)更高效率、低傳導(dǎo)損耗和卓越成本效益的高功率應(yīng)用提供更佳解決方案。

這種廣泛的選擇可為工程師提供更多的器件選項,從而具有更高的靈活性,以實現(xiàn)更佳的成本/效率平衡,同時保持充足的設(shè)計冗余和電路穩(wěn)健性。

利用獨(dú)特的級聯(lián)式(cascode)SiC FET 技術(shù),其中常開型SiC JFET與Si MOSFET共同封裝以生成常關(guān)型SiC FET,這些器件可提供同類更佳的 RDSxA品質(zhì)因數(shù),能夠以較小芯片實現(xiàn)較低傳導(dǎo)損耗。

新的GTX系列金屬外殼三相濾波器。該系列滿足了對EMI-RFI濾波器日益增長的需求,借此即可抑制通用逆變器和醫(yī)療電源中的電磁傳導(dǎo)噪聲。

KEMET GTX金屬外殼濾波器可滿足具有各種特性的三相EMC要求。這些濾波器采用納米晶磁芯制作,以緊湊的尺寸實現(xiàn)了出色的阻尼和衰減特性,并具有更寬的頻率范圍。此外,還可以選擇六種不同的Y電容器組合,從而支持各種設(shè)備拓?fù)。這些濾波器是業(yè)內(nèi)容積效率最高的濾波器。

由于其高機(jī)械密度,它們結(jié)構(gòu)緊湊、重量輕,而對于抑制EMC至關(guān)重要的工業(yè)和醫(yī)療應(yīng)用,亦是理想選擇。

PMCB60XN和PMCB60XNE 30V N溝道小信號Trench MOSFET,該產(chǎn)品采用超緊湊晶圓級DSN1006封裝,具有市場領(lǐng)先的RDS(on)特性,在空間受限和電池續(xù)航運(yùn)行至關(guān)重要的情況下,可使電力更為持久。

在VGS=4.5V時,PMCB60XN和PMCB60XNE的最大RDS(on)分別為50mΩ和55mΩ。因此,在市場上類似的30V MOSFET中,PMCB60XN和PMCB60XNE單個芯片面積導(dǎo)通電阻最低。

此外,PMCB60XNE在集成于1.0mm×0.6mm×0.2mm的DSN1006小型外形中,還可提供額定2kV ESD保護(hù)*=(人體模型–HBM).這兩款MOSFET的額定漏極電流最高均可達(dá)4A。

來源:eepw.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。圖片供參考

表面貼裝D2PAK-7L封裝的七款750V碳化硅(SiC)FET,借助此封裝選項,SiC FET可為車載充電器、軟開關(guān)DC/DC轉(zhuǎn)換器、電池充電(快速DC和工業(yè))以及IT/服務(wù)器電源等快速增長的應(yīng)用量身定制,能夠為在熱增強(qiáng)型封裝中實現(xiàn)更高效率、低傳導(dǎo)損耗和卓越成本效益的高功率應(yīng)用提供更佳解決方案。

這種廣泛的選擇可為工程師提供更多的器件選項,從而具有更高的靈活性,以實現(xiàn)更佳的成本/效率平衡,同時保持充足的設(shè)計冗余和電路穩(wěn)健性。

利用獨(dú)特的級聯(lián)式(cascode)SiC FET 技術(shù),其中常開型SiC JFET與Si MOSFET共同封裝以生成常關(guān)型SiC FET,這些器件可提供同類更佳的 RDSxA品質(zhì)因數(shù),能夠以較小芯片實現(xiàn)較低傳導(dǎo)損耗。

新的GTX系列金屬外殼三相濾波器。該系列滿足了對EMI-RFI濾波器日益增長的需求,借此即可抑制通用逆變器和醫(yī)療電源中的電磁傳導(dǎo)噪聲。

KEMET GTX金屬外殼濾波器可滿足具有各種特性的三相EMC要求。這些濾波器采用納米晶磁芯制作,以緊湊的尺寸實現(xiàn)了出色的阻尼和衰減特性,并具有更寬的頻率范圍。此外,還可以選擇六種不同的Y電容器組合,從而支持各種設(shè)備拓?fù)。這些濾波器是業(yè)內(nèi)容積效率最高的濾波器。

由于其高機(jī)械密度,它們結(jié)構(gòu)緊湊、重量輕,而對于抑制EMC至關(guān)重要的工業(yè)和醫(yī)療應(yīng)用,亦是理想選擇。

PMCB60XN和PMCB60XNE 30V N溝道小信號Trench MOSFET,該產(chǎn)品采用超緊湊晶圓級DSN1006封裝,具有市場領(lǐng)先的RDS(on)特性,在空間受限和電池續(xù)航運(yùn)行至關(guān)重要的情況下,可使電力更為持久。

在VGS=4.5V時,PMCB60XN和PMCB60XNE的最大RDS(on)分別為50mΩ和55mΩ。因此,在市場上類似的30V MOSFET中,PMCB60XN和PMCB60XNE單個芯片面積導(dǎo)通電阻最低。

此外,PMCB60XNE在集成于1.0mm×0.6mm×0.2mm的DSN1006小型外形中,還可提供額定2kV ESD保護(hù)*=(人體模型–HBM).這兩款MOSFET的額定漏極電流最高均可達(dá)4A。

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