Zen平臺上優(yōu)化和驗證的DDR5內(nèi)存產(chǎn)品為此類芯片提供支持
發(fā)布時間:2023/1/24 20:49:37 訪問次數(shù):120
AURIX TC4x系列微控制器將為客戶帶來無與倫比的實時功能安全和網(wǎng)絡(luò)安全。MathWorks基于模型的設(shè)計功能在業(yè)界獲得了廣泛應(yīng)用,可為此類芯片提供支持,讓工程師在獲得硅片之前即可更早地開始軟件開發(fā),并通過自動生成代碼加快開發(fā)速度。
這也意味著新產(chǎn)品上市時間將會縮短,由此帶來的優(yōu)勢可以極大地幫助我們的客戶取得成功。
與英飛凌的密切合作將助力我們雙方共同的客戶加快電動汽車系統(tǒng)的開發(fā)步伐。工程師們可以在管控風險的同時處理復(fù)雜的系統(tǒng),增進對系統(tǒng)級行為、持續(xù)驗證和符合需求的數(shù)字主線的理解。能夠在這些方面做出貢獻,讓汽車變得更加清潔、高效和可靠,我們感到非常自豪。
先進12nm級工藝技術(shù)的DRAM產(chǎn)品擴展到更廣泛的市場領(lǐng)域,同時繼續(xù)與行業(yè)伙伴合作,推動下一代計算的快速發(fā)展。
Vegalas™RGB激光模塊的LBS技術(shù)創(chuàng)新,將顯著加快智能眼鏡市場的增長,為人們帶來更輕便、更高品質(zhì)的智能眼鏡。一直以來,先進光學技術(shù)推動了智能手機設(shè)計的變革,實現(xiàn)許多關(guān)鍵的創(chuàng)新,如人臉識別、攝像頭增強和無邊框顯示。隨著下一次移動計算革命浪潮到來,將致力推動智能眼鏡進入主流消費市場。
P/E壽命沒有那么變態(tài)的要求,綠芯還有ArmourDrive PX系列硬盤,使用的是3D TLC閃存,壽命也有5000次P/E循環(huán),容量64GB到512GB之間。
12納米(nm)級工藝技術(shù)打造的16 Gb DDR5 DRAM,并與AMD一起完成了兼容性方面的產(chǎn)品評估。
三星12nm級DRAM將成為推動整個市場廣泛采用DDR5 DRAM的關(guān)鍵因素。憑借卓越的性能和能效,我們希望新款DRAM能夠成為下一代計算、數(shù)據(jù)中心和AI驅(qū)動系統(tǒng)等領(lǐng)域更可持續(xù)運營的基礎(chǔ)。
創(chuàng)新往往少不了與行業(yè)伙伴的密切合作,來拓寬技術(shù)的邊界。我們很高興能與三星電子再度合作,特別是推出在Zen平臺上優(yōu)化和驗證的DDR5內(nèi)存產(chǎn)品。
這一技術(shù)突破是通過使用一種新的高介電(high-k)材料來增加電池電容,以及改進關(guān)鍵電路特性的專利設(shè)計技術(shù)而實現(xiàn)的。

上海德懿電子科技有限公司 www.deyie.com
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這也意味著新產(chǎn)品上市時間將會縮短,由此帶來的優(yōu)勢可以極大地幫助我們的客戶取得成功。
與英飛凌的密切合作將助力我們雙方共同的客戶加快電動汽車系統(tǒng)的開發(fā)步伐。工程師們可以在管控風險的同時處理復(fù)雜的系統(tǒng),增進對系統(tǒng)級行為、持續(xù)驗證和符合需求的數(shù)字主線的理解。能夠在這些方面做出貢獻,讓汽車變得更加清潔、高效和可靠,我們感到非常自豪。
先進12nm級工藝技術(shù)的DRAM產(chǎn)品擴展到更廣泛的市場領(lǐng)域,同時繼續(xù)與行業(yè)伙伴合作,推動下一代計算的快速發(fā)展。
Vegalas™RGB激光模塊的LBS技術(shù)創(chuàng)新,將顯著加快智能眼鏡市場的增長,為人們帶來更輕便、更高品質(zhì)的智能眼鏡。一直以來,先進光學技術(shù)推動了智能手機設(shè)計的變革,實現(xiàn)許多關(guān)鍵的創(chuàng)新,如人臉識別、攝像頭增強和無邊框顯示。隨著下一次移動計算革命浪潮到來,將致力推動智能眼鏡進入主流消費市場。
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12納米(nm)級工藝技術(shù)打造的16 Gb DDR5 DRAM,并與AMD一起完成了兼容性方面的產(chǎn)品評估。
三星12nm級DRAM將成為推動整個市場廣泛采用DDR5 DRAM的關(guān)鍵因素。憑借卓越的性能和能效,我們希望新款DRAM能夠成為下一代計算、數(shù)據(jù)中心和AI驅(qū)動系統(tǒng)等領(lǐng)域更可持續(xù)運營的基礎(chǔ)。
創(chuàng)新往往少不了與行業(yè)伙伴的密切合作,來拓寬技術(shù)的邊界。我們很高興能與三星電子再度合作,特別是推出在Zen平臺上優(yōu)化和驗證的DDR5內(nèi)存產(chǎn)品。
這一技術(shù)突破是通過使用一種新的高介電(high-k)材料來增加電池電容,以及改進關(guān)鍵電路特性的專利設(shè)計技術(shù)而實現(xiàn)的。

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