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片上數(shù)字音量控制改善線性和更靈活數(shù)據(jù)接口支持數(shù)字信號處理

發(fā)布時間:2022/12/31 18:45:49 訪問次數(shù):126

第一個能提供無限次重新配置和即時接通特性。在不揮發(fā)的結(jié)構(gòu)中有電可擦除存儲器和SRAM單元,允許器件在微秒內(nèi)進行自身配置,在上電時成為一個電子系統(tǒng)。

工作在1.8V,2.5V 或3.3V,F(xiàn)PGA提供12.5萬到120萬門(2000到15000邏輯單元),RAM區(qū)塊有92000到414000位,分布式RAM有30000到246000位。器件是高度安全的,因為電可擦除存儲器在配置沒有暴露在外的位碼,而安全位則能阻止FPGA讀回。

特性包括通用的可編功能單元和硬件加速算術(shù)和乘法以及分布式單口和雙口FIFO,局部便箋式存儲器所需要的移位寄存存儲器等。

第二代音頻DAC(數(shù)模轉(zhuǎn)換)控制器WM8726,滿足低電壓,低功率和小尺寸的要求。

WM8726是24位192kHz立體聲DAC,能工作在低到3V的電壓。應(yīng)用在對成本敏感的設(shè)備如數(shù)字電視,數(shù)字機頂盒,家庭影院,MP3,CD和DVD播放機。

WM8726的引腳和Wolfson微電子的WM8725的兼容,片上有數(shù)字音量控制,改善線性和更靈活的數(shù)據(jù)接口,支持標準的數(shù)字信號處理(DSP)數(shù)據(jù)格式。該器件能降低整個系統(tǒng)的功耗。

Wolfson公司的器件有多位三角結(jié)構(gòu),降低了對時鐘抖動的靈敏度和帶外噪音,信噪比(SNR)為100dB,總諧波失真(THD)為-95dB,改善了聲音的質(zhì)量。

為了支持DDR存儲器系統(tǒng),開關(guān)1用來產(chǎn)生2.5V電壓,為存儲器芯片供電(VDDQ),開關(guān)2提供1.25V浮置外部基準源,支持DDR有源終端的要求。

在42V汽車電子市場中,室溫的導(dǎo)通電阻RDS(on)是最低的,4.5m歐姆。當用多個器件并聯(lián)來控制大功率負載時,符合AECQ101標準的75V器件要有低柵電荷,以限制驅(qū)動電流的要求。

其指標如下:導(dǎo)通電阻RDS(on) 4.5到16m歐姆,總電荷:47到138nC,抗50A單脈沖和重復(fù)脈沖不鉗位感性電涌能力為600mJ。器件封裝為TO-264,TO-220和TO-252。

上海德懿電子科技有限公司  www.deyie.com


第一個能提供無限次重新配置和即時接通特性。在不揮發(fā)的結(jié)構(gòu)中有電可擦除存儲器和SRAM單元,允許器件在微秒內(nèi)進行自身配置,在上電時成為一個電子系統(tǒng)。

工作在1.8V,2.5V 或3.3V,F(xiàn)PGA提供12.5萬到120萬門(2000到15000邏輯單元),RAM區(qū)塊有92000到414000位,分布式RAM有30000到246000位。器件是高度安全的,因為電可擦除存儲器在配置沒有暴露在外的位碼,而安全位則能阻止FPGA讀回。

特性包括通用的可編功能單元和硬件加速算術(shù)和乘法以及分布式單口和雙口FIFO,局部便箋式存儲器所需要的移位寄存存儲器等。

第二代音頻DAC(數(shù)模轉(zhuǎn)換)控制器WM8726,滿足低電壓,低功率和小尺寸的要求。

WM8726是24位192kHz立體聲DAC,能工作在低到3V的電壓。應(yīng)用在對成本敏感的設(shè)備如數(shù)字電視,數(shù)字機頂盒,家庭影院,MP3,CD和DVD播放機。

WM8726的引腳和Wolfson微電子的WM8725的兼容,片上有數(shù)字音量控制,改善線性和更靈活的數(shù)據(jù)接口,支持標準的數(shù)字信號處理(DSP)數(shù)據(jù)格式。該器件能降低整個系統(tǒng)的功耗。

Wolfson公司的器件有多位三角結(jié)構(gòu),降低了對時鐘抖動的靈敏度和帶外噪音,信噪比(SNR)為100dB,總諧波失真(THD)為-95dB,改善了聲音的質(zhì)量。

為了支持DDR存儲器系統(tǒng),開關(guān)1用來產(chǎn)生2.5V電壓,為存儲器芯片供電(VDDQ),開關(guān)2提供1.25V浮置外部基準源,支持DDR有源終端的要求。

在42V汽車電子市場中,室溫的導(dǎo)通電阻RDS(on)是最低的,4.5m歐姆。當用多個器件并聯(lián)來控制大功率負載時,符合AECQ101標準的75V器件要有低柵電荷,以限制驅(qū)動電流的要求。

其指標如下:導(dǎo)通電阻RDS(on) 4.5到16m歐姆,總電荷:47到138nC,抗50A單脈沖和重復(fù)脈沖不鉗位感性電涌能力為600mJ。器件封裝為TO-264,TO-220和TO-252。

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