這些雙向20V微占位器件，其尺寸為0.62mm，適合手提設(shè)備緊湊的PCB。微占位器件取決于焊接工藝，Siliconix公司開(kāi)發(fā)的專有的焊接方法，功率MOSFET芯片就不需要外層包裝。兩種產(chǎn)品Si8900EDB和Si8902EDB的ESD保護(hù)達(dá)4000V。

為了改善熱性能，30-V Si7902EDN雙共漏功率MOSFET可用PowerPAK 1212-8封裝，其小型體積為1.07mm,占位面積為10.56mm2。Si7902EDN在4.5V柵驅(qū)動(dòng)時(shí)，其導(dǎo)通電阻為28 m歐姆，ESD保護(hù)為3000V。

共漏器件在充電時(shí)能進(jìn)行保護(hù)，防止過(guò)流和過(guò)壓的出現(xiàn)，當(dāng)電池充滿電時(shí)防止向交流源放電。

大多數(shù)發(fā)動(dòng)機(jī)采用花鍵軸,其中一個(gè)兩倍寬度的主鍵保證槳轂僅裝在一個(gè)位置上。用過(guò)艿昵/不過(guò)規(guī)檢查花鍵磨損,它的尺寸比花鍵間允許最大尺寸大0.002in(英寸)。

量規(guī)在兩個(gè)鍵槽之間測(cè)量,如有超過(guò)20%的鍵槽插不進(jìn)去,則說(shuō)明軸和鍵均可使用,如有20%以上鍵槽能插進(jìn)去,說(shuō)明曲軸已有過(guò)量磨損,必須更換。為確保螺旋槳槳轂在曲軸的中心,前錐和后錐應(yīng)裝在螺旋槳轂的每一側(cè)。用普魯士藍(lán)檢查前、后錐的安裝是否正確。初裝扭緊后拆下,前、后錐轉(zhuǎn)移到轂上的普魯士藍(lán)最低需要70%。

DS2761適用在剩余容量估計(jì)，安全監(jiān)視和電池指標(biāo)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。溫度測(cè)量用片內(nèi)的傳感器來(lái)測(cè)量，不需另外的溫度計(jì)。

通過(guò)1線接口，DS2761令主系統(tǒng)存入狀態(tài)和控制寄存器，儀器寄存器和通用數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。每個(gè)器件有63位地址，允許由主系統(tǒng)單獨(dú)地存址，支持多電池操作。

64M位閃存器件，用在手提設(shè)備和手機(jī)市場(chǎng)，支持幾種不同的吞吐量，消耗比其它產(chǎn)品更低的功率。

Am29BDS640G是可以和8M位或16M位SRAM封在一起的多片式封裝(MCP)，能使AMD客戶設(shè)計(jì)出更小更輕的終端產(chǎn)品。該器件還有高性能突發(fā)模式接口和AMD同時(shí)讀/寫(xiě)結(jié)構(gòu)以及FlexBank結(jié)構(gòu)。