增強型氮化鎵（eGaN®）的功率管理器件的領(lǐng)先供貨商，氮化鎵(eGaN)場效應(yīng)晶體管及集成電路的性能比最好的硅功率MOSFET器件高出很多倍，其目標(biāo)應(yīng)用包括直流-直流轉(zhuǎn)換器、激光雷達（LiDAR）、用于電動運輸、機器人和無人機的電機驅(qū)動器，以及低成本衛(wèi)星等應(yīng)用。

此外，宜普電源轉(zhuǎn)換公司繼續(xù)擴大基于eGaN IC的產(chǎn)品系列，為客戶提供進一步節(jié)省占板面積、節(jié)能及節(jié)省成本的解決方案。

在輸出級的設(shè)計上，SRK2001驅(qū)動的同步整流，有助于進一步提升電源轉(zhuǎn)換效率。

除此之外，本方案采用陶瓷散熱設(shè)計，可大大降低重量，從而達到美觀、便攜的作用。并且得益于這些器件出色的性能，本方案不僅能夠縮短電子設(shè)備充電時間，還能夠全面提升產(chǎn)品安全性，增強客戶的使用體驗。

Swissbit 將繼續(xù)致力于以具有競爭力的價格提供質(zhì)量極高的存儲卡，同時確保長期可用性。

現(xiàn)在，Swissbit SD存儲卡產(chǎn)品的NAND閃存,這將進一步提高產(chǎn)品的長期可用性。除了基于3D NAND的全新產(chǎn)品系列外，Swissbit還將繼續(xù)提供配備鎧俠閃存芯片的S-50和S-56系列存儲卡。

雖然兩個系列的性能規(guī)格和可靠性幾乎相同，但S-50/S-56系列可以提供最低4GB的容量。

核心技術(shù)優(yōu)勢：

采用成熟的PFC+LLC集成架構(gòu)，節(jié)省產(chǎn)品設(shè)計周期；

整機用了兩顆氮化鎵管，效率可達95%或以上；

國內(nèi)首款采用陶瓷散熱方案的電源，可大大降低整機重量與提升安全性，因為陶瓷本身是絕緣的，不需要額外的絕緣處理；

體積小，重量輕，功率密度達1.6W/cm3或以上。

方案規(guī)格：

輸入?yún)?shù)：100~240V AC，3.15A；

 輸出參數(shù)：5V、9V、12V、15V、20V DC，最大20V6A 120W；

輸出端口：2C1A。

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