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變壓器溫升過高或線圈絕緣損壞造成配變分接開關(guān)不到位

發(fā)布時間:2022/11/22 18:06:26 訪問次數(shù):110

利用電磁感應(yīng)的原理來改變交流電壓的裝置,主要構(gòu)件是初級線圈、次級線圈和鐵芯(磁芯)。主要功能有:電壓變換、電流變換、阻抗變換、隔離、穩(wěn)壓(磁飽和變壓器)等。

按用途可以分為:電力變壓器和特殊變壓器(電爐變、整流變、工頻試驗變壓器、調(diào)壓器、礦用變、音頻變壓器、中頻變壓器、高頻變壓器、沖擊變壓器、儀用變壓器、電子變壓器、電抗器、互感器等)。電路符號常用T當(dāng)作編號的開頭。例: T01, T201等。

變壓器出現(xiàn)燒毀現(xiàn)象一般是變壓器溫升過高或者線圈絕緣損壞。燒毀前溫度不高,不代表局部溫度也不高。變壓器過載、溫升設(shè)計余量過小都可能導(dǎo)致局部高溫,進(jìn)而導(dǎo)致變壓器失效,引起燒毀事故。下面我們來詳細(xì)分析各種燒毀原因。

變壓器燒毀的原因

變壓器高、低壓兩側(cè)無熔斷器。有的雖然已經(jīng)裝上跌落式熔斷器和羊角保險,但其熔斷件多是采用鋁或銅絲代替,致使低壓短路或過載時,熔斷件無法正常熔斷而燒毀變 壓器。

變壓器的高、低壓熔斷件配置不當(dāng)。變壓器上的熔斷件普遍存在著配置過大 的現(xiàn)象,嚴(yán)重過載時,燒毀變壓器。

三相負(fù)荷不平衡。有一些農(nóng)村由于照明線路較多且雜亂,大多數(shù)又是采用單相供電,再加上施工中跳線的隨意性和管理上的不到位,造成了變壓器的負(fù)荷偏相運行。長期的使用,致使某相線圈絕緣老化而燒 毀變壓器。

分接開關(guān)接觸不良:

私自調(diào)節(jié)分接開關(guān),造成配變分接開關(guān)不到位,接觸不良而燒毀;

分接開關(guān)質(zhì)量差,引起星形觸頭位置不完全接觸,發(fā)生短路或?qū)Φ胤烹姟?/span>

在從數(shù)瓦到數(shù)兆瓦的眾多功率變換應(yīng)用中,高壓SiC MOSFET正在推動設(shè)計人員超越硅解決方案的各種限制,從而推動功率變換系統(tǒng)開發(fā)領(lǐng)域的創(chuàng)新。在應(yīng)用到功率轉(zhuǎn)換器和功率系統(tǒng)時,它們能夠提高可靠性和效率,同時降低成本、減小尺寸并減輕重量。

與智能數(shù)字柵極驅(qū)動配合使用時,1700V SiC MOSFET可發(fā)揮最大價值。Microchip提供豐富且可靠耐用的SiC元件產(chǎn)品組合,這些產(chǎn)品以芯片、分立元件和功率模塊以及數(shù)字柵極驅(qū)動器解決方案的形式提供,讓設(shè)計人員能夠輕松、快速且自信地采用SiC。

Silent Switcher技術(shù)提供高功率密度設(shè)計,并且能夠在小封裝中實現(xiàn)大電流能力,從而保持低θJA,實現(xiàn)高效率(例如,LTM4638能夠在6.25mm 6.25mm×5.02mm封裝中實現(xiàn)15A)。

來源:eechina.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。圖片供參考


利用電磁感應(yīng)的原理來改變交流電壓的裝置,主要構(gòu)件是初級線圈、次級線圈和鐵芯(磁芯)。主要功能有:電壓變換、電流變換、阻抗變換、隔離、穩(wěn)壓(磁飽和變壓器)等。

按用途可以分為:電力變壓器和特殊變壓器(電爐變、整流變、工頻試驗變壓器、調(diào)壓器、礦用變、音頻變壓器、中頻變壓器、高頻變壓器、沖擊變壓器、儀用變壓器、電子變壓器、電抗器、互感器等)。電路符號常用T當(dāng)作編號的開頭。例: T01, T201等。

變壓器出現(xiàn)燒毀現(xiàn)象一般是變壓器溫升過高或者線圈絕緣損壞。燒毀前溫度不高,不代表局部溫度也不高。變壓器過載、溫升設(shè)計余量過小都可能導(dǎo)致局部高溫,進(jìn)而導(dǎo)致變壓器失效,引起燒毀事故。下面我們來詳細(xì)分析各種燒毀原因。

變壓器燒毀的原因

變壓器高、低壓兩側(cè)無熔斷器。有的雖然已經(jīng)裝上跌落式熔斷器和羊角保險,但其熔斷件多是采用鋁或銅絲代替,致使低壓短路或過載時,熔斷件無法正常熔斷而燒毀變 壓器。

變壓器的高、低壓熔斷件配置不當(dāng)。變壓器上的熔斷件普遍存在著配置過大 的現(xiàn)象,嚴(yán)重過載時,燒毀變壓器。

三相負(fù)荷不平衡。有一些農(nóng)村由于照明線路較多且雜亂,大多數(shù)又是采用單相供電,再加上施工中跳線的隨意性和管理上的不到位,造成了變壓器的負(fù)荷偏相運行。長期的使用,致使某相線圈絕緣老化而燒 毀變壓器。

分接開關(guān)接觸不良:

私自調(diào)節(jié)分接開關(guān),造成配變分接開關(guān)不到位,接觸不良而燒毀;

分接開關(guān)質(zhì)量差,引起星形觸頭位置不完全接觸,發(fā)生短路或?qū)Φ胤烹姟?/span>

在從數(shù)瓦到數(shù)兆瓦的眾多功率變換應(yīng)用中,高壓SiC MOSFET正在推動設(shè)計人員超越硅解決方案的各種限制,從而推動功率變換系統(tǒng)開發(fā)領(lǐng)域的創(chuàng)新。在應(yīng)用到功率轉(zhuǎn)換器和功率系統(tǒng)時,它們能夠提高可靠性和效率,同時降低成本、減小尺寸并減輕重量。

與智能數(shù)字柵極驅(qū)動配合使用時,1700V SiC MOSFET可發(fā)揮最大價值。Microchip提供豐富且可靠耐用的SiC元件產(chǎn)品組合,這些產(chǎn)品以芯片、分立元件和功率模塊以及數(shù)字柵極驅(qū)動器解決方案的形式提供,讓設(shè)計人員能夠輕松、快速且自信地采用SiC。

Silent Switcher技術(shù)提供高功率密度設(shè)計,并且能夠在小封裝中實現(xiàn)大電流能力,從而保持低θJA,實現(xiàn)高效率(例如,LTM4638能夠在6.25mm 6.25mm×5.02mm封裝中實現(xiàn)15A)。

來源:eechina.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。圖片供參考


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