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LFS技術(shù)核心技術(shù)在復雜照明條件變化下提供出色質(zhì)量的圖像

發(fā)布時間:2022/12/5 23:40:44 訪問次數(shù):273

3MP Sensor+ISP二合一的車規(guī)級圖像傳感器新品——SC320AT。該背照式(BSI)圖像傳感器集高感度、高動態(tài)范圍和優(yōu)異的LED閃爍抑制功能于一體,可憑借出色的圖像品質(zhì)賦能全景環(huán)視、ADAS周視、自動泊車和流媒體后視鏡等高端車載影像應用。

智能汽車的飛速發(fā)展,也帶動著車載攝像頭的數(shù)量不斷增多,其市場規(guī)模隨之提升。

SC320AT搭載SmartClarity®-2成像技術(shù),運用SFCPixel®、PixGain HDR®專利技術(shù)以及LFS技術(shù)等核心技術(shù),能在復雜照明條件變化下為車載成像系統(tǒng)提供出色質(zhì)量的圖像。

SC320AT符合AEC-Q100 Grade 2及功能安全ISO 26262 ASIL B等級要求,以高性能和高可靠性助推高端車載智能成像應用的發(fā)展。

PTS645V SMT輕觸開關(guān)非常適合各種市場的各類應用。從電動工具、儀器儀表應用、高端消費和通信與網(wǎng)絡應用, 到家庭安防、工廠自動化系統(tǒng), 這款I(lǐng)P67輕觸開關(guān)的用途廣泛, 并且可以根據(jù)您的需求進行量身定制。

65-231版本的每個插入式模塊可配置為不同通道數(shù)量和組數(shù)的單刀多路復用開關(guān)。這些模塊可以很方便地通過外部電纜互連,從而構(gòu)成最多288個通道的更大的多路復用開關(guān)。

UJ4C/SC器件采用獨特的共源共柵SiC FET技術(shù),其中常開SiC JFET與Si MOSFET封裝在一起形成常關(guān)SiC FET。這些FET降低了緊湊型內(nèi)部連接回路的電感,與包含的開爾文源極連接一起,可降低開關(guān)損耗,從而實現(xiàn)更高的工作頻率和系統(tǒng)功率密度。

65-233版本的每個插入式模塊上具有最多50個通用SPST開關(guān),用于一般用途的高壓應用。

這些模塊還帶有射頻干擾抑制元件,從而延長繼電器的觸點壽命并且控制由高壓瞬變引起的浪涌。連接部分使用的是Redel K或S系列的高壓連接器。

在PXI平臺上推出9kV SPST開關(guān)實現(xiàn)了以小規(guī)模的結(jié)構(gòu)提供高電壓開關(guān)的目標。

和舊的機架和堆疊式的儀器相比,新產(chǎn)品允許在盡可能最小的機架空間內(nèi)搭建模塊化和可擴展的測試系統(tǒng)。LXI平臺上也提供大量的不同的配置選擇,允許對開關(guān)系統(tǒng)進行裁剪以更適合測試系統(tǒng)的要求。

上海德懿電子科技有限公司  www.deyie.com

來源:eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。圖片供參考

3MP Sensor+ISP二合一的車規(guī)級圖像傳感器新品——SC320AT。該背照式(BSI)圖像傳感器集高感度、高動態(tài)范圍和優(yōu)異的LED閃爍抑制功能于一體,可憑借出色的圖像品質(zhì)賦能全景環(huán)視、ADAS周視、自動泊車和流媒體后視鏡等高端車載影像應用。

智能汽車的飛速發(fā)展,也帶動著車載攝像頭的數(shù)量不斷增多,其市場規(guī)模隨之提升。

SC320AT搭載SmartClarity®-2成像技術(shù),運用SFCPixel®、PixGain HDR®專利技術(shù)以及LFS技術(shù)等核心技術(shù),能在復雜照明條件變化下為車載成像系統(tǒng)提供出色質(zhì)量的圖像。

SC320AT符合AEC-Q100 Grade 2及功能安全ISO 26262 ASIL B等級要求,以高性能和高可靠性助推高端車載智能成像應用的發(fā)展。

PTS645V SMT輕觸開關(guān)非常適合各種市場的各類應用。從電動工具、儀器儀表應用、高端消費和通信與網(wǎng)絡應用, 到家庭安防、工廠自動化系統(tǒng), 這款I(lǐng)P67輕觸開關(guān)的用途廣泛, 并且可以根據(jù)您的需求進行量身定制。

65-231版本的每個插入式模塊可配置為不同通道數(shù)量和組數(shù)的單刀多路復用開關(guān)。這些模塊可以很方便地通過外部電纜互連,從而構(gòu)成最多288個通道的更大的多路復用開關(guān)。

UJ4C/SC器件采用獨特的共源共柵SiC FET技術(shù),其中常開SiC JFET與Si MOSFET封裝在一起形成常關(guān)SiC FET。這些FET降低了緊湊型內(nèi)部連接回路的電感,與包含的開爾文源極連接一起,可降低開關(guān)損耗,從而實現(xiàn)更高的工作頻率和系統(tǒng)功率密度。

65-233版本的每個插入式模塊上具有最多50個通用SPST開關(guān),用于一般用途的高壓應用。

這些模塊還帶有射頻干擾抑制元件,從而延長繼電器的觸點壽命并且控制由高壓瞬變引起的浪涌。連接部分使用的是Redel K或S系列的高壓連接器。

在I平臺上推出9kV SPST開關(guān)實現(xiàn)了以小規(guī)模的結(jié)構(gòu)提供高電壓開關(guān)的目標。

和舊的機架和堆疊式的儀器相比,新產(chǎn)品允許在盡可能最小的機架空間內(nèi)搭建模塊化和可擴展的測試系統(tǒng)。LXI平臺上也提供大量的不同的配置選擇,允許對開關(guān)系統(tǒng)進行裁剪以更適合測試系統(tǒng)的要求。

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