分立的解決方案需IC和小功率SRAM器件處理電池切換
發(fā)布時(shí)間:2022/12/31 19:00:09 訪問(wèn)次數(shù):158
M48Z32V ZEROPOWER®非易失性RAM存儲(chǔ)器(NVRAM),此舉進(jìn)一步擴(kuò)充了該公司的NVRAM產(chǎn)品家族。利用分立器件,使新產(chǎn)品不僅是一個(gè)高度集成的具有電池備用電源的普通NVRAM,而且還兼?zhèn)潆娐穼?shí)現(xiàn)的靈活性。
M48Z32V僅在一個(gè)高度為0.12英寸(3.05mm)單片44引腳SOIC封裝上就集中了所有這些功能。
靈活性體現(xiàn)在客戶對(duì)電池的選擇上,在外界溫度40度、電池容量?jī)H為18mAh時(shí), M48Z32V的數(shù)據(jù)額定保存能力10年。目前,很多系統(tǒng)已經(jīng)配備了可隨時(shí)為M48Z32V提供備用電源的電池,這意味M48Z32V不僅是一個(gè)小尺寸的NVRAM解決方案,而且還可降低產(chǎn)品的成本。
MCP3221是帶兩線串行,和I2C兼容的接口的逐次逼近12位ADC。12位的分辨率為設(shè)計(jì)者在測(cè)試信號(hào)時(shí)提供了寬的動(dòng)態(tài)范圍。
時(shí)鐘頻率12kHz, I2C接口能使取樣頻率達(dá)到22.3K次/秒,以得到更高的帶寬。小型包裝使器件適合用在板空間不多的遙控應(yīng)用中。
MCP3221單電源工作,簡(jiǎn)化了電路設(shè)計(jì)。該器件可工作在2.75到5.5V ,板上提供取樣和保持電路以及本身時(shí)間的變換。
新產(chǎn)品特別適合網(wǎng)絡(luò)路由器及交換機(jī)、服務(wù)器及存儲(chǔ)設(shè)備、電子游戲,以及其它任何一種小尺寸和/或低成本非常關(guān)鍵的應(yīng)用。
在傳統(tǒng)上,具有電池備用電源的NVRAM通常采用非標(biāo)準(zhǔn)化封裝,這種封裝在印制電路板上十分凸出,當(dāng)元器件的高度受到限制時(shí),會(huì)產(chǎn)生一些問(wèn)題。分立的解決方案需用多個(gè)IC和一個(gè)小功率SRAM器件來(lái)處理電池切換和寫保護(hù)功能。
器件采用傳統(tǒng)的SAR結(jié)構(gòu),在轉(zhuǎn)換的時(shí)候,它是一種內(nèi)部取樣和用電容來(lái)存儲(chǔ)模擬輸入信號(hào)。在采樣時(shí)間結(jié)束時(shí),轉(zhuǎn)換器的輸入開關(guān)斷開,器件使用在內(nèi)部取樣和保持電容,以采集到的電荷來(lái)產(chǎn)生12位數(shù)字輸出碼。
上海德懿電子科技有限公司 www.deyie.com
M48Z32V ZEROPOWER®非易失性RAM存儲(chǔ)器(NVRAM),此舉進(jìn)一步擴(kuò)充了該公司的NVRAM產(chǎn)品家族。利用分立器件,使新產(chǎn)品不僅是一個(gè)高度集成的具有電池備用電源的普通NVRAM,而且還兼?zhèn)潆娐穼?shí)現(xiàn)的靈活性。
M48Z32V僅在一個(gè)高度為0.12英寸(3.05mm)單片44引腳SOIC封裝上就集中了所有這些功能。
靈活性體現(xiàn)在客戶對(duì)電池的選擇上,在外界溫度40度、電池容量?jī)H為18mAh時(shí), M48Z32V的數(shù)據(jù)額定保存能力10年。目前,很多系統(tǒng)已經(jīng)配備了可隨時(shí)為M48Z32V提供備用電源的電池,這意味M48Z32V不僅是一個(gè)小尺寸的NVRAM解決方案,而且還可降低產(chǎn)品的成本。
MCP3221是帶兩線串行,和I2C兼容的接口的逐次逼近12位ADC。12位的分辨率為設(shè)計(jì)者在測(cè)試信號(hào)時(shí)提供了寬的動(dòng)態(tài)范圍。
時(shí)鐘頻率12kHz, I2C接口能使取樣頻率達(dá)到22.3K次/秒,以得到更高的帶寬。小型包裝使器件適合用在板空間不多的遙控應(yīng)用中。
MCP3221單電源工作,簡(jiǎn)化了電路設(shè)計(jì)。該器件可工作在2.75到5.5V ,板上提供取樣和保持電路以及本身時(shí)間的變換。
新產(chǎn)品特別適合網(wǎng)絡(luò)路由器及交換機(jī)、服務(wù)器及存儲(chǔ)設(shè)備、電子游戲,以及其它任何一種小尺寸和/或低成本非常關(guān)鍵的應(yīng)用。
在傳統(tǒng)上,具有電池備用電源的NVRAM通常采用非標(biāo)準(zhǔn)化封裝,這種封裝在印制電路板上十分凸出,當(dāng)元器件的高度受到限制時(shí),會(huì)產(chǎn)生一些問(wèn)題。分立的解決方案需用多個(gè)IC和一個(gè)小功率SRAM器件來(lái)處理電池切換和寫保護(hù)功能。
器件采用傳統(tǒng)的SAR結(jié)構(gòu),在轉(zhuǎn)換的時(shí)候,它是一種內(nèi)部取樣和用電容來(lái)存儲(chǔ)模擬輸入信號(hào)。在采樣時(shí)間結(jié)束時(shí),轉(zhuǎn)換器的輸入開關(guān)斷開,器件使用在內(nèi)部取樣和保持電容,以采集到的電荷來(lái)產(chǎn)生12位數(shù)字輸出碼。
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