3D pSLC模式S-58系列適合需要大量寫入小數據塊或持續(xù)高工作負載應用
發(fā)布時間:2024/6/26 8:47:15 訪問次數:70
存儲卡符合SD-6.1標準，同時支持嵌入式系統(tǒng)常用的普通SPI接口模式和UHS-I 口模式。它們達到了UHS速度等級U3、速度等級C10、應用等級A2以及視頻速度等級V30。
S-55的容量范圍為64GB至512GB，microSD版本S-55u有64GB至256GB可供選擇。
當然，Swissbit也會繼續(xù)提供3D pSLC模式的S-58系列，該系列特別適合需要大量寫入小數據塊或持續(xù)高工作負載的應用。
S-58的容量為16GB到128GB，S-58u的容量為16GB至64GB，除此之外，pSLC版本還能提供最高10倍的使用壽命和最高2倍的速度。LM2594MX-5.0/NOPB
有興趣用GaN解決方案替換其硅MOSFET的設計人員可使用EPC GaN Power Bench的交叉參考工具，根據您所需的特定工作條件，我們會推薦合適的替代方案。
VL53L5CX多區(qū)ToF測距傳感器和最新的配套軟件將使市面上的應用手勢檢測變得更為簡單和經濟實惠。傳感器和軟件的配合可以實時計算手部的X/Y/Z軸坐標，從而實現手部跟蹤，同時識別點擊、滑動、高度控制等手勢。
主流的PFC+LLC架構，主控IC是ST的STNRG011，這顆IC整合了雙端LLC諧振半橋控制器、多模式功率因數校正（PFC）控制器和運行同類最佳控制算法的數字內核。
片上集成的數字外設利用ST的SMED（狀態(tài)機事件驅動）技術和專有模擬硬件，提升了控制回路的處理性能，可實現出色的動態(tài)響應。此外，STNRG011芯片上還配備非易失性存儲器，用于存儲專用參數。
為了提升充電效率，本方案還采用了MASTERGAN1雙氮化鎵集成管，其內部集成了半橋驅動器和兩顆耐壓650V，導阻150mΩ的高壓GaN開關管，特別適合半橋拓撲和有源鉗位。
http://jhbdt1.51dzw.com深圳市俊暉半導體有限公司
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S-55的容量范圍為64GB至512GB，microSD版本S-55u有64GB至256GB可供選擇。
當然，Swissbit也會繼續(xù)提供3D pSLC模式的S-58系列，該系列特別適合需要大量寫入小數據塊或持續(xù)高工作負載的應用。
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為了提升充電效率，本方案還采用了MASTERGAN1雙氮化鎵集成管，其內部集成了半橋驅動器和兩顆耐壓650V，導阻150mΩ的高壓GaN開關管，特別適合半橋拓撲和有源鉗位。
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