超低靜態(tài)電流技術(shù)“Nano Energy™”，將靜態(tài)電流降至非常低的500nA（0.5μA，即同等功能和精度的普通產(chǎn)品的1/16），客戶采用該產(chǎn)品時，無需擔(dān)心電池驅(qū)動的車載應(yīng)用在引擎停止時的功耗增加，因此，該產(chǎn)品也適合用來在需要功能安全*2的車載和工業(yè)設(shè)備的各種電源電路中增加電壓監(jiān)控功能。ROHM計劃通過搭載Nano Energy™技術(shù)且支持高電壓的復(fù)位IC，擴(kuò)大檢測電壓固定型和單向型*1產(chǎn)品的陣容，并為進(jìn)一步提高車載和工業(yè)設(shè)備的安全性貢獻(xiàn)力量。

應(yīng)用定義軟件、軟件定義芯片，帶來了全新計算模式，是架構(gòu)上的創(chuàng)新。所謂軟件定義芯片，是將軟件劃分成可以在基元（即多功能的計算單元）陣列上運(yùn)行的子任務(wù)，按照任務(wù)依賴關(guān)系將子任務(wù)逐塊映射到基元陣列上運(yùn)算。

這類基元陣列架構(gòu)可以通過編程的方式改變芯片連接和芯片功能。

超低功耗霍爾開關(guān)MHA100/150/160系列，采用低功耗CMOS工藝，功耗低至2.5μA，同時該芯片具有內(nèi)置的靈敏度補(bǔ)償，并具有優(yōu)良的溫度補(bǔ)償特性，使芯片能夠在-45~85℃的環(huán)境中工作且保持良好的性能和一致性。

美新霍爾開關(guān)傳感器的優(yōu)點(diǎn)：噪聲低，Bop/Brp磁參數(shù)一致性好，可以保障最終產(chǎn)品的良好一致性，精準(zhǔn)的開關(guān)檢測  磁滯窗口可做到5高斯，在應(yīng)用中可以更準(zhǔn)確檢測磁場的變化，磁場檢測靈敏度更好，處于業(yè)界領(lǐng)先水平多種封裝可選，有DFN1014/SOT23-3L/SOT553，可滿足不同產(chǎn)品的應(yīng)用需求.

卡入式端子的新型DLC超級電容（雙電層電容）。WCAP-SISC系列有100F和350F兩種容量，是有高功率和高能量需求，例如UPS和儲能產(chǎn)品的完美解決方案。它們可用于智能計量儀器、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備和能量收集等，額定電流高達(dá)75A。

遠(yuǎn)高于傳統(tǒng)電容的能量密度使得雙電層超級電容WCAP-SISC成為電池的環(huán)保替代品。與鋰離子電池相比，采用活性炭技術(shù)的超級電容具有眾多優(yōu)勢，例如充電速度快、可循環(huán)充放電500,000次的極長壽命以及火災(zāi)風(fēng)險更低。

WCAP-SISC電容容差為10/+30%，額定電壓為2.7V，工作溫度-40°C至+65°C 。

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