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橫向MXM插槽產(chǎn)品內(nèi)部寄存器和I2C通信連續(xù)CRC錯(cuò)誤校驗(yàn)

發(fā)布時(shí)間:2022/12/3 23:45:55 訪問次數(shù):215

下一代車載攝像頭應(yīng)用的創(chuàng)新車規(guī)級電源管理IC(PMIC)——RAA271082。

作為一款符合ISO-26262標(biāo)準(zhǔn)的多功能多輸出電源IC,RAA271082包含一個(gè)初級高壓同步降壓穩(wěn)壓器、兩個(gè)次級低壓同步降壓穩(wěn)壓器和一個(gè)低壓LDO穩(wěn)壓器,并提供四個(gè)過壓和欠壓(OV/UV)監(jiān)控器、I2C通信、一個(gè)可配置通用I/O引腳,以及一個(gè)專用復(fù)位輸出/故障指示。

為滿足嚴(yán)格的ASIL B標(biāo)準(zhǔn),RAA271082具備用于OV/UV監(jiān)控器的第二獨(dú)立參考、內(nèi)置上電自檢、獨(dú)立OV/UV監(jiān)控器,以及內(nèi)部寄存器和I2C通信的連續(xù)CRC錯(cuò)誤校驗(yàn)。

ENS21x高精度高性能數(shù)字溫濕度傳感器系列,將溫濕度測量水平推向行業(yè)新高,可滿足汽車、工業(yè)、消費(fèi)電子以及儀器儀表應(yīng)用的精準(zhǔn)測量需求。

ENS21x系列產(chǎn)品在單個(gè)芯片上集成了高精度的相對濕度和溫度傳感器,具有行業(yè)領(lǐng)先的精度,溫度測量精度可達(dá)0.1°C,相對濕度測量精度為0.8%。該系列產(chǎn)品包括面向汽車應(yīng)用的ENS210A、面向消費(fèi)與家電的ENS211與ENS212、面向高濕度環(huán)境的ENS213A以及面向儀器儀表使用的ENS215。

AIMB-288E作為第一款橫向MXM插槽產(chǎn)品,可以安裝在1U的機(jī)箱中。利用薄款的散熱系統(tǒng),即使在55℃(131℃)的環(huán)境中也能充分發(fā)揮100%的性能。毫無疑問,這種設(shè)計(jì)可以幫助AI邊緣計(jì)算相關(guān)人員開箱即用,大大降低開發(fā)者的工作量與相關(guān)成本,并縮短整體上市周期。

第8代V-NAND將有助于滿足快速增長的市場需求,更好地提供差異化產(chǎn)品和解決方案,有望成為未來存儲創(chuàng)新的基礎(chǔ)。

通過這項(xiàng)技術(shù),三星顯著的提升每片晶圓的存儲密度,使三星的存儲密度達(dá)到了新的高度;谧钚翹AND閃存標(biāo)準(zhǔn)Toggle DDR 5.0接口*的三星第8代V-NAND,其輸入和輸出(I/O)速度高達(dá)2.4 Gbps(千兆比特每秒),相比上一代提升了1.2倍,這可以滿足PCIe 4.0和更高版本PCIe 5.0的性能要求。

三星第8代V-NAND有望成為存儲配置的基石,幫助擴(kuò)展下一代企業(yè)服務(wù)器的存儲容量,同時(shí)其應(yīng)用范圍還將拓展至可靠性尤為重要的車載市場。

上海德懿電子科技有限公司  www.deyie.com

來源:eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。圖片供參考

下一代車載攝像頭應(yīng)用的創(chuàng)新車規(guī)級電源管理IC(PMIC)——RAA271082。

作為一款符合ISO-26262標(biāo)準(zhǔn)的多功能多輸出電源IC,RAA271082包含一個(gè)初級高壓同步降壓穩(wěn)壓器、兩個(gè)次級低壓同步降壓穩(wěn)壓器和一個(gè)低壓LDO穩(wěn)壓器,并提供四個(gè)過壓和欠壓(OV/UV)監(jiān)控器、I2C通信、一個(gè)可配置通用I/O引腳,以及一個(gè)專用復(fù)位輸出/故障指示。

為滿足嚴(yán)格的ASIL B標(biāo)準(zhǔn),RAA271082具備用于OV/UV監(jiān)控器的第二獨(dú)立參考、內(nèi)置上電自檢、獨(dú)立OV/UV監(jiān)控器,以及內(nèi)部寄存器和I2C通信的連續(xù)CRC錯(cuò)誤校驗(yàn)。

ENS21x高精度高性能數(shù)字溫濕度傳感器系列,將溫濕度測量水平推向行業(yè)新高,可滿足汽車、工業(yè)、消費(fèi)電子以及儀器儀表應(yīng)用的精準(zhǔn)測量需求。

ENS21x系列產(chǎn)品在單個(gè)芯片上集成了高精度的相對濕度和溫度傳感器,具有行業(yè)領(lǐng)先的精度,溫度測量精度可達(dá)0.1°C,相對濕度測量精度為0.8%。該系列產(chǎn)品包括面向汽車應(yīng)用的ENS210A、面向消費(fèi)與家電的ENS211與ENS212、面向高濕度環(huán)境的ENS213A以及面向儀器儀表使用的ENS215。

AIMB-288E作為第一款橫向MXM插槽產(chǎn)品,可以安裝在1U的機(jī)箱中。利用薄款的散熱系統(tǒng),即使在55℃(131℃)的環(huán)境中也能充分發(fā)揮100%的性能。毫無疑問,這種設(shè)計(jì)可以幫助AI邊緣計(jì)算相關(guān)人員開箱即用,大大降低開發(fā)者的工作量與相關(guān)成本,并縮短整體上市周期。

第8代V-NAND將有助于滿足快速增長的市場需求,更好地提供差異化產(chǎn)品和解決方案,有望成為未來存儲創(chuàng)新的基礎(chǔ)。

通過這項(xiàng)技術(shù),三星顯著的提升每片晶圓的存儲密度,使三星的存儲密度達(dá)到了新的高度;谧钚翹AND閃存標(biāo)準(zhǔn)Toggle DDR 5.0接口*的三星第8代V-NAND,其輸入和輸出(I/O)速度高達(dá)2.4 Gbps(千兆比特每秒),相比上一代提升了1.2倍,這可以滿足PCIe 4.0和更高版本PCIe 5.0的性能要求。

三星第8代V-NAND有望成為存儲配置的基石,幫助擴(kuò)展下一代企業(yè)服務(wù)器的存儲容量,同時(shí)其應(yīng)用范圍還將拓展至可靠性尤為重要的車載市場。

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