邊緣智能的“邊緣”逐漸已經(jīng)成為人體感官的延伸，比如各種溫度傳感器、加速度傳感器、聲學(xué)傳感器等等，這些傳感器聯(lián)系了我們所處的真實的物理世界和看不見摸不著的數(shù)字世界，構(gòu)成一組組邊緣節(jié)點。

得益于AI強(qiáng)大的計算能力，AI技術(shù)在工業(yè)、醫(yī)療、消費(fèi)類等諸多領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。

比如，工業(yè)攝像頭可以通過AI技術(shù)識別分類不同等級的產(chǎn)品；將AI技術(shù)用在時間序列分析上，可以對多個人體生命體征信號諸如心電、PPG、生物電阻抗等進(jìn)行分析監(jiān)測并提出初步的診療指導(dǎo)意見；具備AI功能的消費(fèi)類產(chǎn)品可以根據(jù)使用者的指示或者自身的機(jī)器視覺開展工作，比如我們可以通過語音操控掃地機(jī)器人，而掃地機(jī)器人則可以借助AI來規(guī)劃自身的行進(jìn)路線。

然而，這種材料有一個很明顯的缺點，因為硅含有比石墨更多的鋰離子，所以它的體積更大。因此，即便能夠成功使用硅作為電極材料，其使用率也非常有限。所以 LG 新能源開發(fā)并計劃測試純硅原型被業(yè)界認(rèn)為是該公司實現(xiàn)了重大技術(shù)突破。

LG 新能源成功將硅的尺寸減小到目前能夠?qū)崿F(xiàn)的最小尺寸 ——5微米。據(jù)評估，它不僅有助于提高性能，而且還有助于縮小電池體積。當(dāng)它最終成功商業(yè)化時可大幅提高電動汽車?yán)m(xù)航和充電性能，并擁有一定的價格競爭力，畢竟單位容量的硅比石墨更便宜。

當(dāng)兩個與非門的輸出全為1時,輸出為1;只要其中一個為0時,輸出為0。所以該電路的輸出端可以實現(xiàn)線與功能L=AB・CD。

上拉電阻對0D門動態(tài)性能的影響,由于驅(qū)動門的輸出電容、負(fù)載門的輸入電容以及接線電容的存在,上拉電阻尺p的大小必將影響0D門的開關(guān)速度,RP的值愈小,負(fù)載電容的充電時間常數(shù)亦愈小,因而開關(guān)速度愈快。但上拉電阻不能任意地減小,它必須保證輸出電流不能超過允許的最大值f。L(m ax)。

對于HC和HCT系列CMOs門電路,f。L(max)為4 mA,因此Rp必須大于%D/J。L(m ax)=5Ⅴ〃mA=⒈25 kΩ。與普通CMOs電路相比,Rp的值比PMOS管導(dǎo)通時的電阻(小于200Ω)大得多,因而,0D門從低電平到高電平的轉(zhuǎn)換速度比普通CMOS門慢得多。

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