上電時(shí)的閱讀功能，當(dāng)系統(tǒng)上電時(shí)通過控制CE和RE引腳就能閱讀多達(dá)2K字節(jié)的數(shù)據(jù)而不用指令或輸入地址。這方便了起動(dòng)過程。

支持的工具如功能描述模式，C語言參考庫等,以幫助系統(tǒng)設(shè)計(jì)。

AG-AND閃存單元采用新穎的輔助柵區(qū)絕緣方法，以得到比傳統(tǒng)淺槽絕緣(SGI)方法的更高的密度。這使得1G位的器件比用0.18微米工藝所生產(chǎn)的512M位的要小。

閃存的排列可通過熱電子注入的方法進(jìn)行編程，以得到高的寫入速度。從源區(qū)注入熱電子能改善浮置柵注入效率，進(jìn)行低電流快速并行寫入。

多層單元技術(shù)來開發(fā)1G位閃存和其它器件的閃存控制器。

第一個(gè)成本效率的低功耗SONET OC-192收發(fā)器，用作短距離光轉(zhuǎn)發(fā)器。

新的TI解決方案為單個(gè)器件提供四個(gè)2.5Gbps OC-48通道，使通信設(shè)備制造商能構(gòu)成10Gbps OC-192轉(zhuǎn)發(fā)器，作為OC-192串行解決方案的一部分成本。

SLK2504 SONET/SDH收發(fā)器把16通道622Mbps數(shù)據(jù)合并成四個(gè)獨(dú)立的OC-48通道，兩個(gè)冗余的OC-48通道，或一個(gè)OC-192通道。和光互聯(lián)論壇(OIF)SFI-4接口以及VSR4-03.0光標(biāo)準(zhǔn)兼容，該器件用0.18微米CMOS工藝，以達(dá)到成本效率的集成度和低功耗。

SLK2504和3100光收發(fā)器的SONET轉(zhuǎn)發(fā)器參考設(shè)計(jì)和評估模型(EVM)。

采用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)300引腳MSA形式，參考設(shè)計(jì)/EVM能使生產(chǎn)者很快開發(fā)出OC-192VSR轉(zhuǎn)發(fā)器。現(xiàn)在可提供SLK2504收發(fā)器的樣品，為289引腳的BGA封裝。

低于5uW的功耗，延長電池壽命，100pA的低漏電延長取樣保持電路的保持時(shí)間。tON=150 ns, tOFF=100 ns的快開關(guān)速度降低了在時(shí)間敏感性應(yīng)用中的傳輸時(shí)延。開關(guān)提供電荷抑制5pC，以最大限度提高信號完整性。8引腳的SOIC SMT封裝減少板的空間。

ISL8323，ISL8324和ISL8325的引腳和Maxim公司的MAX323，MAX324和MAX325以及PS323, PS324和PS325的兼容。所有這三種器件都工作在2.7V到12V。

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