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±800kV特高壓現(xiàn)場線路因塑料薄膜短接導致重啟不成功原因進行分析

發(fā)布時間:2023/1/14 8:52:08 訪問次數(shù):93

種指示貨架期的智能標簽,與被監(jiān)測產(chǎn)品的匹配是其應用的關鍵步驟。

利用公式推導驗證了這一TTI匹配方法在化學動力學模型和多種不同微生物生長模型中的普適性,成功將這些模型結合在一起,形成了TTI與被監(jiān)測產(chǎn)品在這些模型間的跨模型匹配,并利用玫瑰香葡萄硬度變化過程和羅非魚微生物生長過程闡述了化學反應和微生物生長的規(guī)律,驗證了等效轉換參數(shù)的穩(wěn)定性和基于等量線的TTI匹配方法的可行性。

將有助于實現(xiàn)不同機制類型的TTI和被監(jiān)測產(chǎn)品在多種化學反應動力學模型和微生物生長模型間的跨模型匹配,且匹配過程直觀、簡潔,有利于TTI的應用和推廣。

埋金屬掩膜的表面光柵分布反饋半導體激光器制備工藝,該工藝方案可以減小器件工藝對光柵結構的影響,無需額外增加光柵保護工藝。

采用該工藝方案制備了光柵周期為10μm的高階表面光柵DFB半導體激光器件。

實驗結果表明,與光刻膠作為表面光柵刻蝕掩膜的工藝相比,掩埋金屬掩膜工藝方案保證了表面光柵的形貌,使光柵內(nèi)的折射率具有更好的周期性分布,器件的單縱模半高全寬由0.56nm降至0.23nm,且在輸入電流為1A的情況下可以獲得242mW的輸出功率。

該工藝有效改善光柵的形貌,提升器件的光譜特性。

但TTI和被監(jiān)測產(chǎn)品反應機理不同,二者最適擬合模型不盡相同,而傳統(tǒng)匹配過程多采用統(tǒng)一模型和參數(shù)進行擬合和匹配,一定程度降低了模型擬合精度。

研究結果表明:表面濕潤狀態(tài)下,當間隙距離為1.0m和2.0m時,塑料薄膜平鋪與卷起時的間隙閃絡電位梯度分別為1.22 kV/cm和0.96 kV/cm、0.82kV/cm和0.7kV/cm;當間隙距離為11.5m時,潮濕塑料薄膜的間隙閃絡電位梯度為0.56 kV/cm。

在受潮條件下,塑料薄膜卷起相比平鋪更容易發(fā)生閃絡,平均閃絡電位梯度隨距離增加而呈下降趨勢。最后還對某±800kV特高壓現(xiàn)場線路因塑料薄膜短接導致3次重啟均不成功的原因進行了分析。


上海德懿電子科技有限公司  www.deyie.com

種指示貨架期的智能標簽,與被監(jiān)測產(chǎn)品的匹配是其應用的關鍵步驟。

利用公式推導驗證了這一TTI匹配方法在化學動力學模型和多種不同微生物生長模型中的普適性,成功將這些模型結合在一起,形成了TTI與被監(jiān)測產(chǎn)品在這些模型間的跨模型匹配,并利用玫瑰香葡萄硬度變化過程和羅非魚微生物生長過程闡述了化學反應和微生物生長的規(guī)律,驗證了等效轉換參數(shù)的穩(wěn)定性和基于等量線的TTI匹配方法的可行性。

將有助于實現(xiàn)不同機制類型的TTI和被監(jiān)測產(chǎn)品在多種化學反應動力學模型和微生物生長模型間的跨模型匹配,且匹配過程直觀、簡潔,有利于TTI的應用和推廣。

埋金屬掩膜的表面光柵分布反饋半導體激光器制備工藝,該工藝方案可以減小器件工藝對光柵結構的影響,無需額外增加光柵保護工藝。

采用該工藝方案制備了光柵周期為10μm的高階表面光柵DFB半導體激光器件。

實驗結果表明,與光刻膠作為表面光柵刻蝕掩膜的工藝相比,掩埋金屬掩膜工藝方案保證了表面光柵的形貌,使光柵內(nèi)的折射率具有更好的周期性分布,器件的單縱模半高全寬由0.56nm降至0.23nm,且在輸入電流為1A的情況下可以獲得242mW的輸出功率。

該工藝有效改善光柵的形貌,提升器件的光譜特性。

但TTI和被監(jiān)測產(chǎn)品反應機理不同,二者最適擬合模型不盡相同,而傳統(tǒng)匹配過程多采用統(tǒng)一模型和參數(shù)進行擬合和匹配,一定程度降低了模型擬合精度。

研究結果表明:表面濕潤狀態(tài)下,當間隙距離為1.0m和2.0m時,塑料薄膜平鋪與卷起時的間隙閃絡電位梯度分別為1.22 kV/cm和0.96 kV/cm、0.82kV/cm和0.7kV/cm;當間隙距離為11.5m時,潮濕塑料薄膜的間隙閃絡電位梯度為0.56 kV/cm。

在受潮條件下,塑料薄膜卷起相比平鋪更容易發(fā)生閃絡,平均閃絡電位梯度隨距離增加而呈下降趨勢。最后還對某±800kV特高壓現(xiàn)場線路因塑料薄膜短接導致3次重啟均不成功的原因進行了分析。


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